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NVBG040N120M3S
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 235.47
25+
CNY 190.92
50+
CNY 168.19
100+
CNY 150.30
250+
CNY 135.85
500+
CNY 123.93
1000+
CNY 113.94
厂商: onsemi
库存件数: 788
货期: 现货
数量: 
-
  ×235.47 = 235.47
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):1200
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):54
最大漏极电流Id(on)(A):57
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):D2PAK-7/-55~175
描述:碳化硅(SiC)MOSFET–EliteSiC,40欧姆,1200V,M3S
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