| 产品图片 |
产品型号 |
描述 |
发布时间 |
购买 |
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NTH4L040N120SC1 |
1200V，56mΩ，58A，N沟道碳化硅MOSFET |
2023-09-06 |
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MMBD4148CC |
小信号二极管，100V，0.2A |
2023-09-06 |
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NVBG015N065SC1 |
650V、12mΩ、145A、N 沟道功率 MOSFET |
2023-09-06 |
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NTBG014N120M3P |
1200V，N沟道碳化硅MOSFET |
2023-09-06 |
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NRVBS360BNT3G |
肖特基功率整流器，60 V 4A |
2023-09-06 |
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NCD57001DWR2G |
隔离高电流IGBT栅极驱动器 |
2023-09-06 |
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NTMFS6H836NT1G |
80V，80A，6.7mΩ，单N沟道功率MOSFET |
2023-09-06 |
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NSVDTC114YM3T5G |
NPN 双极数字晶体管 (BRT) |
2023-09-06 |
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NCV8412ADDR2G |
具有浪涌电流管理功能的自保护低侧驱动器 |
2023-09-06 |
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NCV2931ADT5.0RKG |
100mA，可调输出，带有60V负载保护的低压差稳压器 |
2023-07-18 |
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MC10EP451FAG |
5V,ECL,8位移位寄存器 |
2023-07-18 |
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2N4401TA |
40V,0.6A,625mW,NPN双极型晶体管 |
2023-07-18 |
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NCV7535DBR2G |
SPI控制的H桥和双半桥预驱动器 |
2023-07-18 |
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BSS138W |
50V，210mA，3.5Ω，N沟道功率MOSFET |
2023-07-18 |
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1N4733A |
齐纳二极管 1W 5% |
2023-07-18 |
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NRVBAF260T3G |
60V，2A低VF肖特基整流器 |
2023-07-18 |
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NC7ST08P5X-L22057 |
TinyLogic HST 2 输入 AND 门极 |
2023-07-18 |
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NLV14515BDWR2G |
4 位透明锁存/4-16 线路解码器 |
2023-07-18 |
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FDB86102LZ |
100V,24mΩ,30A,N沟道功率MOSFET |
2023-06-28 |
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NV24C08DWVLT3G |
EEPROM串行8Kb I2C-汽车级 |
2023-06-28 |
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CAT4109V-GT2 |
带有独立PWM调光的3通道恒流RGB LED驱动器 |
2023-06-28 |
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NCV78723MW2R2G |
高效率, 双降压LED驱动器 |
2023-06-28 |
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NTH4L025N065SC1 |
碳化硅 (SiC) MOSFET |
2023-06-28 |
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NTH4L028N170M1 |
碳化硅 (SiC) MOSFET |
2023-06-28 |
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NTHL025N065SC1 |
650V，28.5mΩ，99A，N沟道碳化硅MOSFET |
2023-06-28 |
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NCV21871SN2T1G |
零漂移运算放大器 |
2023-06-28 |
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LP2950CZ-3.3G |
100mA，低功耗低压差稳压器 |
2023-05-24 |
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NCS36000DRG |
被动红外探测(PIR)控制器 |
2023-05-24 |
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NCV7383DB0R2G |
10Mb/s,单通道FlexRay收发器 |
2023-05-24 |
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FDP032N08 |
75V，235A，3.2mΩ，N通道功率MOSFET |
2023-05-24 |
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SESD7L5.0DT5G |
ESD 保护二极管 |
2023-05-24 |
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NCV7703CD2R2G |
三重半桥驱动器，用于汽车侧视镜控制 |
2023-05-06 |
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NLV37WZ04USG |
三重逆变器 |
2023-05-06 |
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NCP45540IMNTWG-H |
负载开关 |
2023-05-06 |
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NCV8705MW33TCG |
LDO 稳压器，500 mA |
2023-05-06 |
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PN2907ATFR |
通用晶体管PNP硅 |
2023-05-06 |
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FDMC2523P |
1.5Ω，-150V，-3A，P沟道功率QFET MOSFET |
2023-05-06 |
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FPF1504UCX |
先进负载管理开关 |
2023-05-06 |
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SZMM5Z4V3T1G |
齐纳二极管,4.3V,500mW |
2023-05-06 |
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PN2907ATFR |
通用晶体管PNP硅 |
2023-05-06 |
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SZMM5Z13VT1G |
齐纳二极管 |
2023-05-06 |
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NCV8163ASN280T1G |
LDO稳压器，250 mA |
2023-05-06 |
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NSVR1020MW2T1G |
20V，1A低VF肖特基二极管 |
2023-05-06 |
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FSGM300N |
用于30W离线反激式转换器650V集成电源开关 |
2023-04-20 |
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SHN1B01FDW1T1G |
NPN PNP双极晶体管 |
2023-04-20 |
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MOC3052SR2VM |
Triac驱动器光电耦合器，6引脚DIP随机相位 |
2023-04-20 |
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FGD3245G2-F085 |
IGBT, 450V, 23A |
2023-04-20 |
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FFSD0665B-F085 |
碳化硅（SiC）肖特基二极管，6A，650V |
2023-04-20 |
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NRVBS4201T3G |
200V,4A,表贴式柔性快恢复肖特基功率整流器 |
2023-04-20 |
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DAN222G |
共阴极硅双开关二极管 |
2023-04-20 |
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LP2950CZ-3.3RAG |
100mA低压差稳压器 |
2023-04-20 |
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NTH4L160N120SC1 |
1200V， 224mΩ,17.3A，N沟道碳化硅MOSFET |
2023-04-20 |
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MMBTA05LT3G |
NPN 双极晶体管 |
2023-04-20 |
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NCV8715SQ50T2G |
50mA低压差稳压器,低Iq |
2023-04-20 |
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NTH4L025N065SC1 |
碳化硅 (SiC) MOSFET |
2023-04-20 |
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NRVHP8H200MFDT3G |
开关电源整流器 |
2023-04-20 |
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NCP45540IMNTWG-H |
负载开关 |
2023-04-20 |
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NCV8705MW33TCG |
LDO 稳压器，500 mA |
2023-04-20 |
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FDP032N08B-F102 |
80V，3.3mΩ，211A，N沟道功率MOSFET |
2023-03-21 |
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NL7WB66USG |
超小单刀单掷模拟开关 |
2023-03-21 |
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MMBTA05LT3G |
NPN 双极晶体管 |
2023-03-21 |
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FDP032N08 |
75V，235A，3.2mΩ，N通道功率MOSFET |
2023-03-21 |
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FDG6317NZ |
20V,0.7A,400mΩ,双N沟道功率Trench MOSFET |
2023-03-21 |
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NTHL045N065SC1 |
650V，66A，50mΩ，N沟道碳化硅MOSFET |
2023-03-09 |
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NTHL025N065SC1 |
650V，28.5mΩ，99A，N沟道碳化硅MOSFET |
2023-03-09 |
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MC74LVX4245DTR2G |
双电源8转换收发器（3态输出） |
2023-03-09 |
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NLAS3158MNR2G |
低压双单刀双掷模拟开关/双2:1多路复用器 |
2023-03-09 |
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BZX84C20LT1G |
225mW SOT-23表面安装齐纳稳压管 |
2023-03-09 |
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FDC6401N |
20V,3A,70mΩ双N沟道Power MOSFET |
2023-03-09 |
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AR0130CSSM00SPCA0-DPBR |
CMOS图像传感器1.2MP |
2023-03-09 |
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NTZD3154NT5G |
20V,540mA,双N沟道小信号MOSFET |
2023-03-09 |
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FDC637BNZ |
20V，24mΩ，6.2A，N沟道功率MOSFET |
2023-03-09 |
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NVMTS1D1N04CTXG |
40V，1.1mΩ，277A，N沟道功率MOSFET |
2023-02-14 |
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SBCP53-10T1G |
PNP双极晶体管 |
2023-02-14 |
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1N5243BTR |
齐纳二极管,500mW ±5% |
2023-02-14 |
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FJT44TF |
NPN 外延硅晶体管 |
2023-02-14 |
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NCV8730BMTW330TBG |
LDO稳压器,150mA,38V |
2023-02-14 |
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NTH4L015N065SC1 |
N沟道碳化硅MOSFET,650V,142A |
2023-02-14 |
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FPF2495CUCX |
负载开关 |
2023-02-14 |
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MC74HCT241ADWR2G |
八路3态非反相缓冲器 |
2023-02-14 |
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MC74LCX244MNTWG |
八路缓冲器，同相，低压，三态 |
2023-02-14 |
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NB3U23CMNTAG |
1.2V双通道CMOS缓冲器/转换器 |
2023-02-14 |
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74LCX162373MTDX |
锁存器 |
2023-02-14 |
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74ACT00MTCX |
四路 2 输入 NAND 门极 |
2023-02-14 |
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NCV8163AMX120TBG |
线性稳压器 - 正 固定 1 输出 |
2023-02-14 |
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NCV81599MWTXG |
I2C 可配置、4 开关降压升压控制器 |
2023-02-14 |
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NVMFSC1D6N06CL |
60 V，1.5 mΩ，224 A，N沟道功率MOSFET |
2023-02-14 |
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NVMFS5H610NLWFT1G |
60V，10 mΩ，48 A，N沟道功率MOSFET |
2023-02-14 |
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NTMFS5C410NLT3G |
40V，330A，0.82mΩ，N沟道功率MOSFET |
2023-02-14 |
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NVMTS001N06CLTXG |
60V，0.81mΩ，N沟道功率MOSFET |
2023-02-14 |
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NVH4L160N120SC1 |
1200 V,17.3A,,N沟道功率 MOSFET |
2023-02-14 |
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NLV17SZ32DFT2G |
单 2 输入 OR 门极 |
2023-02-14 |
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NRTS3060MFST3G |
30A、60V高性能沟槽肖特基整流器 |
2023-02-14 |
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NVMTS1D1N04CTXG |
40V，1.1mΩ，277A，N沟道功率MOSFET |
2023-02-14 |
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1N5243BTR |
齐纳二极管,500mW ±5% |
2023-02-14 |
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FDMS7670 |
30V,3.8mΩ,21A,N沟道功率 MOSFET |
2023-02-14 |
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NSVDTC123EM3T5G |
数字晶体管 (BRT) |
2023-02-14 |
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FPF2595UCX |
负载开关 |
2023-02-14 |
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NSVBAT54M3T5G |
肖特基势垒二极管 |
2023-02-14 |
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FDC637BNZ |
20V，24mΩ，6.2A，N沟道功率MOSFET |
2023-02-14 |
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FPF2495CUCX |
负载开关 |
2023-02-14 |
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NCV59748MWADJTBG |
1.5A,具有偏置导轨的超低压差稳压器 |
2023-02-14 |
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NCV81599MWTXG |
I2C 可配置、4 开关降压升压控制器 |
2023-02-14 |
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74ACT04MTCX |
六路反相器 |
2023-02-03 |
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NSV40501UW3T2G |
NPN低VCE（sat）晶体管，40V，5A |
2023-02-03 |
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NVH4L080N120SC1 |
1200V，110mΩ，29A，N沟道功率MOSFET |
2023-02-03 |
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SZMMSZ43T1G |
齐纳二极管稳压器，43V，500mW，5% |
2023-02-03 |
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FUSB303TMX |
具有I2C和GPIO的自主USB Type-C端口控制器 |
2023-02-03 |
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NVBG060N090SC1 |
900V，84mΩ，44A，N沟道碳化硅MOSFET |
2023-02-03 |
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FDMS4D0N12C |
120V,114A，4.4mΩ,N通道屏蔽栅极功率MOSFET |
2023-02-03 |
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FPF2286UCX |
具有极低导通电阻的OVP，28 V，4 A |
2022-12-28 |
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FDMS015N04B |
40V,100A,1.5mΩ,N沟道功率MOSFET |
2022-12-28 |
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NSV40501UW3T2G |
NPN低VCE（sat）晶体管，40V，5A |
2022-12-28 |
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NTMFS015N10MCLT1G |
100V，12.2mΩ，54A，单N沟道功率MOSFET |
2022-12-28 |
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NVMFS5C468NT1G |
40V,12mΩ,35A,N 沟道功率 MOSFET |
2022-12-28 |
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NCV8843MNR2G |
具有同步能力的1.5A, 340kHz, 降压稳压器 |
2022-12-06 |
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MC100EP11DR2G |
3.3V/5V，ECL，1:2差分输出缓冲器 |
2022-12-06 |
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MC100EP01DG |
3.3V / 5V ECL 4输入或/或非门 |
2022-12-06 |
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DTC143EET1G |
偏置电阻晶体管 |
2022-12-06 |
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NCV8184DTRKG |
微功耗70mA低压差跟踪稳压器/线驱动器 |
2022-12-06 |
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NCP380HSN05AAT1G |
固定/可调电流限制配电开关 |
2022-12-06 |
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1N5375BRLG |
82V齐纳电压，5W，硅齐纳稳压二极管 |
2022-12-06 |
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EMI9408MUTAG |
带ESD保护的用于液晶LCD和摄像机的EMI阵列 |
2022-12-06 |
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NCP715SQ25T2G |
50mA,2.5V固定输出,LDO线性稳压器 |
2022-12-06 |
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FAN3224TUMX-F085 |
低侧栅极驱动器，双4A高速驱动器 |
2022-12-06 |
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MMBD4148CA |
高电导超快二极管 |
2022-12-06 |
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FL7760AM6X |
模拟/PWM可调光60V输入降压控制器，用于LED照明 |
2022-12-06 |
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ES1G |
快速恢复整流器,400V,1A |
2022-12-06 |
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NTMFS5C410NT1G |
40V，300A，0.92mΩ，单N沟道功率MOSFET |
2022-12-06 |
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NCP81599MNTXG |
4开关降压升压控制器 |
2022-12-06 |
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NLV37WZ04USG |
三重逆变器 |
2022-12-06 |
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NDSH20120C |
碳化硅肖特基二极管，1200V，20A |
2022-12-06 |
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NVH4L045N065SC1 |
650V，50mΩ，55A，N沟道碳化硅MOSFET |
2022-11-16 |
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NRVFES6J |
超快整流器 |
2022-11-16 |
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1N4745A-T50A |
齐纳二极管 1W 5% |
2022-11-16 |
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MM5Z6V2T5G |
标准容差齐纳二极管稳压器 |
2022-11-16 |
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SZESD9901MX2WT5G |
ESD保护二极管 |
2022-11-16 |
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NRVB0530T1G |
30V,0.5A,表贴式肖特基功率整流器 |
2022-11-16 |
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SBAT54CWT1G |
30V双路共阴肖特基二极管 |
2022-11-16 |
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SZBZX84C15LT3G |
225mW,15V,±5%齐纳稳压管 |
2022-11-16 |
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NCP1680ABD1R2G |
(CrM) 功率因数校正控制器 |
2022-11-16 |
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NCP81611MNTXG |
4/3/2/1多相降压控制器 |
2022-11-16 |
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SMBT3906DW1T1G |
双 PNP 双极晶体管 |
2022-11-16 |
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SMMBT3904LT3G |
NPN 双极晶体管 |
2022-11-16 |
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SMMBT3906LT3G |
PNP 双极晶体管 |
2022-11-16 |
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NTMFS0D7N03CGT1G |
30V，0.65mΩ，409A N沟道功率MOSFET |
2022-11-16 |
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NTH4L075N065SC1 |
碳化硅 (SiC) MOSFET |
2022-11-16 |
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NVHL160N120SC1 |
1200V，N沟道碳化硅MOSFET |
2022-11-16 |
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SBAT54CWT1G |
30V双路共阴肖特基二极管 |
2022-11-16 |
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SZBZX84C15LT3G |
225mW,15V,±5%齐纳稳压管 |
2022-11-16 |
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M74VHC1GT126DF2G |
非反相缓冲器 |
2022-10-18 |
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NTH4L060N065SC1 |
650V,70mΩ,47A,N沟道功率MOSFET |
2022-10-18 |
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FPF2595UCX |
负载开关 |
2022-10-18 |
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AR0237CSSC12SPRA0-DR |
CMOS图像传感器，2.1MP |
2022-09-20 |
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FUSB251UCX |
Type-C CC和SBU保护集成电路 |
2022-09-20 |
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FXMAR2102UMX |
适合I2C应用的双电源2位电压转换器/隔离器 |
2022-09-20 |
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MMBTA06LT3G |
NPN 双极晶体管 |
2022-09-20 |
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SMBT3906DW1T1G |
双 PNP 双极晶体管 |
2022-09-20 |
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SMMBT3904LT3G |
NPN 双极晶体管 |
2022-09-20 |
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SMMBT3906LT3G |
PNP 双极晶体管 |
2022-09-20 |
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FDT86102LZ |
100V，6.6A，28mΩ，N沟道功率MOSFET |
2022-09-20 |
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NTMFD016N06CT1G |
60 V、16.3 mΩ、32 A、N 沟道功率 MOSFET |
2022-09-20 |
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NTMTS6D0N15MC |
150V、135A、6.4mΩ、N沟道功率MOSFET |
2022-09-20 |
|
 |
MMBD1504A |
高导通低漏二极管 |
2022-08-29 |
|
 |
NCS199A3RSQT2G |
电压输出电流分流监控器，26V |
2022-08-22 |
|
 |
SZMMSZ4707T1G |
20V低电流齐纳二极管 |
2022-07-12 |
|
 |
FOD817BS |
4引脚DIP光电晶体管光电耦合器 |
2022-07-12 |
|
 |
NCP303152MNTWG |
具有集成电流监控器的集成驱动器和MOSFET |
2022-06-23 |
|
|
NCP1680ABD1R2G |
(CrM) 功率因数校正控制器 |
2022-06-23 |
|
 |
FDMS86250 |
150V,25mΩ,30A,N沟道功率MOSFET |
2022-05-09 |
|
 |
NLSX4302EBMUTCG |
两位，双电源电平转换器 |
2022-05-09 |
|
 |
NCP164AMT120TAG |
LDO稳压器，300mA |
2022-01-07 |
|
 |
NLAS4717MR2G |
4.5Ω高带宽，双SPDT模拟开关 |
2022-01-07 |
|
|
M74VHC1GT32DTT1G |
2输入或门/CMOS逻辑电平移位器 |
2022-01-07 |
|
 |
NZQA5V6XV5T1G |
用于进行ESD保护的四TVS阵列 |
2021-10-18 |
|
 |
CAT24C08C4ATR |
8Kb I2C串行EEPROM存储器 |
2021-09-28 |
|
 |
ESD8006MUTAG |
低电容ESD保护二极管阵列 |
2021-09-28 |
|
 |
AR0330CM1C21SHKA0-CP |
CMOS图像传感器 |
2021-09-28 |
|
 |
BZX79C3V9-T50A |
齐纳二极管，0.5W 5% |
2021-08-23 |
|
 |
FCPF1300N80Z |
800V，6A，1.3Ω，N沟道功率MOSFET |
2021-08-02 |
|
 |
AR0144CSSC20SUKA0-CPBR |
CMOS图像传感器，数字，全局快门，1MP |
2021-08-02 |
|
 |
NTBS9D0N10MC |
100V，9mΩ，60A，N沟道功率MOSFET |
2021-08-02 |
|
 |
NCP1342ANDAAD1R2G |
准谐反激式振控制器 |
2021-08-02 |
|
 |
FCPF650N80Z |
800V，650mΩ，10A，N沟道功率MOSFET |
2021-08-02 |
|
 |
NV25640DWHFT3G |
EEPROM串行64Kb SPI-汽车级0 |
2021-06-07 |
|
 |
NCV8164AML300TCG |
LDO稳压器，300mA，超低噪声，高PSRR |
2021-06-07 |
|
 |
NCV8164AML150TCG |
LDO稳压器，300mA |
2021-06-07 |
|
 |
NLV17SZU04DFT2G |
单无缓冲反相器 |
2021-05-13 |
|
 |
TIP30CG |
互补型硅塑料功率晶体管 |
2021-05-13 |
|
 |
FAN53526UC89X |
3A，2.4MHz，数字可编程TinyBuck稳压器 |
2021-05-13 |
|
|
NCV8164AML150TCG |
LDO稳压器，300mA |
2021-05-13 |
|
 |
FDBL9403-F085T6 |
40V，0.95mΩ，300A，N沟道功率MOSFET |
2021-05-13 |
|
 |
NCV8164AML120TCG |
LDO稳压器，300mA，1.2V,超低噪声 |
2021-04-22 |
|
 |
NCV8164AML180TCG |
LDO稳压器，300mA，1.8V,超低噪声 |
2021-04-22 |
|
 |
NTPF360N80S3Z |
800V，360mΩ，13A，N沟道功率MOSFET |
2021-03-12 |
|
 |
NCV8164AMLADJTCG |
LDO稳压器，300mA |
2021-03-12 |
|
 |
NCP164AMT180TAG |
LDO稳压器，300mA |
2021-03-12 |
|
 |
NCV8164AML280TCG |
LDO稳压器，300mA，2.8V,超低噪声 |
2021-03-12 |
|
 |
MC74LCX240DTR2G |
低压CMOS八缓冲器 |
2021-03-05 |
|
 |
NCP164AMTADJTAG |
LDO稳压器,300mA |
2021-03-05 |
|
|
NCP164AMT120TAG |
LDO稳压器，300mA |
2021-03-05 |
|
 |
NCP711BMT500TBG |
LDO稳压器，100mA，18V |
2021-02-19 |
|
 |
NCV8711ASN300T1G |
LDO稳压器，100mA，18V |
2021-02-19 |
|
 |
NCP164AMT280TAG |
LDO稳压器,300mA |
2021-02-19 |
|
 |
NCV8711ASN330T1G |
LDO稳压器，100mA，18V，PG |
2021-01-29 |
|
 |
NCP711ASNADJT1G |
LDO稳压器，100 mA，18V |
2021-01-29 |
|
 |
NCP711ASN300T1G |
LDO稳压器，100mA，18V，PG |
2021-01-29 |
|
|
NCP711BMT500TBG |
LDO稳压器，100mA，18V |
2021-01-29 |
|
 |
NCP711BMT330TBG |
LDO稳压器，100mA，18V |
2021-01-29 |
|
 |
NCP711BMT300TBG |
LDO稳压器，100mA，18V，1uA IQ，带PG |
2021-01-21 |
|
|
NCV8711ASN300T1G |
LDO稳压器，100mA，18V |
2021-01-21 |
|
|
NCP164AMT280TAG |
LDO稳压器,300mA |
2021-01-21 |
|
|
NCV8164AML280TCG |
LDO稳压器，300mA，2.8V,超低噪声 |
2021-01-21 |
|
|
NCV8164AML120TCG |
LDO稳压器，300mA，1.2V,超低噪声 |
2021-01-21 |
|
|
NCV8164AML180TCG |
LDO稳压器，300mA，1.8V,超低噪声 |
2021-01-21 |
|
|
NCV8164AML300TCG |
LDO稳压器，300mA，超低噪声，高PSRR |
2021-01-21 |
|
|
NCP711BMT300TBG |
LDO稳压器，100mA，18V，1uA IQ，带PG |
2021-01-21 |
|
 |
NCP711BMTADJTBG |
LDO稳压器，100mA，18V,带PG |
2021-01-21 |
|
 |
NCP1063AP100G |
用于离线SMPS的高压开关,100kHz |
2021-01-13 |
|
 |
NCP711ASN330T1G |
LDO稳压器，100 mA，18 V |
2021-01-13 |
|
 |
NCP711ASN500T1G |
LDO稳压器，100mA，18V |
2021-01-13 |
|
 |
FSBB15CH60C |
600V,15A,Motion SPM®3系列智能功率模块 |
2020-12-28 |
|
 |
FCB125N65S3 |
650V，125mΩ，24A，N沟道功率MOSFET |
2020-12-28 |
|
 |
NCV8711ASN500T1G |
LDO稳压器，100mA，18V，1uA IQ，带PG |
2020-12-17 |
|
 |
NTBG160N120SC1 |
1200V，160mΩ，19.5A，N沟道碳化硅MOSFET |
2020-12-17 |
|
 |
NTP360N80S3Z |
800V，360mΩ，13A，N沟道功率MOSFET |
2020-12-02 |
|
|
FCB125N65S3 |
650V，125mΩ，24A，N沟道功率MOSFET |
2020-12-02 |
|
 |
NTDS015N15MCT4G |
150V，15mΩ，50A，N沟道功率MOSFET |
2020-11-25 |
|
 |
NVBG080N120SC1 |
1200V，80mΩ，300A，N沟道碳化硅MOSFET |
2020-11-25 |
|
|
NTPF360N80S3Z |
800V，360mΩ，13A，N沟道功率MOSFET |
2020-11-11 |
|
 |
NVMFS3D6N10MCLT1G |
100V，3.6mΩ，132A，N沟道功率MOSFET |
2020-11-11 |
|
 |
NTMFS011N15MC |
150V，11.5mΩ，35A单N沟道功率MOSFET |
2020-11-11 |
|
 |
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR |
CMOS图像传感器，数字，全局快门，1MP，RGB |
2020-10-22 |
|
 |
NTMFS3D6N10MCLT1G |
100V，3.6mΩ，131A，N沟道功率MOSFET |
2020-10-22 |
|
 |
NTD360N80S3Z |
800V，360mΩ，13A，N沟道功率MOSFET |
2020-10-22 |
|
|
NTMFS015N10MCLT1G |
100V，12.2mΩ，54A，单N沟道功率MOSFET |
2020-10-22 |
|
 |
NVMFS015N10MCLT1G |
100V，12.2mΩ，47.1A单N沟道功率MOSFET |
2020-10-14 |
|
 |
NVHL050N65S3HF |
650V，50mΩ，58A，N沟道功率MOSFET |
2020-10-14 |
|
 |
NVBLS4D0N15MC |
150V，4.4mΩ，187A，单N沟道功率MOSFET |
2020-10-14 |
|
 |
NVTFS6H860NLTAG |
80V，20mΩ，30A，单N沟道功率MOSFET |
2020-10-14 |
|
 |
NTMFS015N15MC |
150V，14mΩ，61A，单N沟道功率MOSFET |
2020-10-14 |
|
 |
NTP5D0N15MC |
150V，5mΩ，139A，N沟道功率MOSFET |
2020-09-14 |
|
 |
NCV8711ASNADJT1G |
LDO调节器，100mA，18V，带有PG ADJ |
2020-08-31 |
|
 |
NCL30486A2DR2G |
智能调光CC/CV PSR控制器线路OVP，1%调光 |
2020-08-31 |
|
 |
NTBG080N120SC1 |
1200V，110mΩ，30A，N沟道碳化硅MOSFET |
2020-08-31 |
|
 |
NTBLS4D0N15MC |
150V，4.4mΩ，187A，N沟道功率MOSFET |
2020-08-31 |
|
|
NTBS9D0N10MC |
100V，9mΩ，60A，N沟道功率MOSFET |
2020-08-31 |
|
 |
FDMA905P |
单P沟道功率MOSFET -12V，-10A，16mΩ |
2020-08-17 |
|
 |
NVMFS6H818NLT1G |
80V，3.2mΩ，135A，单N沟道功率MOSFET |
2020-08-17 |
|
 |
NVMFS6H864NLT1G |
80V，29mΩ，22A，单N沟道功率MOSFET |
2020-08-17 |
|
 |
NVMFD6H846NLT1G |
80V，15mΩ，31A，双N沟道功率MOSFET |
2020-08-17 |
|
|
NTP360N80S3Z |
800V，360mΩ，13A，N沟道功率MOSFET |
2020-08-17 |
|
 |
NTTFS1D8N02P1E |
25V，1.3mΩ，150A，单N沟道功率MOSFET |
2020-08-17 |
|
 |
NCN5130ASGEVB |
NCN5130 KNX Arduino屏蔽兼容评估板 |
2020-08-10 |
|
 |
NVBG160N120SC1 |
1200V，160mΩ，19.5A，N沟道碳化硅MOSFET |
2020-08-10 |
|
 |
S100 |
1A肖特基势垒整流器 |
2020-07-17 |
|
 |
J175-D26Z |
P通道开关 |
2020-07-17 |
|
 |
BC858CMTF |
310mW,PNP外延硅晶体管 |
2020-05-28 |
|
 |
ESD7351XV2T1G |
3.3V,150mW,ESD保护二极管 |
2020-05-28 |
|
 |
1N4740ATR |
齐纳二极管，10V 1W 5% |
2020-05-28 |
|
 |
NLV74HC164ADTR2G |
8位串入并出移位寄存器 |
2020-05-21 |
|
 |
NLV9306USG |
双向I2C总线和SMBus电压电平转换器 |
2020-05-21 |
|
 |
CAT24C512HU5IGT3 |
512K,I2C串行存储器 |
2020-05-21 |
|
 |
CAV24C32YE-GT3 |
32Kb,I2C CMOS串行EEPROM |
2020-05-21 |
|
 |
CAV93C76VE-GT3 |
汽车级8Kb微线串行EEPROM |
2020-05-21 |
|
 |
NLV74HC14ADTR2G |
施密特触发入六角反相器 |
2020-01-07 |
|
 |
NLV74HCT14ADR2G |
六角反相器 |
2020-01-07 |
|
 |
NLVHCT244ADTR2G |
八路3态非反相缓冲器 |
2020-01-07 |
|
 |
MC100EP52DR2G |
ECL,差分D触发器 |
2020-01-07 |
|
 |
MMBT100 |
NPN通用放大器 |
2020-01-07 |
|
 |
NTSAF545T3G |
沟槽肖特基整流器，低正向电压，45V，5A |
2020-01-07 |
|
 |
NRVHP820MFDT1G |
200V，超快恢复双模整流器 |
2019-12-26 |
|
 |
NRVHPRS1GFA |
0.8A，400V，表面贴装快速恢复二极管 |
2019-12-26 |
|
 |
FFSD0465A |
650V，4A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-12-26 |
|
 |
FFSM0865A |
650V，8A，碳化硅二极管 |
2019-12-26 |
|
 |
FFSPF0865A |
650V，8A，碳化硅(SiC)肖特基二极管 |
2019-12-26 |
|
 |
FFSPF1065A |
650V，10A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-12-26 |
|
 |
FDMS3D5N08LC |
80V，136A，3.5mΩ，单N通道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
FDPF4D5N10C |
100V， 128A，4.5mΩ，N通道PowerMOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
FDPF8D5N10C |
100V，76A，8.5mΩ，N沟道屏蔽栅极功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
FDU5N60NZTU |
600V，4A，2Ω，N通道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NTB110N65S3HF |
650V，30A，110mΩ，N沟道SUPERFET III MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NTTFS5C453NLTWG |
40V，107A，3mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
SZ1SMA5936BT3G |
30V，1.5W齐纳稳压管 |
2019-12-10 |
|
 |
SZMM3Z43VT1G |
300mW，43V，±5%齐纳稳压管 |
2019-12-10 |
|
 |
AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1 |
CMOS图像传感器 |
2019-11-21 |
|
 |
FCPF20N60 |
600V，190mΩ，20A，N通道功率MOSFET |
2019-11-01 |
|
 |
MB10S |
0.5A,整流桥 |
2019-11-01 |
|
 |
74LVC06ADR2G |
具有漏极开路输出和5V容差低压六路反向器 |
2019-11-01 |
|
 |
NSVF5488SKT3G |
用于低噪声放大器的RF晶体管 |
2019-10-10 |
|
 |
SZMMSZ5233BT1G |
500mW，齐纳二极管 |
2019-09-19 |
|
 |
NRVS3KB |
3A，800V表面贴装整流器 |
2019-09-19 |
|
 |
NSVBAS20LT3G |
200V开关二极管 |
2019-09-19 |
|
 |
SZSM05T1G |
5V，双路共阳二极管TVS带ESD保护 |
2019-09-19 |
|
 |
ESDU3121MXT5G |
12V单向ESD保护器件 |
2019-09-19 |
|
 |
ESD8704MUTAG |
单向高速数据线保护 |
2019-09-19 |
|
 |
NSVMMUN2233LT3G |
NPN双极数字晶体管(BRT) |
2019-09-19 |
|
 |
SZBZX84B5V6LT1G |
225mW，5.6V，±2%齐纳稳压管 |
2019-09-03 |
|
 |
SZMMBZ15VAWT1G |
40W，15V，齐纳保护二极管 |
2019-09-03 |
|
 |
SZMMSZ27T1G |
500mW，27V，±5%，齐纳稳压管 |
2019-09-03 |
|
 |
SZMMSZ4704T1G |
17V低电流齐纳二极管电压稳压器 |
2019-09-03 |
|
 |
FGH75T65SQDNL4 |
650V，75A，隔离门双极晶体管(IGBT)，场截止型 |
2019-08-16 |
|
 |
FFSB1065A |
-650V，10A，碳化硅(SIC)肖特基二极管 |
2019-08-16 |
|
 |
FFSB1265A |
-650V，12A，碳化硅肖特基二极管， |
2019-08-16 |
|
 |
FFSD0665A |
-650V，6A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
|
 |
FFSH15120A |
1200V，15A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
|
 |
FFSH1665A |
-650V，16A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
|
 |
FFSH1665ADN-F155 |
650V，16A，碳化硅肖特基二极管， |
2019-08-16 |
|
 |
FQA13N80-F109 |
800V，12.6A，750mΩ，N沟道 QFET MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
NTMFS4C024NT1G |
30V，78A，2.8mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FCP20N60 |
600V，190mΩ，20A，N通道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FDP4D5N10C |
100V，128A，4.5mΩ，N沟道功率Trench MOSFET |
2019-06-28 |
|
 |
FFSP15120A |
1200V,15A,碳化硅肖特基二极管 |
2019-06-14 |
|
 |
FCH125N65S3R0-F155 |
650V，24A，125mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-06-14 |
|
 |
FCP260N65S3 |
650V，12A，260mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-06-14 |
|
 |
FFSH10120ADN-F155 |
共阴极碳化硅(SiC)肖特基二极管,1200V,10A |
2019-05-16 |
|
 |
LC823450XDTBG |
低功耗,高分辨率音频处理片上系统(SoC) |
2019-03-28 |
|
 |
NCS2252SQ2T2G |
50ns,高速低压,轨到轨,漏极开路比较器 |
2019-03-28 |
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NCP134AMX110TCG |
具有偏置轨和极低压差的LDO稳压器 |
2019-03-28 |
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NCV8605MN18T2G |
1.8V,低压差稳压器带ESD保护 |
2019-03-28 |
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NCV431ASNT1G |
低电压精密可调分流稳压器 |
2019-03-28 |
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KAI-4021-ABA-CD-BA |
4.2MP,CCD图像传感器,单色 |
2019-02-26 |
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FAN7711MX |
镇流器控制集成电路 |
2018-12-27 |
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NB3N2304NZMNR4G |
1:4时钟/数据扇出缓冲器 |
2018-12-14 |
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NCV431BSNT1G |
低电压精密可调分流稳压器 |
2018-11-01 |
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NCP1340B5D1R2G |
具有谷锁定切换功能的高电压准谐振控制器 |
2018-11-01 |
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FFSH20120ADN-F085 |
1200V,20A,碳化硅肖特基二极管 |
2018-11-01 |
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NCP1077BBP100G |
用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 |
2018-10-19 |
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EFC2J013NUZTDG |
12V,17A,5.8mΩ,双N沟道功率MOSFET |
2018-09-21 |
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NRVTSAF345T3G |
45V,3A,沟槽型肖特基功率整流器 |
2018-09-21 |
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FOD8314T |
1.0A 输出电流,栅极驱动光耦合器 |
2018-08-23 |
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SZBZX84C6V2LT1G |
225mW,6.2V,±5%齐纳稳压管 |
2018-08-23 |
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NSVMUN5314DW1T3G |
互补双极数字晶体管 |
2018-08-23 |
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NVGS4111PT1G |
单P沟道功率MOSFET,-30V,-4.7A |
2018-08-23 |
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NCP135AMT040TBG |
0.5A,0.4V输出低压差稳压器 |
2018-08-23 |
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FFSP1265A |
650V,12A,碳化硅肖特基二极管 |
2018-08-23 |
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MC74AC86DR2G |
四2输入异或门 |
2018-08-23 |
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NCP114ASN120T1G |
1.2V,300mA,CMOS 低压差稳压器(LDO) |
2018-06-13 |
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SMMBT2369ALT1G |
15V,200mA,NPN双极晶体管 |
2018-06-13 |
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2SA1593T-TL-E |
-100V,-2A,低VCE(sat),PNP双极型晶体管 |
2018-06-13 |
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CPH6904-TL-E |
25V,20~40mA,40mS N沟道JFET |
2018-06-13 |
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CAV25320YE-GT3 |
32-Kb SPI串行CMOS EEPROM(汽车级) |
2018-06-13 |
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FAN53703UC48X |
1.0A同步降压稳压器 |
2018-06-13 |
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NCP1239BD100R2G |
用于带HV启动的反激式转换器的固定频率电流模式控制器 |
2018-06-13 |
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2SC6097-TL-E |
60V,3A,NPN低VCE(Sat)晶体管,60V,3A |
2018-06-13 |
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SZMM3Z13VT1G |
300mW,13V,±5%,齐纳稳压二极管 |
2018-05-10 |
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UD1006FR-H |
600V,10A,低VF型超快整流器 |
2018-05-10 |
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SZMMSZ30T1G |
500mW,30V,±5%齐纳稳压管 |
2018-05-10 |
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SZMMSZ36T1G |
500mW,36V,±5%齐纳稳压管 |
2018-05-10 |
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NB100LVEP221MNRG |
2.5V/3.3V,2:1:20差分,HSTL/ECL/PECL,时钟/数据扇出缓冲器 |
2018-05-04 |
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NCP303LSN38T1G |
带可编程延迟的电压检测器系列 |
2018-04-28 |
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NSR05F30NXT5G |
30V,0.5A肖特基二极管 |
2018-04-28 |
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NCP1124BP100G |
离线SMPS的高压开关稳压器,100kHz,自动恢复 |
2018-04-28 |
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NSPM1041BMUTBG |
4.8V,125A,ESD保护二极管 |
2018-04-28 |
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NSV1C200MZ4T1G |
100V,2A,PNP型低VCE(sat)晶体管 |
2018-04-28 |
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NCP431BCSNT1G |
基准电压源,低阴极电流,可编程并联稳压器 |
2018-04-28 |
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SZMMSZ5249BT1G |
500mW齐纳二极管 |
2018-04-28 |
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NCV2200SN1T1G |
低电压互补型比较器 |
2018-04-28 |
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NCV303LSN40T1G |
具有可编程延迟N通道输出的电压检测器 |
2018-04-28 |
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NCV8161ASN280T1G |
2.8V输出,450mA超低噪声,高PSRR LDO稳压器 |
2018-03-29 |
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NLV17SZ14DFT2G |
带施密特触发器输入的单路反相器 |
2018-03-29 |
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NCV8161BSN280T1G |
2.8V,450mA,用于射频和模拟电路的超低噪声和高PSRR LDO稳压器 |
2018-03-29 |
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NCV303LSN45T1G |
4.5V电压检测器带可编程延迟 |
2018-03-29 |
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NCP431AVLPG |
基准电压源,低阴极电流,可编程并联稳压器 |
2018-03-21 |
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NL3S22AHMUTAG |
USB 2.0 +音频开关 |
2018-03-21 |
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NLX2G66DMUTCG |
双双向模拟开关数字多路复用器 |
2018-03-21 |
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NCV3066MNTXG |
带ON/OFF功能的高达1.5A，恒流LED开关稳压器 |
2018-03-21 |
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LV8814J-AH |
三相,PWM,全波,BLDC,电机驱动器 |
2018-03-21 |
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NCP431AILPRAG |
基准电压源,低阴极电流,可编程并联稳压器 |
2018-03-21 |
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NCP114ASN280T1G |
2.8V固定输出,300mA,CMOS低压差稳压器 |
2018-02-08 |
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SZMMSZ6V8T1G |
500mW,6.8V,±5%齐纳稳压管 |
2018-02-08 |
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MUN5213DW1T1G |
双偏置电阻晶体管 |
2017-12-15 |
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MMBT2907AM3T5G |
PNP通用型晶体管 |
2017-12-15 |
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NB3V1102CMTTBG |
3.3V/2.5V/1.8V,LVCMOS,低斜率扇出缓冲器 |
2017-12-15 |
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NVLUS4C12NTAG |
30V,9mΩ,10.7A,单N沟道功率MOSFET |
2017-12-15 |
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NTTFS4C02NTAG |
30V,2.25mΩ,170A,单N沟道功率MOSFET |
2017-12-15 |
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NCV2211DR2G |
带差分输出/关断模式的低失真音频功率放大器 |
2017-12-15 |
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NLSX3013BFCT1G |
可配置双电源电平转换器 |
2017-12-01 |
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MC10EP016FAG |
3.3V/5V，ECL，8位同步二进制加法计数器 |
2017-11-23 |
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NCV8720BMTW180TBG |
1.8V固定输出,350mA,带偏置轨和极低压差的的LDO稳压器 |
2017-11-09 |
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NCP114ASN150T1G |
1.5V固定输出,300mA,CMOS低压差稳压器 |
2017-11-09 |
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NCV8720BMTW110TBG |
1.1V固定输出,350mA,带偏置轨和极低压差的LDO稳压器 |
2017-11-09 |
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NB7L585MNR4G |
2.5V / 3.3V 差分2:1输入到1:6 LVPECL时钟/数据输出缓冲器/转换器 |
2017-10-19 |
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MC100EP195BFAG |
3.3V ECL，可编程延迟芯片 |
2017-10-10 |
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NCV551SN25T1G |
150mA CMOS 低静态电流LDO |
2017-10-10 |
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LM2901EDR2G |
单电源,36V,四通道,比较器 |
2017-09-28 |
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NLHV4157NDFT2G |
负电压SPDT开关 |
2017-09-28 |
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NLVVHC1G00DFT2G |
单2输入与非门 |
2017-09-28 |
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NCV8720BMT180TBG |
1.8V固定输出,350mA,极低压差LDO稳压器 |
2017-09-28 |
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NLVVHC1G32DFT2G |
单2输入或门 |
2017-09-28 |
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MC33269DR2-5.0G |
800 mA，输出可调的低压差稳压器 |
2017-09-19 |
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NCV8160AMX300TBG |
3V固定输出,250mA,超低噪声和高电源抑制比LDO稳压器 |
2017-09-05 |
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NCP1361BABAYSNT1G |
低功耗离线恒流PWM电流模式控制器 |
2017-09-05 |
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NCP1361EABAYSNT1G |
低功耗离线恒流PWM电流模式控制器 |
2017-09-05 |
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NSV40200UW6T1G |
-40V,-2A,PNP型,低VCE(sat),晶体管 |
2017-09-05 |
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LM358EDR2G |
单电源,双路运算放大器 |
2017-09-05 |
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LP2951ACDM-3.0RG |
3V固定输出,100mA,低功耗,低压差稳压器 |
2017-09-05 |
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NLVHC1G32DFT2G |
单2输入或门 |
2017-09-05 |
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SBC856BWT1G |
-66V,-100mA,PNP型通用双极晶体管 |
2017-09-05 |
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NSPM5131MUTBG |
13.5V,单向ESD和浪涌保护器件 |
2017-09-05 |
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NLHV4051DTR2G |
8:1,500Ω(Ron),模拟多路复用器/解复用器 |
2017-09-05 |
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15C02CH-TL-E |
15V,1A,低VCE(sat)NPN型双极晶体管 |
2017-09-05 |
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30A02CH-TL-E |
-30V,-0.7A,低VCE(sat)单PNP型双极晶体管 |
2017-08-17 |
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NCS2003ASN2T1G |
单路7MHz,高压摆率,轨到轨输出,运算放大器 |
2017-08-17 |
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NCP81234MNTXG |
具有双回路功能,可配置,DrMOS兼容的多相控制器 |
2017-08-17 |
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30A02MH-TL-H |
-30V,-0.7A,低VCE(sat),单PNP型双极晶体管 |
2017-08-17 |
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MC74VHCT14ADTR2G |
带施密特触发器输入的六反相器 |
2017-08-17 |
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NOIL1SE3000A-GDC |
3百万像素,485FPS,13.3Gb,高速CMOS图像传感器 |
2017-08-17 |
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MUN5113T1G |
50V,100mA,PNP型双极数字晶体管(BRT)(R1=R2=47kΩ) |
2017-08-11 |
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CAT24C04HU4I-GT3 |
4Kb,I2C串行EEPROM存储器 |
2017-08-11 |
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NCP1079BAP065G |
用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 |
2017-07-26 |
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NCP1076AAP065G |
用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 |
2017-07-26 |
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N24C02UDTG |
2Kb I2C CMOS串行EEPROM |
2017-07-26 |
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NCS20032DTBR2G |
低电压,轨到轨输出,高压摆率,运算放大器 |
2017-07-26 |
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NLV14504BDR2G |
十六进制电平转换器 |
2017-07-26 |
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NVD5407NT4G |
40V,26mΩ,38A,单N沟道功率MOSFET |
2017-07-10 |
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NIS5431MT1TXG |
3.3V,电子保险丝 |
2017-06-19 |
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NCP134AMX080TCG |
具有偏置轨道的0.8V固定输出,0.5A,极低压差CMOS线性稳压器 |
2017-06-02 |
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NCP137BFCTADJT2G |
具有偏置轨道的可调输出,0.7A,极低压差CMOS线性稳压器 |
2017-06-02 |
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NCP139AFCT180T2G |
具有偏置轨道的1.8V固定输出,1A,极低压差CMOS线性稳压器 |
2017-06-02 |
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NCV8160AMX180TBG |
用于射频和模拟电路的1.8V固定输出,250mA,低压差稳压器 |
2017-06-02 |
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NCV8161AMX180TBG |
用于射频和模拟电路的1.8V固定输出,450mA,低压差稳压器 |
2017-06-02 |
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NCV8161AMX280TBG |
用于射频和模拟电路的2.8V固定输出,450mA,低压差稳压器 |
2017-06-02 |
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NCP140AMXD280TCG |
无电容,2.8V固定输出,150mA,极低压差CMOS稳压器 |
2017-06-02 |
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NCP140AMXD330TCG |
无电容,3.3V固定输出,150mA,极低压差CMOS稳压器 |
2017-06-02 |
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NCP5106BMNTWG |
高电压,高和低边MOSFET/IGBT驱动器 |
2017-06-02 |
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NCP5109AMNTWG |
双输入,200V高电压,高和低边MOSFET/IGBT驱动器 |
2017-06-02 |
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NCP5109BMNTWG |
双输入,200V高电压,高和低边MOSFET/IGBT驱动器 |
2017-06-02 |
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DTA144WET1G |
PNP双极数字晶体管(R1=47kΩ,R2=22kΩ) |
2017-05-23 |
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NCP140AMXD180TCG |
无电容,1.8V固定输出,150mA,极低压差CMOS稳压器 |
2017-05-10 |
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NB3L204KMNG |
2.5V,3.3V,差动1:4 HCSL扇出缓冲器 |
2017-04-19 |
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