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NVBG020N120SC1
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 738.86
25+
CNY 599.08
50+
CNY 527.76
100+
CNY 471.61
250+
CNY 426.27
500+
CNY 388.87
1000+
CNY 357.51
厂商： onsemi
库存件数： 771
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×738.86 = 738.86
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：1200
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：28
最大漏极电流Id(on)(A)：98
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：D2PAK-7/-55~175
描述：1200V，28mΩ，98A，N沟道碳化硅MOSFET
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