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FDS8858CZ
单位（片）
价格（含13%增值税）
100+
CNY 4.7353
500+
CNY 3.9046
1000+
CNY 3.5897
3000+
CNY 3.3218
厂商： onsemi
库存件数： 7500
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×3.5897 = 8974.25
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：30/-30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：17/20.5
最大漏极电流Id(on)(A)：8.6/-7.3
通道极性：N/P沟道
封装/温度(℃)：SOIC-8/-55~150
描述：30V双N和P沟道PowerTrench MOSFET
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