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NVMS5P02R2G
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 8.84
25+
CNY 7.17
50+
CNY 6.31
100+
CNY 5.64
250+
CNY 5.10
500+
CNY 4.65
1000+
CNY 4.28
厂商： onsemi
库存件数： 4300
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×8.84 = 8.84
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：33
最大漏极电流Id(on)(A)：-5.4
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：SOIC-8/-55~150
描述： -20V,-5.4A,33mΩ P沟道功率MOSFET
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