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EFC2J013NUZTDG
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 4.09
25+
CNY 3.31
50+
CNY 2.92
100+
CNY 2.61
250+
CNY 2.36
500+
CNY 2.15
1000+
CNY 1.98
厂商： onsemi
库存件数： 5987
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×4.09 = 4.09
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：12
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：5.8
最大漏极电流Id(on)(A)：17
通道极性：双N沟道
封装/温度(℃)：WLCSP-6/-55~150
描述：12V,17A,5.8mΩ,双N沟道功率MOSFET
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