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NTH4L075N065SC1
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 106.57
25+
CNY 86.41
50+
CNY 76.12
100+
CNY 68.02
250+
CNY 61.48
500+
CNY 56.09
1000+
CNY 51.57
厂商： onsemi
库存件数： 144
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×106.57 = 106.57
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：650
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：85
最大漏极电流Id(on)(A)：38
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-247-4/-55~175
描述：碳化硅 (SiC) MOSFET
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