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NTMTSC4D2N10GTXG
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 63.04
25+
CNY 51.11
50+
CNY 45.03
100+
CNY 40.24
250+
CNY 36.37
500+
CNY 33.18
1000+
CNY 30.50
厂商： onsemi
库存件数： 5800
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×63.04 = 63.04
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：100
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：4.2
最大漏极电流Id(on)(A)：178
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TDFNW-8/-55~175
描述：100V，4.2mΩ，178A，N沟道功率MOSFET
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