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用于汽车负载应用的上桥 SmartFET 驱动器
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上桥 SmartFET 因其易于使用和高水平的保护而越来越受欢迎。与标准 MOSFET 一样,SmartFET 非常适合各种汽车应用。它们的区别在于内置在上桥 SmartFET 器件中的控制电路。控制电路持续监控输出电流和器件温度,同时针对电压瞬变和其他意外应用条件提供被动保护。这种主动和被动保护功能的结合确保了稳定可靠的应用方案,延长了器件本身及其所保护的应用负载的使用寿命。

 

安森美(onsemi)现在提供从 45 mΩ到 160 mΩ的上桥 SmartFET系列 。这些器件是受保护的单通道上桥驱动器,可切换各种负载,如灯泡、螺线管和其他执行器。如表 1 所示,器件名称表示 SmartFET 在 25°C 时的典型 RDSon。下面列出了完整的产品系列:

 

onsemi High-Side SmartFETs

 

表1:安森美完整的上桥SmartFET系列

 

安森美的该系列器件采用SO8封装,小占位,同时提供高功率。45 mΩ至140 mΩ器件的系列引脚布局为设计人员提供了便利,允许一个引脚布局用于各种应用负载。根据特定应用所需的电流水平,只需将一个器件切换到另一个。这些器件驱动12 V汽车接地负载,并提供保护和诊断功能。该系列器件集成了先进的保护功能,如主动浪涌电流管理、带自动重启的过温关断和主动过压钳位。一个专用的电流检测引脚对输出进行精确的模拟电流监测,并对电池短路、接地短路以及ON和OFF状态的开路负载检测进行故障指示。所有诊断和电流检测功能都由一个主动大电流检测禁用引脚(仅NCV84160)或一个主动大电流检测使能引脚(该系列的所有其他器件)来禁用或启用。

 

对上桥 SmartFET 的“最终要求”是切换负载,市场上为此提供了不同的替代方案。例如,继电器已在行业中使用了很长时间,用于切换各种汽车负载,尤其是那些需要大电流激活的负载。随着汽车零部件和组件的重量和尺寸不断减小,已从继电器过渡到半导体开关,占位更小,抗噪能力更强,电磁干扰更低。

 

上桥SmartFET 已成为汽车市场的主流 SmartFET 配置,取代了通常更简单的下桥SmartFET。图 1 所示是上桥与下桥 SmartFET 配置的示例。上桥 SmartFET 的负载始终接地,通过切换连接到电源,而下桥 SmartFET 的负载始终连接到电源,通过切换接地。SmartFET 通常安装在控制单元或 ECU 内。负载线是连接负载和 ECU 上针式连接器的电缆长度。根据负载类型及其在车辆中的位置,该负载线可能很长,从而增加了底盘接地短路的可能性,这可能对下桥SmartFET 配置中的负载造成严重压力。

 

High-Side Versus Low-side Switch

 

图1:应用中的上桥开关对比下桥开关

 

下面的图 2 显示了安森美的 NCV84xxx 上桥SmartFET系列的顶层框图和引脚布局。请注意,上桥 SmartFET 实际上是个 NMOS FET,由一个稳压电荷泵,将栅极电压拉高到足以驱动负载的水平。

 

输入 (IN) 引脚是个逻辑电平引脚,用于打开和关断控制逻辑/电荷泵以使 FET工作。电流检测使能 (CS_EN) 引脚启用和禁用电流检测功能。电流检测 (CS) 引脚将一定比例的负载电流检测反馈到微控制器以实时反馈。该引脚是多路复用的;它报告很容易与正常工作区分开来的模拟故障事件,从而使用户能实时检测输出电流或故障情况。电压 (VD) 引脚直接连接到电池或电源,OUT 引脚连接到负载。最后,接地 (GND) 引脚只是器件的 GND。

 

Block Diagram and Pin Configuration of NCV84xxx

 

图 2:NCV84xxx 的框图和引脚布局

 

NCV84xxx SmartFET 系列器件提供以下保护功能:

 

• 过压保护 保护整个器件,在电压>41V时,箝制VD-GND。
• 欠压保护,在电池电压低的情况下,关断器件并等待电池电压升高到足以使稳压电荷泵工作以正常运行 FET。
• 限电流(参见下面的图 3)在发生短路或浪涌事件时限制电流以防止损坏。电流将一直受到限制,直到器件的内部芯片温度超过过温点,并且会自行关断以提供保护,直到它充分冷却为止。此功能非常适合驱动需要高初始浪涌电流的灯泡负载,并且还限制了高功率和温度波动对芯片的应力量。
• 具有自动重启功能的过温和电源保护 防止器件因高功耗和过高的环境温度升高而过热。如果激活过温保护,器件将自行关断,直到它充分冷却并自动重试,假设输入为“高”。
• 关机状态开路负载检测 在输入“高”之前提醒微控制器,与负载的连接已在关机状态下丢失。
• 电感式负载开关的输出钳位,在电感放电期间,输出钳位将安全地导通 FET 以处理电感放电电流。

 

How TJ Progresses During Short to GND/Overload

 

图 3:在接地短路/过载期间 TJ 如何发展

 

如需深入了解上桥SmartFET 如何工作,包括保护功能、电流检测等,请参阅我们的应用注释——带模拟电流检测的上桥 SmartFET 应用注释

 

更多资源:

 

• 上桥 SmartFET 演示控制台演示视频

 
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