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NDS352AP
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 2.55
25+
CNY 2.07
50+
CNY 1.82
100+
CNY 1.63
250+
CNY 1.47
500+
CNY 1.34
1000+
CNY 1.23
厂商： onsemi
库存件数： 6000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×1.23 = 3690.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：300
最大漏极电流Id(on)(A)：-0.9
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：SOT-23-3/-55~150
描述：300mΩ,-30V,-0.9A,P沟道逻辑电平晶体管
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