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产品型号 |
描述 |
发布时间 |
购买 |
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SMUN5213T1G |
NPN双极数字晶体管 |
2024-11-21 |
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NCV8537MN330R2G |
500mA，高精度，低压差，线性稳压器，具有断电功能良好 |
2024-11-21 |
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NTMFS5C645NLT1G |
60V,100A,4mΩ,N沟道功率MOSFET |
2024-11-21 |
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NCV8164ASN330T1G |
LDO稳压器 |
2024-11-21 |
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SNCV5700DR2G |
大电流IGBT栅极驱动器 |
2024-11-21 |
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NCL38046PADR2G |
CC/CV/CP二次侧控制器 |
2024-11-21 |
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FIN1104MTC |
LVDS 4 端口高速中继器 |
2024-11-21 |
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SZESD8551MXWT5G |
ESD保护二极管 |
2024-11-21 |
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2N4403TF |
PNP双极晶体管，TO-92 |
2024-11-21 |
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NDSH40120CDN |
碳化硅肖特基二极管,1200 V 20A |
2024-11-06 |
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NCS2333MUTBG |
精度运算放大器,低功耗,零漂移 |
2024-11-06 |
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FDC2612 |
200V,1.1A,725mΩ,N沟道PowerTrenchMOSFET |
2024-11-06 |
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NCP1632ADR2G |
临界传导模式（CrM）功率因数控制器，交错 |
2024-11-06 |
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SMUN5213T1G |
NPN双极数字晶体管 |
2024-11-06 |
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NTHL022N120M3S |
1200V，30mΩ，68A，N沟道碳化硅MOSFET |
2024-11-06 |
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FDP61N20 |
200V，61A，41mΩ，N沟道功率MOSFET |
2024-11-06 |
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MM74HCT540MTCX |
八进制三态缓冲器，反相 |
2024-11-06 |
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FAN3180TSX |
LDO 低端栅极驱动器 |
2024-11-06 |
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MM74HC04MX |
六路逆变器 |
2024-11-06 |
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RS07J-GS08 |
快速整流器表面安装，600 V 500mA |
2024-11-06 |
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NTBG022N120M3S |
1200V,30mΩ,72A,SiC MOSFET |
2024-11-06 |
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NTBG060N090SC1 |
60 mohm,900 V,碳化硅（SiC）MOSFET-EliteSiC |
2024-11-06 |
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NCV59748MLADJTBG |
LDO稳压器,1.5A超低压降,高PSRR,低噪声 |
2024-11-06 |
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74ACT245MTCX |
带3态输入/输出的八通道双向收发器 |
2024-11-06 |
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FXL4T245BQX |
低压双电源4位信号转换器 |
2024-11-06 |
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74LCX244WMX |
低压缓冲器/线路驱动器 |
2024-11-06 |
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SZSM05T1G |
5V，双路共阳二极管TVS带ESD保护 |
2024-11-06 |
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VS-E5PH7512L-N3 |
Hyperfast整流器1200 V 75A |
2024-11-06 |
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NTMFS5C673NLT1G |
60V,9.2mΩ,50A,单N沟道逻辑电平功率MOSFET |
2024-11-06 |
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NCP1076BBP100G |
用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 |
2024-11-06 |
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MC74VHC1GT08DBVT1G |
单2输入AND门极，TTL电平 |
2024-11-06 |
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FDMC86262P |
307mΩ，-105V，-2A，P沟道功率MOSFET |
2024-11-06 |
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NDSH10170A |
碳化硅肖特基二极管 1700V,10A |
2024-11-06 |
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NVMFWS0D9N04XMT1G |
40V，0.9mΩ，273A，N沟道MOSFET |
2024-11-06 |
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QED234 |
塑料红外发光二极管 |
2024-11-06 |
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NCP12510BSN100T1G |
电流模式PWM控制器 |
2024-10-14 |
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SBC817-25LT1G |
通用晶体管 |
2024-10-14 |
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MOC3062SR2M |
三端双向可控硅驱动器光耦合器 |
2024-10-14 |
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ESD7181MUT5G |
单线双向,低电容,ESD保护二极管 |
2024-09-10 |
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NST3946DXV6T1G |
双通用晶体管 |
2024-09-10 |
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NL17SZ14DFT2G |
单施密特触发反相器 |
2024-09-10 |
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LM2931CDR2G |
100mA，可调输出，带有60V负载保护的低压差稳压器 |
2024-09-10 |
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SBAS116LT1G |
75V开关二极管 |
2024-09-10 |
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SZMMSZ5232BT1G |
500mW齐纳二极管 |
2024-09-10 |
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SZMMSZ4689T1G |
5.1V齐纳稳压管 |
2024-09-10 |
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LM2931D-5.0R2G |
100mA，可调输出，带有60V负载保护的低压差稳压器 |
2024-09-10 |
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NB3V1104CMTTBG |
3.3 V/2.5 V/1.8 V LVCMOS低倾斜扇出缓冲器系列 |
2024-08-13 |
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1N5365BRLG |
36V齐纳电压,5W,硅齐纳稳压二极管 |
2024-08-13 |
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BC848CDW1T1G |
30V通用型双NPN放大器晶体管（SOT-363封装） |
2024-08-13 |
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MC78M05ACDTRKG |
500 mA 正电压输出稳压器 |
2024-08-13 |
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NCP3064BDR2G |
带使能端的1.5A，升压/降压/反相开关稳压器 |
2024-08-13 |
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MJD210G |
互补型功率晶体管 |
2024-08-13 |
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NJVMJD32CT4G |
补偿型功率晶体管 |
2024-08-13 |
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FDC2612 |
200V,1.1A,725mΩ,N沟道PowerTrenchMOSFET |
2024-08-13 |
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FDT3612 |
100V，3.7A，120mΩ，N沟道功率MOSFET |
2024-08-13 |
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FFB20UP20STM |
20 A,200 V 超快速二极管 |
2024-08-13 |
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MPSA42 |
NPN 双极小信号晶体管 |
2024-08-13 |
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NVMFS5C468NLT1G |
40V 37A 10.3mΩ,N沟道功率MOSFET |
2024-08-13 |
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NCP51530BMNTWG |
700V- 3.5 / 3A高低侧MOSFET驱动器 |
2024-08-13 |
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NC7S32M5X |
TinyLogic HS 2输入或门 |
2024-08-13 |
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QRD1114 |
反光物体传感器 |
2024-08-13 |
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1N914BTR |
小信号二极管，100 V 200mA |
2024-08-13 |
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NCP1342ANDCDAD1R2G |
准谐振反激式控制器 |
2024-08-13 |
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NCP1632ADR2G |
临界传导模式（CrM）功率因数控制器，交错 |
2024-08-13 |
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NTMFS5C670NLT3G |
60V,17A,6.1mΩ,单N沟道功率MOSFET |
2024-08-13 |
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MC74AC86DR2G |
四2输入异或门 |
2024-08-13 |
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NDT3055 |
60V,4A,100mΩ,N沟道增强模型场效应晶体管 |
2024-08-13 |
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CAV25256YE-GT3 |
EEPROM 串行 256-Kb SPI - 汽车级 |
2024-08-13 |
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KA431SAMFTF |
可调/2.5 V，1% 允差分路稳压器 |
2024-08-13 |
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NVMFD5C668NLWFT1G |
60V,6.5mΩ,68A,N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NTH4L013N120M3S |
碳化硅(SiC)MOSFET–EliteSiC,13mΩ,1200V,M3S |
2024-07-18 |
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NTMT045N065SC1 |
碳化硅（SiC）MOSFET-EliteSiC，33 mohm，650 V，M2，Power88 |
2024-07-18 |
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NTHL040N65S3HF |
650V,65A,40mΩ,N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NVMFD5C466NLWFT1G |
双N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NVMFS5C612NLAFT1G |
60V,250A,N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NVMTS0D4N04CLTXG |
40V,553.8A,0.4mΩ,N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NVMTS0D7N04CLTXG |
40V,433A,0.63mΩ,单N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NTTFS5C680NLTAG |
N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NVMFD5C668NLT1G |
60V,6.5mΩ,68A,N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NVMFD6H852NLT1G |
80V,25.5mΩ,25A,双N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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FQP6N80C |
800V,5.5A,N沟道增强型功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NVBG040N120M3S |
碳化硅（SiC）MOSFET–EliteSiC,40欧姆,1200V,M3S |
2024-07-18 |
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FDD3690 |
100V，64mΩ，22A，N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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FDD86367 |
80V,4.2mΩ,100A,N沟道MOSFET |
2024-07-18 |
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NTMFS7D8N10GTWG |
N沟道屏蔽栅PowerTrench®MOSFET 100V,110A,7.6mΩ |
2024-07-18 |
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FDB2532 |
150V,16mΩ,79A,N沟道PowerTrench® MOSFET |
2024-07-18 |
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FDBL0090N40 |
40V，0.9mΩ，240A，N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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FDMT800100DC |
100V，2.95mΩ，162A，N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NTTFS6H860NTAG |
80V，21.1mΩ，33A，单N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NTTFS6H880NTAG |
80V，32mΩ，22A，单N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NVMFS5C420NLT1G |
40V，1mΩ，277A，N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NVTFS5C670NLWFTAG |
60V，6.8mΩ，70A，N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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MC3302DR2G |
四电压比较器 |
2024-07-18 |
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BC856BDW1T1G |
双通用晶体管 |
2024-07-18 |
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FDA24N40F |
400V,23A,190mΩ,N沟道FRFET MOSFET |
2024-07-18 |
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NVTFS9D6P04M8LTAG |
9.5mΩ，-40V，P通道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NRVBBS20100CTT4G |
100V,20A肖特基整流二极管 |
2024-06-28 |
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MBRS2040LT3G |
2A,40V肖特基整流器 |
2024-06-28 |
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MMSZ4707T1G |
500mW，SOD123，表面安装齐纳稳压管 |
2024-06-28 |
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SZTVS4201MR6T1G |
TVS二极管 |
2024-06-28 |
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NSS30101LT1G |
30V, 2A, 低VCE(sat) NPN晶体管 |
2024-06-28 |
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1N5337BRLG |
4.7V齐纳电压,5W,硅齐纳稳压二极管 |
2024-06-28 |
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1SMB5944BT3G |
3W，塑料表贴封装，齐纳稳压管 |
2024-06-28 |
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NRVB140SFT1G |
1.0A,40V,肖特基二极管,表贴 |
2024-06-28 |
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NVMFD020N06CT1G |
60V，20.3mΩ，27A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-28 |
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NCH-RSL15-512-101WC40-ABG |
控制器 |
2024-06-28 |
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74LCX244MTCX |
带 5V 耐压输入和输出的低压缓冲器/线路驱动器 |
2024-06-19 |
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NC7SP14P5X |
TinyLogic ULP-A逆变器 |
2024-06-19 |
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FXL2SD106BQX |
低电压双电源 6 位电压转换器，带自动方向感应 |
2024-06-19 |
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MC100LVEP111FARG |
2.5V/3.3V 1:10 差分 ECL/PECL/HSTL时钟驱动器 |
2024-06-19 |
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FDC6305N |
20V,2.7A,80mΩ,双N沟道PowerTrench MOSFET |
2024-06-19 |
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ESD7002WTT1G |
ESD保护二极管 |
2024-06-19 |
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FCH023N65S3-F155 |
650V，75A，23mΩ，N沟道功率MOSFET |
2024-06-19 |
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NVMFS5113PLWFT1G |
−60V,14mΩ,-64A,P沟道功率MOSFET |
2024-06-19 |
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FDN302P |
55mΩ，-20V，-2.4A，P沟道功率MOSFET |
2024-06-19 |
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NCV2903DMR2G |
低失调电压，2比较器 |
2024-06-19 |
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NCP3065MNTXG |
为LED提供恒定电流的开关稳压器 |
2024-06-19 |
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MBRM2H100T3G |
表面贴装肖特基功率整流管 |
2024-06-19 |
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NTHL065N65S3F |
650V，46A，65mΩ，N沟道SUPERFET功率MOSFET |
2024-06-19 |
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SZMMBZ39VCLT1G |
双共阴极齐纳二极管 |
2024-06-19 |
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NSS1C301ET4G |
3A,100V,低VCE（sat）NPN晶体管 |
2024-06-19 |
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NCV33035DWR2G |
无刷直流电机控制器 |
2024-06-19 |
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MC33269DTRKG |
800 mA，输出可调的低压差稳压器 |
2024-06-19 |
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NRVTSM260EV2T1G |
沟槽肖特基整流器 2A,60V |
2024-06-19 |
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FDS8858CZ |
30V双N和P沟道PowerTrench MOSFET |
2024-06-19 |
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FL3100TMPX |
具有LED PWM调光控制的低侧栅极驱动器 |
2024-06-19 |
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NCV308SN500T1G |
低静态电流,可编程延迟时间监控电路 |
2024-06-19 |
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BSS138K |
50V,1.6Ω,0.22A,N沟道逻辑电平增强型MOSFET |
2024-06-19 |
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NC7SZ04P5X |
TinyLogic UHS 逆变器 |
2024-06-19 |
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FODM8801AR2 |
高温光电晶体管光电耦合器 |
2024-06-19 |
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FAN8811TMPX |
高频率,高压侧和低压侧门极驱动集成电路 |
2024-06-19 |
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MC74HCT595ADG |
8位移位寄存器,三态输出,TTL |
2024-06-19 |
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FFSD1065A |
650V,10A,碳化硅肖特基二极管 |
2024-06-04 |
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NDSH40120CDN |
碳化硅（SiC）肖特基二极管–EliteSiC，40 A，1200 V，D3，TO-247-3L |
2024-06-04 |
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NRVB0540T3G |
40V,0.5A,表贴式肖特基功率整流器 |
2024-06-04 |
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NRVB30H100MFST3G |
30A 100V肖特基二极管 |
2024-06-04 |
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NRVB8H100MFSWFT1G |
8A 100V肖特基二极管 |
2024-06-04 |
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NRVBB20100CTT4G |
100V,20A肖特基整流二极管 |
2024-06-04 |
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NRVBM120ET1G |
表面安装肖特基功率整流器20 V 1A |
2024-06-04 |
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AFGHL50T65SQ |
IGBT 650V 80A |
2024-06-04 |
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AFGHL50T65SQD |
650V, 50A,IGBT |
2024-06-04 |
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NTBG022N120M3S |
1200V，30mΩ，72A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
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NTBL045N065SC1 |
650V，50mΩ，73A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
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NTD360N65S3H |
650V,360mΩ,10A,N 沟道功率 MOSFET |
2024-06-04 |
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NTHL080N120SC1A |
1200V，110mΩ，31A，N沟道碳化硅MOSFET |
2024-06-04 |
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NTMFS002N10MCLT1G |
100V，2.8mΩ，175A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
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NTMFS008N12MCT1G |
120V，8mΩ，79A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
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RURD4120S9A-F085 |
超快二极管，1200V，4A |
2024-06-04 |
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ESD7551N2T5G |
微型封装ESD保护二极管 |
2024-06-04 |
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MBR120LSFT3G |
肖特基功率整流管,SM,1A,20V |
2024-06-04 |
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NRVUS230T3G |
300V,2A超快恢复功率整流器 |
2024-06-04 |
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NCV7720DQAR2G |
十沟道半桥驱动器 |
2024-06-04 |
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NTMFS6H824NT1G |
80V，4.5mΩ，107A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
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NTMT061N60S5F |
600V，61mΩ，41A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
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NTMTSC4D2N10GTXG |
100V，4.2mΩ，178A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
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NTTFD018N08LC |
80V，18mΩ，26A，双N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
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NTTFS2D1N04HLTWG |
40V，2.1mΩ，150A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
|
 |
NVB125N65S3 |
650V，125mΩ，24A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
|
 |
NVBG020N120SC1 |
1200V，28mΩ，98A，N沟道碳化硅MOSFET |
2024-06-04 |
|
 |
NVBG022N120M3S |
1200V，30mΩ，100A，N沟道SIC MOSFET |
2024-06-04 |
|
 |
NVMFS4C03NT1G |
30V,1.7mΩ,159A,N沟道功率 MOSFET |
2024-06-04 |
|
 |
NVMFS5C442NAFT1G |
40V，2.3m，140A单N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
|
 |
NVMFS5C456NLWFAFT1G |
40V，3.7mΩ，87A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
|
 |
NVMFS6H800NLWFT1G |
80V，1.9mΩ，224A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
|
 |
NVMFS6H818NWFT1G |
80 V，3.7 mΩ，123 A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
|
 |
NVMFS6H858NLT1G |
80V，19.5mΩ，30A，单N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
|
 |
NVMTS1D2N08H |
80V，1.1mΩ，337A，单N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
|
 |
NVMYS010N04CLTWG |
40V，10.3mΩ，38A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
|
 |
NVTFS5C453NLTAG |
40V，3.1mΩ，107A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
|
 |
NVTFS5C460NLWFTAG |
40V，4.8mΩ，74A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
|
 |
NVTFS5C670NLTAG |
60V，6.8mΩ，70A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
|
 |
NCV7725DQBR2G |
10通道半桥驱动器 |
2024-06-04 |
|
 |
H11G1M |
高压达林顿晶体管输出光电耦合器 |
2024-06-04 |
|
|
MBR120LSFT3G |
肖特基功率整流管,SM,1A,20V |
2024-06-04 |
|
|
NRVUS230T3G |
300V,2A超快恢复功率整流器 |
2024-06-04 |
|
 |
FFSH5065B-F085 |
汽车碳化硅(SiC)肖特基二极管，650 V |
2024-05-07 |
|
 |
NTMJS2D5N06CLTWG |
60V，2.4mΩ，164A，N沟道功率MOSFET |
2024-05-07 |
|
 |
NTMTS1D5N08H |
80V，1.5mΩ，255A，N沟道功率MOSFET |
2024-05-07 |
|
 |
NVHL050N65S3F |
650V，50mΩ，58A，N沟道功率MOSFET |
2024-05-07 |
|
 |
NVMFS5C420NLWFT1G |
40V，1mΩ，277A，N沟道功率MOSFET |
2024-05-07 |
|
 |
NCV7685DQR2G |
12通道60mA LED线性电流驱动器I2C可控 |
2024-05-07 |
|
 |
NVDSH50120C |
碳化硅肖特基二极管，1200V，50A |
2024-05-07 |
|
 |
NVMFD5C446NLWFT1G |
40V，2.65mΩ，145A，N沟道功率MOSFET |
2024-05-07 |
|
 |
NCP81075MTTXG |
180V，4A高低侧栅极驱动器 |
2024-05-07 |
|
 |
NCP12510CSN65T1G |
用于离线电源的电流模式PWM控制器,65KHz |
2024-05-07 |
|
 |
NVH4L070N120M3S |
1200V，87mΩ，34A，N沟道功率MOSFET |
2024-04-12 |
|
 |
NCS214RSQT2G |
26V,双向电流检测放大器,低/高侧电压输出 |
2024-04-12 |
|
 |
FDMC6679AZ |
-30V,-20A,,P沟道MOSFET |
2024-04-12 |
|
 |
FQD2P40TM |
6.5Ω，400V，-1.56A，P沟道功率MOSFET |
2024-04-12 |
|
 |
NTTFS5116PLTWG |
-60V,-20A,52mΩ P沟道功率MOSFET |
2024-04-12 |
|
 |
NVMFS2D3P04M8LT1G |
2.2mΩ，-40V，-222A，P沟道功率MOSFET |
2024-04-12 |
|
 |
NVMS5P02R2G |
-20V,-5.4A,33mΩ P沟道功率MOSFET |
2024-04-12 |
|
 |
FDB2552 |
150V，36mΩ，37A，N沟道功率MOSFET |
2024-04-12 |
|
 |
FDBL9401-F085T6 |
40V，0.67mΩ，240A，N沟道功率MOSFET |
2024-04-12 |
|
 |
FDMS2D5N08C |
80V，2.7mΩ，166A，N沟道功率MOSFET |
2024-04-12 |
|
 |
SZ1SMB5923BT3G |
8.2V,3.0W齐纳稳压管 |
2024-04-12 |
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 |
SZMM5Z6V8T5G |
齐纳二极管 |
2024-04-12 |
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 |
SZMMSZ5267BT1G |
500mW齐纳二极管 |
2024-04-12 |
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|
NCP302LSN47T1G |
带可编程延迟的电压检测器系列 |
2024-04-12 |
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 |
NVTFS4C05NTAG |
30V,102A,3.6mΩ,单N沟道功率MOSFET |
2024-04-12 |
|
 |
NVMFD5C462NT1G |
40V、5.4mΩ、70A、N 沟道功率 MOSFET |
2024-04-12 |
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 |
NRVBM2H100T3G |
2A,100V肖特基功率整流器 |
2024-04-12 |
|
 |
NVTFS004N04CTAG |
40V，77A，4.9mΩ，单N沟道功率MOSFET |
2024-04-12 |
|
 |
NCV7344AD10R2G |
CAN FD收发器，高速低功耗 |
2024-04-12 |
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 |
SZMMSZ4702T1G |
15V齐纳稳压管 |
2024-04-12 |
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 |
NVMFS5C420NWFT1G |
40V，1.1mΩ，268A，N沟道功率MOSFET |
2024-04-12 |
|
 |
NIS5420MT4TXG |
电子保险丝 (eFuse), 12V, 44 mΩ, 4A, ISENSE |
2024-04-12 |
|
 |
FAN7081MX-GF085 |
单高压侧门极驱动器 |
2024-04-12 |
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|
H11G1M |
高压达林顿晶体管输出光电耦合器 |
2024-04-12 |
|
 |
NC7ST04M5X |
HST逆变器 |
2024-04-12 |
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 |
NTTFS4937NTWG |
N沟道功率MOSFET,30V,75A,4.5mΩ |
2024-04-12 |
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 |
SZMMBZ12VALT1G |
12V双路共阳齐纳二极管TVS |
2024-04-12 |
|
 |
SZMMSZ10T1G |
500mW,10V,±5%齐纳稳压管 |
2024-04-12 |
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 |
NCV7708FDQR2G |
双六角驱动器 |
2024-04-12 |
|
 |
MC14044BDR2G |
4 R-S锁存器 |
2024-03-15 |
|
 |
NCS37010MNTWG |
带自检与锁定的接地故障断路器 |
2024-03-15 |
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 |
NVMFS5C430NWFAFT1G |
40V，1.7mΩ，185A，单N沟道功率MOSFET |
2024-03-15 |
|
 |
NVMFS4C01NT1G |
30V，370A，0.67mΩ，单N通道逻辑电平功率MOSFET |
2024-03-15 |
|
 |
FDD86569-F085 |
60V,90A,5.7mΩ,N沟道功率Trench MOSFET |
2024-03-15 |
|
 |
FAD7191M1X |
600V,4.5A,高侧和低侧汽车栅极驱动器IC |
2024-03-15 |
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 |
NRVTS2H60ESFT3G |
沟槽肖特基整流器,极低漏电流 2A,60V |
2024-03-15 |
|
 |
NTH4L014N120M3P |
1200V，127A，N沟道碳化硅MOSFET |
2024-03-15 |
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 |
FDMS8320L |
40V，248A，1.1mΩ,N沟道功率MOSFET |
2024-03-15 |
|
 |
FDS4935A |
双P沟道，PowerTrench® MOSFET，- 30V，-7A，23mΩ |
2024-03-15 |
|
 |
74AC04MTCX |
反相器 |
2024-03-15 |
|
 |
NC7ST08P5X |
TinyLogic HST 2 输入 AND 门极 |
2024-03-15 |
|
 |
NC7S14M5X |
TinyLogic HS 逆变器 |
2024-03-15 |
|
 |
FDY102PZ |
500mΩ,-20V,-0.83A,P沟道功率MOSFET |
2024-02-29 |
|
 |
FDC610PZ |
42mΩ,-30V,-4.9A,P 沟道功率 MOSFET |
2024-02-29 |
|
|
NTH4L014N120M3P |
1200V，127A，N沟道碳化硅MOSFET |
2024-02-29 |
|
 |
NVBG070N120M3S |
碳化硅（SiC）MOSFET，70 mohm，1200 V，M3S，D2PAK-7L |
2024-02-29 |
|
 |
NVMFS5C410NWFAFT1G |
40V，300A，0.92mΩ，N沟道功率MOSFET |
2024-02-29 |
|
|
NCV7708FDQR2G |
双六角驱动器 |
2024-02-29 |
|
 |
NCV6324CMTAATBG |
同步Buck转换器，3 MHz，2.0 A |
2024-02-29 |
|
 |
6N135M |
高速晶体管光耦合器 |
2024-02-29 |
|
 |
NCV4296-2CSN33T1G |
30mA低压差稳压器3.3V |
2024-02-29 |
|
 |
NVTFS4C06NTAG |
30V,71A,4.2mΩ,单N沟道功率MOSFET |
2023-12-27 |
|
 |
FDG6332C |
20V,N&P沟道Power Trench MOSFET |
2023-12-27 |
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 |
FGH60T65SHD-F155 |
IGBT，650V，60A |
2023-12-27 |
|
 |
NVMFS5C410NLWFAFT1G |
40V,330A,0.82mΩ,N沟道功率MOSFET |
2023-12-27 |
|
 |
NVMFS5C442NLAFT1G |
40V,130A,2.5mΩ,N沟道功率MOSFET |
2023-12-27 |
|
 |
NCV8703MX33TCG |
LDO稳压器,低压降,超低Iq噪声,300mA,3.3V |
2023-12-27 |
|
 |
NVMFS5C426NLT1G |
40V，1.2mΩ，237A，N沟道功率MOSFET |
2023-12-13 |
|
 |
NVMJS0D9N04CLTWG |
40V，0.82mΩ，330A，单N沟道功率MOSFET |
2023-12-13 |
|
 |
NCV21871SN2T1G |
零漂移运算放大器 |
2023-12-13 |
|
 |
NVMFS5C410NWFAFT3G |
40V，0.92mΩ，300A，N沟道功率MOSFET |
2023-12-13 |
|
 |
LM2901VDTBR2G |
四电压比较器 |
2023-12-13 |
|
 |
FDC5612 |
60V,4.3A,55mΩ,N沟道功率Trench MOSFET |
2023-12-13 |
|
 |
74ACT138SCX |
8选1译码器/多路分配器 |
2023-12-13 |
|
 |
FDMS8333L |
40V,76A,3.1mΩ,N沟道功率Trench MOSFET |
2023-12-13 |
|
 |
NVH4L045N065SC1 |
650V，50mΩ，55A，N沟道碳化硅MOSFET |
2023-12-13 |
|
 |
NJV4031NT1G |
双极功率晶体管NPN硅 |
2023-12-13 |
|
 |
74ACT04SC |
六路逆变器 |
2023-11-14 |
|
|
MC100EP139DWG |
3.3V / 5V ECL 2/4分频, 4/5/6分频时钟发生器 |
2023-11-14 |
|
 |
NBC12430FAR2G |
3.3V/5V可编程PLL合成时钟发生器 |
2023-11-14 |
|
|
MC74VHC74DTR2G |
双上升沿D触发器(有预置和清除端) |
2023-11-14 |
|
 |
NSVMMBTA05LT1G |
60V,500mA,NPN双极型晶体管 |
2023-11-14 |
|
 |
FUSB2805MLX |
USB 2.0高速OTG收发器，带ULPI接口 |
2023-11-14 |
|
 |
NB4N840MMNR4G |
带CML输出和内部终端的3.3V，2.7Gb/s双差分时钟/数据2x2交点开关 |
2023-11-14 |
|
|
MC79L15ACDR2G |
100mA负电压稳压器 |
2023-11-14 |
|
 |
2SC3647T-TD-E |
100V,2A,低饱和NPN晶体管 |
2023-11-14 |
|
 |
FDG6335N |
20V,0.7A,0.3Ω,双N沟道PowerTrench MOSFET |
2023-11-14 |
|
 |
FDMS86105 |
100V，26A，34mΩ，N通道屏蔽栅极功率MOSFET |
2023-11-14 |
|
|
SZBZX84C27LT1G |
齐纳二极管 |
2023-11-14 |
|
 |
BZG03C15G |
峰值功率600W，齐纳额定浪涌电压调节器 |
2023-11-14 |
|
|
MC33077DR2G |
低噪声四运放 |
2023-11-14 |
|
|
SZBZX84C33LT1G |
齐纳二极管 |
2023-11-14 |
|
 |
ES3A |
3.0A,超快速恢复整流器 |
2023-11-14 |
|
 |
FDM3622 |
100V,4.4A,60mΩ,N沟道功率MOSFET |
2023-11-06 |
|
 |
NCV8412ADDR2G |
具有浪涌电流管理功能的自保护低侧驱动器 |
2023-11-06 |
|
 |
74VHC08MX |
四路2输入AND门极 |
2023-10-20 |
|
 |
NCV2202SN2T1G |
比较器，低电压，开漏 |
2023-10-20 |
|
 |
FGH75T65SHDT-F155 |
IGBT,650V,75A |
2023-10-11 |
|
 |
NTH4L075N065SC1 |
碳化硅 (SiC) MOSFET |
2023-10-11 |
|
 |
FFSH4065BDN-F085 |
汽车碳化硅（SiC）肖特基二极管，650 V |
2023-10-11 |
|
 |
NVH4L080N120SC1 |
1200V，110mΩ，29A，N沟道功率MOSFET |
2023-10-11 |
|
 |
S3BB |
表面贴装整流器3A,100V |
2023-10-11 |
|
 |
NCV57090BDWR2G |
隔离式大电流栅极驱动器 |
2023-09-27 |
|
 |
FDMS8018 |
30V,1.8mΩ,175A,N沟道功率MOSFET |
2023-09-27 |
|
 |
FGHL50T65MQDT |
IGBT - 650 V 50 A |
2023-09-27 |
|
 |
NVBG015N065SC1 |
650V、12mΩ、145A、N 沟道功率 MOSFET |
2023-09-06 |
|
 |
NTBG014N120M3P |
1200V，N沟道碳化硅MOSFET |
2023-09-06 |
|
 |
NRVBS360BNT3G |
肖特基功率整流器，60 V 4A |
2023-09-06 |
|
 |
NCD57001DWR2G |
隔离高电流IGBT栅极驱动器 |
2023-09-06 |
|
|
MC10EP451FAG |
5V,ECL,8位移位寄存器 |
2023-07-18 |
|
 |
2N4401TA |
40V,0.6A,625mW,NPN双极型晶体管 |
2023-07-18 |
|
 |
NCV7535DBR2G |
SPI控制的H桥和双半桥预驱动器 |
2023-07-18 |
|
 |
NCV78723MW2R2G |
高效率, 双降压LED驱动器 |
2023-06-28 |
|
 |
NTH4L025N065SC1 |
碳化硅 (SiC) MOSFET |
2023-06-28 |
|
 |
NTH4L028N170M1 |
碳化硅 (SiC) MOSFET |
2023-06-28 |
|
 |
NTHL025N065SC1 |
650V，28.5mΩ，99A，N沟道碳化硅MOSFET |
2023-06-28 |
|
|
NCV21871SN2T1G |
零漂移运算放大器 |
2023-06-28 |
|
 |
LP2950CZ-3.3G |
100mA，低功耗低压差稳压器 |
2023-05-24 |
|
 |
NCV7383DB0R2G |
10Mb/s,单通道FlexRay收发器 |
2023-05-24 |
|
 |
FDP032N08 |
75V，235A，3.2mΩ，N通道功率MOSFET |
2023-05-24 |
|
 |
NCV7703CD2R2G |
三重半桥驱动器，用于汽车侧视镜控制 |
2023-05-06 |
|
 |
NLV37WZ04USG |
三重逆变器 |
2023-05-06 |
|
 |
NCP45540IMNTWG-H |
负载开关 |
2023-05-06 |
|
 |
SZMM5Z4V3T1G |
齐纳二极管,4.3V,500mW |
2023-05-06 |
|
 |
NCV8163ASN280T1G |
LDO稳压器，250 mA |
2023-05-06 |
|
 |
FSGM300N |
用于30W离线反激式转换器650V集成电源开关 |
2023-04-20 |
|
 |
FGD3245G2-F085 |
IGBT, 450V, 23A |
2023-04-20 |
|
 |
FFSD0665B-F085 |
碳化硅（SiC）肖特基二极管，6A，650V |
2023-04-20 |
|
|
LP2950CZ-3.3RAG |
100mA低压差稳压器 |
2023-04-20 |
|
|
NTH4L025N065SC1 |
碳化硅 (SiC) MOSFET |
2023-04-20 |
|
|
FDP032N08 |
75V，235A，3.2mΩ，N通道功率MOSFET |
2023-03-21 |
|
 |
FDC6401N |
20V,3A,70mΩ双N沟道Power MOSFET |
2023-03-09 |
|
 |
AR0130CSSM00SPCA0-DPBR |
CMOS图像传感器1.2MP |
2023-03-09 |
|
|
NTZD3154NT5G |
20V,540mA,双N沟道小信号MOSFET |
2023-03-09 |
|
 |
NVMTS1D1N04CTXG |
40V，1.1mΩ，277A，N沟道功率MOSFET |
2023-02-14 |
|
 |
FPF2495CUCX |
负载开关 |
2023-02-14 |
|
 |
MC74LCX244MNTWG |
八路缓冲器，同相，低压，三态 |
2023-02-14 |
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NCV81599MWTXG |
I2C 可配置、4 开关降压升压控制器 |
2023-02-14 |
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NVMFSC1D6N06CL |
60 V，1.5 mΩ，224 A，N沟道功率MOSFET |
2023-02-14 |
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NVMFS5H610NLWFT1G |
60V，10 mΩ，48 A，N沟道功率MOSFET |
2023-02-14 |
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 |
NVMTS001N06CLTXG |
60V，0.81mΩ，N沟道功率MOSFET |
2023-02-14 |
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 |
NRTS3060MFST3G |
30A、60V高性能沟槽肖特基整流器 |
2023-02-14 |
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FPF2595UCX |
负载开关 |
2023-02-14 |
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74ACT04MTCX |
六路反相器 |
2023-02-03 |
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NVH4L080N120SC1 |
1200V，110mΩ，29A，N沟道功率MOSFET |
2023-02-03 |
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NVBG060N090SC1 |
900V，84mΩ，44A，N沟道碳化硅MOSFET |
2023-02-03 |
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FDMS4D0N12C |
120V,114A，4.4mΩ,N通道屏蔽栅极功率MOSFET |
2023-02-03 |
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FPF2286UCX |
具有极低导通电阻的OVP，28 V，4 A |
2022-12-28 |
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NCV8843MNR2G |
具有同步能力的1.5A, 340kHz, 降压稳压器 |
2022-12-06 |
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MC100EP11DR2G |
3.3V/5V，ECL，1:2差分输出缓冲器 |
2022-12-06 |
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MC100EP01DG |
3.3V / 5V ECL 4输入或/或非门 |
2022-12-06 |
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|
NCP380HSN05AAT1G |
固定/可调电流限制配电开关 |
2022-12-06 |
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NCP715SQ25T2G |
50mA,2.5V固定输出,LDO线性稳压器 |
2022-12-06 |
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FAN3224TUMX-F085 |
低侧栅极驱动器，双4A高速驱动器 |
2022-12-06 |
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 |
ES1G |
快速恢复整流器,400V,1A |
2022-12-06 |
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NTMFS5C410NT1G |
40V，300A，0.92mΩ，单N沟道功率MOSFET |
2022-12-06 |
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|
NVH4L045N065SC1 |
650V，50mΩ，55A，N沟道碳化硅MOSFET |
2022-11-16 |
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NRVFES6J |
超快整流器 |
2022-11-16 |
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1N4745A-T50A |
齐纳二极管 1W 5% |
2022-11-16 |
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MM5Z6V2T5G |
标准容差齐纳二极管稳压器 |
2022-11-16 |
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SBAT54CWT1G |
30V双路共阴肖特基二极管 |
2022-11-16 |
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SZBZX84C15LT3G |
225mW,15V,±5%齐纳稳压管 |
2022-11-16 |
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 |
NCP1680ABD1R2G |
(CrM) 功率因数校正控制器 |
2022-11-16 |
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M74VHC1GT126DF2G |
非反相缓冲器 |
2022-10-18 |
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NTH4L060N065SC1 |
650V,70mΩ,47A,N沟道功率MOSFET |
2022-10-18 |
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AR0237CSSC12SPRA0-DR |
CMOS图像传感器，2.1MP |
2022-09-20 |
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FUSB251UCX |
Type-C CC和SBU保护集成电路 |
2022-09-20 |
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FXMAR2102UMX |
适合I2C应用的双电源2位电压转换器/隔离器 |
2022-09-20 |
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MMBTA06LT3G |
NPN 双极晶体管 |
2022-09-20 |
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SMBT3906DW1T1G |
双 PNP 双极晶体管 |
2022-09-20 |
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SMMBT3904LT3G |
NPN 双极晶体管 |
2022-09-20 |
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SMMBT3906LT3G |
PNP 双极晶体管 |
2022-09-20 |
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FDT86102LZ |
100V，6.6A，28mΩ，N沟道功率MOSFET |
2022-09-20 |
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NTMFD016N06CT1G |
60 V、16.3 mΩ、32 A、N 沟道功率 MOSFET |
2022-09-20 |
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NTMTS6D0N15MC |
150V、135A、6.4mΩ、N沟道功率MOSFET |
2022-09-20 |
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MMBD1504A |
高导通低漏二极管 |
2022-08-29 |
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NCS199A3RSQT2G |
电压输出电流分流监控器，26V |
2022-08-22 |
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SZMMSZ4707T1G |
20V低电流齐纳二极管 |
2022-07-12 |
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NCP303152MNTWG |
具有集成电流监控器的集成驱动器和MOSFET |
2022-06-23 |
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NCP1680ABD1R2G |
(CrM) 功率因数校正控制器 |
2022-06-23 |
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 |
NCP164AMT120TAG |
LDO稳压器，300mA |
2022-01-07 |
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BZX79C3V9-T50A |
齐纳二极管，0.5W 5% |
2021-08-23 |
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AR0144CSSC20SUKA0-CPBR |
CMOS图像传感器，数字，全局快门，1MP |
2021-08-02 |
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NTBS9D0N10MC |
100V，9mΩ，60A，N沟道功率MOSFET |
2021-08-02 |
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FCPF650N80Z |
800V，650mΩ，10A，N沟道功率MOSFET |
2021-08-02 |
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NV25640DWHFT3G |
EEPROM串行64Kb SPI-汽车级0 |
2021-06-07 |
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BC858CMTF |
310mW,PNP外延硅晶体管 |
2020-05-28 |
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 |
ESD7351XV2T1G |
3.3V,150mW,ESD保护二极管 |
2020-05-28 |
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1N4740ATR |
齐纳二极管，10V 1W 5% |
2020-05-28 |
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CAT24C512HU5IGT3 |
512K,I2C串行存储器 |
2020-05-21 |
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CAV24C32YE-GT3 |
32Kb,I2C CMOS串行EEPROM |
2020-05-21 |
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CAV93C76VE-GT3 |
汽车级8Kb微线串行EEPROM |
2020-05-21 |
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 |
MC100EP52DR2G |
ECL,差分D触发器 |
2020-01-07 |
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MMBT100 |
NPN通用放大器 |
2020-01-07 |
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NTSAF545T3G |
沟槽肖特基整流器，低正向电压，45V，5A |
2020-01-07 |
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 |
NRVHP820MFDT1G |
200V，超快恢复双模整流器 |
2019-12-26 |
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FDMS3D5N08LC |
80V，136A，3.5mΩ，单N通道功率MOSFET |
2019-12-10 |
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FDPF4D5N10C |
100V， 128A，4.5mΩ，N通道PowerMOSFET |
2019-12-10 |
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FDPF8D5N10C |
100V，76A，8.5mΩ，N沟道屏蔽栅极功率MOSFET |
2019-12-10 |
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NTB110N65S3HF |
650V，30A，110mΩ，N沟道SUPERFET III MOSFET |
2019-12-10 |
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NTTFS5C453NLTWG |
40V，107A，3mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
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SZ1SMA5936BT3G |
30V，1.5W齐纳稳压管 |
2019-12-10 |
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SZMM3Z43VT1G |
300mW，43V，±5%齐纳稳压管 |
2019-12-10 |
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FCPF20N60 |
600V，190mΩ，20A，N通道功率MOSFET |
2019-11-01 |
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74LVC06ADR2G |
具有漏极开路输出和5V容差低压六路反向器 |
2019-11-01 |
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NSVF5488SKT3G |
用于低噪声放大器的RF晶体管 |
2019-10-10 |
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SZMMSZ5233BT1G |
500mW，齐纳二极管 |
2019-09-19 |
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NSVBAS20LT3G |
200V开关二极管 |
2019-09-19 |
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ESDU3121MXT5G |
12V单向ESD保护器件 |
2019-09-19 |
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ESD8704MUTAG |
单向高速数据线保护 |
2019-09-19 |
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 |
NSVMMUN2233LT3G |
NPN双极数字晶体管(BRT) |
2019-09-19 |
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SZBZX84B5V6LT1G |
225mW，5.6V，±2%齐纳稳压管 |
2019-09-03 |
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SZMMBZ15VAWT1G |
40W，15V，齐纳保护二极管 |
2019-09-03 |
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SZMMSZ27T1G |
500mW，27V，±5%，齐纳稳压管 |
2019-09-03 |
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SZMMSZ4704T1G |
17V低电流齐纳二极管电压稳压器 |
2019-09-03 |
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 |
FGH75T65SQDNL4 |
650V，75A，隔离门双极晶体管(IGBT)，场截止型 |
2019-08-16 |
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FFSB1065A |
-650V，10A，碳化硅(SIC)肖特基二极管 |
2019-08-16 |
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FFSD0665A |
-650V，6A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
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FQA13N80-F109 |
800V，12.6A，750mΩ，N沟道 QFET MOSFET |
2019-07-22 |
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NTMFS4C024NT1G |
30V，78A，2.8mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
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FCP20N60 |
600V，190mΩ，20A，N通道功率MOSFET |
2019-07-22 |
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FDP4D5N10C |
100V，128A，4.5mΩ，N沟道功率Trench MOSFET |
2019-06-28 |
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 |
FCH125N65S3R0-F155 |
650V，24A，125mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-06-14 |
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 |
FCP260N65S3 |
650V，12A，260mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-06-14 |
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 |
LC823450XDTBG |
低功耗,高分辨率音频处理片上系统(SoC) |
2019-03-28 |
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 |
NCS2252SQ2T2G |
50ns,高速低压,轨到轨,漏极开路比较器 |
2019-03-28 |
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NCP134AMX110TCG |
具有偏置轨和极低压差的LDO稳压器 |
2019-03-28 |
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 |
NCV8605MN18T2G |
1.8V,低压差稳压器带ESD保护 |
2019-03-28 |
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 |
NCV431ASNT1G |
低电压精密可调分流稳压器 |
2019-03-28 |
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 |
FAN7711MX |
镇流器控制集成电路 |
2018-12-27 |
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 |
NB3N2304NZMNR4G |
1:4时钟/数据扇出缓冲器 |
2018-12-14 |
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 |
NCV431BSNT1G |
低电压精密可调分流稳压器 |
2018-11-01 |
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 |
NCP1340B5D1R2G |
具有谷锁定切换功能的高电压准谐振控制器 |
2018-11-01 |
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FFSH20120ADN-F085 |
1200V,20A,碳化硅肖特基二极管 |
2018-11-01 |
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EFC2J013NUZTDG |
12V,17A,5.8mΩ,双N沟道功率MOSFET |
2018-09-21 |
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FOD8314T |
1.0A 输出电流,栅极驱动光耦合器 |
2018-08-23 |
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 |
NSVMUN5314DW1T3G |
互补双极数字晶体管 |
2018-08-23 |
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 |
NVGS4111PT1G |
单P沟道功率MOSFET,-30V,-4.7A |
2018-08-23 |
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NCP135AMT040TBG |
0.5A,0.4V输出低压差稳压器 |
2018-08-23 |
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FFSP1265A |
650V,12A,碳化硅肖特基二极管 |
2018-08-23 |
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 |
NCP114ASN120T1G |
1.2V,300mA,CMOS 低压差稳压器(LDO) |
2018-06-13 |
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SMMBT2369ALT1G |
15V,200mA,NPN双极晶体管 |
2018-06-13 |
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NCP1239BD100R2G |
用于带HV启动的反激式转换器的固定频率电流模式控制器 |
2018-06-13 |
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SZMM3Z13VT1G |
300mW,13V,±5%,齐纳稳压二极管 |
2018-05-10 |
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 |
NB100LVEP221MNRG |
2.5V/3.3V,2:1:20差分,HSTL/ECL/PECL,时钟/数据扇出缓冲器 |
2018-05-04 |
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 |
NSR05F30NXT5G |
30V,0.5A肖特基二极管 |
2018-04-28 |
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 |
NSV1C200MZ4T1G |
100V,2A,PNP型低VCE(sat)晶体管 |
2018-04-28 |
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 |
NCP431BCSNT1G |
基准电压源,低阴极电流,可编程并联稳压器 |
2018-04-28 |
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 |
SZMMSZ5249BT1G |
500mW齐纳二极管 |
2018-04-28 |
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 |
NCV2200SN1T1G |
低电压互补型比较器 |
2018-04-28 |
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 |
NCV303LSN40T1G |
具有可编程延迟N通道输出的电压检测器 |
2018-04-28 |
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 |
NCV8161ASN280T1G |
2.8V输出,450mA超低噪声,高PSRR LDO稳压器 |
2018-03-29 |
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 |
NCV303LSN45T1G |
4.5V电压检测器带可编程延迟 |
2018-03-29 |
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 |
MUN5213DW1T1G |
双偏置电阻晶体管 |
2017-12-15 |
|
 |
MMBT2907AM3T5G |
PNP通用型晶体管 |
2017-12-15 |
|
 |
NB3V1102CMTTBG |
3.3V/2.5V/1.8V,LVCMOS,低斜率扇出缓冲器 |
2017-12-15 |
|
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NTTFS4C02NTAG |
30V,2.25mΩ,170A,单N沟道功率MOSFET |
2017-12-15 |
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 |
NCV2211DR2G |
带差分输出/关断模式的低失真音频功率放大器 |
2017-12-15 |
|
 |
MC10EP016FAG |
3.3V/5V，ECL，8位同步二进制加法计数器 |
2017-11-23 |
|
 |
NCP114ASN150T1G |
1.5V固定输出,300mA,CMOS低压差稳压器 |
2017-11-09 |
|
|
NB7L585MNR4G |
2.5V / 3.3V 差分2:1输入到1:6 LVPECL时钟/数据输出缓冲器/转换器 |
2017-10-19 |
|
|
MC100EP195BFAG |
3.3V ECL，可编程延迟芯片 |
2017-10-10 |
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 |
LM2901EDR2G |
单电源,36V,四通道,比较器 |
2017-09-28 |
|
 |
NLHV4157NDFT2G |
负电压SPDT开关 |
2017-09-28 |
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MC33269DR2-5.0G |
800 mA，输出可调的低压差稳压器 |
2017-09-19 |
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LM358EDR2G |
单电源,双路运算放大器 |
2017-09-05 |
|
 |
SBC856BWT1G |
-66V,-100mA,PNP型通用双极晶体管 |
2017-09-05 |
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 |
NCS2003ASN2T1G |
单路7MHz,高压摆率,轨到轨输出,运算放大器 |
2017-08-17 |
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 |
NCP81234MNTXG |
具有双回路功能,可配置,DrMOS兼容的多相控制器 |
2017-08-17 |
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 |
CAT24C04HU4I-GT3 |
4Kb,I2C串行EEPROM存储器 |
2017-08-11 |
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N24C02UDTG |
2Kb I2C CMOS串行EEPROM |
2017-07-26 |
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NCS20032DTBR2G |
低电压,轨到轨输出,高压摆率,运算放大器 |
2017-07-26 |
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NCV8160AMX180TBG |
用于射频和模拟电路的1.8V固定输出,250mA,低压差稳压器 |
2017-06-02 |
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NCV8161AMX180TBG |
用于射频和模拟电路的1.8V固定输出,450mA,低压差稳压器 |
2017-06-02 |
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 |
NCV8161AMX280TBG |
用于射频和模拟电路的2.8V固定输出,450mA,低压差稳压器 |
2017-06-02 |
|