0
您好,欢迎来到力源芯城,全场满300元包邮(首单满100包邮)!
热门搜索:STM32F103  |  STM32F030  |  TL431  |  LM317  |  NCP1117

首页  »  优势产品  »  自保护 N 沟道功率 MOSFET

优势产品

产品分类
嵌入式微控制器和微处理器(6)
通信接口器件(16)
数据转换器(3)
信号调理器件(2)
电源管理器件(36)
存储器(11)
功率器件(8)
传感器(15)
特殊功能集成电路(1)
分立半导体器件(14)
被动器件(2)
光电器件(3)
连接器(1)
供应商
3PEAK(2)
Advancechip(1)
AICC(1)
China Wind(5)
Exar(7)
HTC(7)
Intersil(15)
KIOXIA(2)
onsemi(17)
QST Corporation(1)
STMicroelectronics(20)
Texas Instruments(11)
Vishay(9)
Wuhan Xinxin Semiconductor(6)
奥伦德(1)
多维(1)
力源信息(6)
美浦森半导体(1)
尚阳通(3)
芯洲(1)
中微爱芯(1)
自保护 N 沟道功率 MOSFET
分享到:
 
 
ON Semiconductor 公司 NCV8402/A 是一个三端保护低边智能离散器件,保护功能包括过流、过温、ESD 和集成漏极到门极的过压钳位保护。适用于恶劣的汽车环境使用。
 
产品特性
短路保护
热关机自动重启
过压保护
集成感应开关
ESD 保护
模拟驱动能力(逻辑电平输入)
NCV 前缀为汽车和其它应用需要
符合 AEC Q101 标准和 PPAP 能力
无铅封装和符合 RoHS 标准
 
应用领域
开关各种电阻,电感和电容性负载
可以取代机电式继电器和分立电路
汽车
工业
 
订购信息
类别 产品型号 漏源雪崩电压 VBR 漏源导通电阻 最大漏极电流 封装/温度(℃) 资料 购买
MOSFET NCV8402ASTT1G 42V 165mΩ@10V 2.0A SOT-223/-40~150 立即购买
 
典型应用
 
 
全资子公司:
地址:湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道武大园三路5号
版权所有©2014   武汉力源信息技术股份有限公司

鄂公网安备 42018502002463号

   |   鄂ICP备13001864号-1    |   营业执照