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FDC6305N
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 3.78
25+
CNY 3.07
50+
CNY 2.70
100+
CNY 2.42
250+
CNY 2.18
500+
CNY 1.99
1000+
CNY 1.83
厂商： onsemi
库存件数： 9000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×1.83 = 5490.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：80
最大漏极电流Id(on)(A)：2.7
通道极性：双N沟道
封装/温度(℃)：TSOT-23-6/-55~150
描述：20V,2.7A,80mΩ,双N沟道PowerTrench MOSFET
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