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NVMFS4C03NT1G
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 18.70
25+
CNY 15.16
50+
CNY 13.36
100+
CNY 11.94
250+
CNY 10.79
500+
CNY 9.84
1000+
CNY 9.05
厂商： onsemi
库存件数： 1500
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×18.70 = 18.70
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：1.7
最大漏极电流Id(on)(A)：159
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：SO-8/-55~175
描述：30V,1.7mΩ,159A,N沟道功率 MOSFET
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