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NTMTS1D5N08H
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 50.50
25+
CNY 40.94
50+
CNY 36.07
100+
CNY 32.23
250+
CNY 29.13
500+
CNY 26.58
1000+
CNY 24.43
厂商： onsemi
库存件数： 2870
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×50.50 = 50.50
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：80
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：1.5
最大漏极电流Id(on)(A)：255
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：DFNW-8/-55~150
描述：80V，1.5mΩ，255A，N沟道功率MOSFET
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