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NTH4L025N065SC1
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 252.41
25+
CNY 204.66
50+
CNY 180.29
100+
CNY 161.11
250+
CNY 145.62
500+
CNY 132.85
1000+
CNY 122.13
厂商： onsemi
库存件数： 1537
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×252.41 = 252.41
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：650
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：28.5
最大漏极电流Id(on)(A)：99
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-247-4/-55~175
描述：碳化硅 (SiC) MOSFET
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