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NVHL050N65S3F
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 132.86
25+
CNY 107.73
50+
CNY 94.90
100+
CNY 84.81
250+
CNY 76.65
500+
CNY 69.93
1000+
CNY 64.29
厂商： onsemi
库存件数： 450
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×132.86 = 132.86
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：650
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：50
最大漏极电流Id(on)(A)：58
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-247-3/-55~150
描述：650V，50mΩ，58A，N沟道功率MOSFET
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