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NVMFS2D3P04M8LT1G
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 32.24
25+
CNY 26.14
50+
CNY 23.03
100+
CNY 20.58
250+
CNY 18.60
500+
CNY 16.97
1000+
CNY 15.60
厂商： onsemi
库存件数： 695
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×32.24 = 32.24
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：2.2
最大漏极电流Id(on)(A)：-222
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：DFN-5/-55~175
描述：2.2mΩ，-40V，-222A，P沟道功率MOSFET
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