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产品型号 |
描述 |
发布时间 |
购买 |
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T55A475M010C0200 |
聚合物钽电容器,4.7 µf |
2024-11-21 |
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DG211BDY-T1-E3 |
SPST模拟开关 |
2024-11-21 |
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CRCW08055R60FKEAHP |
防脉冲、高功率厚膜片式电阻器，5.6Ω±1%0.5W |
2024-11-21 |
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SQJ182EP-T1_GE3 |
80V，5mΩ，210A，N沟道功率MOSFET |
2024-11-06 |
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SQJ479EP-T1_GE3 |
33mΩ，-80V，-32A，P沟道功率MOSFET |
2024-11-06 |
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SI2323CDS-T1-GE3 |
39mΩ，-20V，-6A，P沟道功率MOSFET |
2024-11-06 |
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MKP1848550704K2L20 |
薄膜电容器 |
2024-11-06 |
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SQJ872EP-T1_GE3 |
150V，35.5mΩ，24.5A，N沟道功率MOSFET |
2024-11-06 |
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IRFR430ATRPBF |
500V，1.7Ω，5A，N沟道功率MOSFET |
2024-11-06 |
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SE70PJHM3_A/H |
表面贴装ESD能力整流器 |
2024-11-06 |
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VEMD5160X01 |
硅光电二极管 |
2024-11-06 |
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MOC8104-X019T |
光电晶体管输出光耦 |
2024-10-14 |
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TX3B226K020C0700 |
22uf Bcase 20V电容 |
2024-10-14 |
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MMA02040Z0000ZB300 |
专业薄膜MELF电阻器，0Ω，跳接器 |
2024-10-14 |
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CNY17-3 |
光电晶体管输出光耦 |
2024-10-14 |
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SIC448ED-T1-GE3 |
4.5 V至45 V输入，6 A，microBUCKDC/DC转换器 |
2024-10-14 |
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SUD15N15-95-E3 |
150V，95mΩ，15A，N沟道功率MOSFET |
2024-10-14 |
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NTCLE301E4C90867 |
NTC热敏电阻 |
2024-10-14 |
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SIR610DP-T1-RE3 |
200V，31.9mΩ，35.4A，N沟道功率MOSFET |
2024-09-10 |
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TSOP75456WTT |
用于远程控制系统的IR接收模块 |
2024-09-10 |
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IHLP2525CZER2R2M11 |
IHLP®商用电感器，2.2 µH，低DCR系列 |
2024-09-10 |
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BU25H08-E3/P |
桥式整流器 单相 |
2024-09-10 |
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V8P22HM3_A/H |
高电流密度表面安装TMBS®（沟槽MOS势垒肖特基）整流器 |
2024-08-13 |
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VCNT2025X01 |
具有晶体管输出的反射式光学传感器 |
2024-07-18 |
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TCPT1350X01 |
具有晶体管输出的超小型透射式光学传感器,开槽 |
2024-07-18 |
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SISS42LDN-T1-GE3 |
100V，14.9mΩ，11.3A，N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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TX3B336K020C1000 |
钽电容器，33µF |
2024-07-18 |
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IRF644STRRPBF |
250V，280mΩ，14A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-28 |
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SI4816BDY-T1-GE3 |
30V,5.8A,8.2A,带肖特基二极管双N沟道MOSFET |
2024-06-28 |
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VEML6030 |
具有I2C接口的高精度环境光传感器 |
2024-06-28 |
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VS-20ETS08-M3 |
高压，输入整流二极管，20 A，800V |
2024-06-28 |
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TNPW0603100KBEEA |
薄膜芯片电阻 100 kΩ ±0.1% 0.1W |
2024-06-28 |
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WSLP5931L1000FEA |
电流传感电阻器 |
2024-06-28 |
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TNPW06032K70BEEA |
芯片电阻，2.7 kΩ ±0.1% 0.1W |
2024-06-28 |
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SQA403EJ-T1_GE3 |
20mΩ，-30V，-10A，P沟道功率MOSFET |
2024-06-28 |
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SQD50P04-09L_GE3 |
9.4mΩ，-40V，-50A，P沟道MOSFET |
2024-06-28 |
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SI7431DP-T1-GE3 |
-200V,-3.8A,P沟道MOSFET |
2024-06-19 |
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ESH2DHE3_A/H |
表面贴装超快塑料整流器 |
2024-06-19 |
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SI7463ADP-T1-GE3 |
10mΩ，-40V，-46A，P沟道功率MOSFET |
2024-06-19 |
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SIHB22N60ET1-GE3 |
600V，180mΩ，21A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
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BAV19W-HE3-08 |
小信号开关二极管，高压 |
2024-06-04 |
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SQ3418EV-T1_GE3 |
40V，32mΩ，8A，N沟道MOSFET |
2024-06-04 |
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SMCJ15CA-E3/57T |
表面贴装TRANSZORB瞬态电压抑制器 |
2024-05-07 |
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BAS20-HE3-18 |
小信号开关二极管，高压，150 V 200mA |
2024-05-07 |
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BAT54WS-E3-08 |
小信号肖特基二极管30 V 200mA |
2024-05-07 |
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SMA6J7.5A-E3/5A |
表面安装TRANSZORB®瞬态电压抑制器,600W,7.5V 5%,UNIDIR,SMA |
2024-05-07 |
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AS3BDHM3_A/H |
表面安装整流器3A, 200V, SM |
2024-05-07 |
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VSMY2943SL |
940nm高速红外发射二极管，表面发射器技术 |
2024-05-07 |
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VS-20CDH02HM3/I |
Hyperfast整流器，2 x 10 A FRED Pt® |
2024-04-12 |
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S2JHE3_A/H |
表面安装玻璃钝化整流器，1.5A, 600V, SMB |
2024-04-12 |
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MAL214699806E3 |
100 µF铝电解电容器 径向 |
2024-04-12 |
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IRFPG50PBF |
N-沟道 MOSFET |
2024-04-12 |
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VY1222M47Y5UQ6TV0 |
安全电容器 2200pF X760 Y500VAC 20% Y5U |
2024-04-12 |
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595D107X0016D2T |
钽电容器100 µF |
2024-04-12 |
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IRFB18N50KPBF |
500V,290mΩ,17A,N沟道功率MOSFET |
2024-03-15 |
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SI2356DS-T1-GE3 |
40V,51mΩ,4.3A,N 沟道功率 MOSFET |
2024-03-15 |
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SQJA06EP-T1_GE3 |
60V,8.7mΩ,57A,N沟道功率MOSFET |
2024-03-15 |
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TZMC5V1-GS08 |
齐纳二极管 |
2024-03-15 |
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SIHG018N60E-GE3 |
600V，23mΩ，99A，N沟道功率MOSFET |
2024-03-15 |
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WSKW06121L000FEA |
1 mΩ±1% 1W 芯片电阻 |
2024-02-29 |
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MURS340-M3/9AT |
表面贴装超快塑料整流器 |
2024-02-29 |
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MURS360-M3/9AT |
表面贴装超快塑料整流器 |
2024-02-29 |
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WSKW06122L000FEA |
芯片电阻，2 mΩ ±1% 1W |
2024-02-29 |
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WSLP2010R0100FEA |
Power Metal Strip®电阻器，10mΩ±1%2W |
2024-02-29 |
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VS-20MQ100NTRPBF |
肖特基二极管 100 V 2.1A |
2024-02-29 |
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TNPW06036K80BEEA |
薄膜芯片电阻 6.8 kΩ ±0.1% 0.1W |
2024-02-29 |
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595D107X0010D2T |
固体钽片电容器,100 µf,涂层 |
2024-02-29 |
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SIHP18N50C-E3 |
500V，270mΩ，18A，N沟道功率MOSFET |
2024-02-29 |
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TZMC43-GS08 |
齐纳二极管 |
2024-02-29 |
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NTCALUG01A473HA |
NTC 热敏电阻器 47kΩ 环形焊片 |
2024-02-29 |
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BFC233810154 |
0.15 µF干扰抑制薄膜电容器-X1级径向MKP 440 VAC-标准跨线 |
2024-02-29 |
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MKT1820610015 |
10µF 薄膜电容器 |
2024-02-29 |
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VO14642AT |
固态继电器 |
2023-12-27 |
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IRFU320PBF |
400V，1.8Ω，3.1A，N沟道功率MOSFET |
2023-12-27 |
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IRFP460HPBF |
500V，270mΩ，20A，N沟道功率MOSFET |
2023-12-27 |
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IRFP450APBF |
500V，400mΩ，14A，N沟道功率MOSFET |
2023-12-27 |
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IRF840ALPBF |
500V，850mΩ，8A，N沟道功率MOSFET |
2023-12-27 |
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IRFB9N60APBF |
600V，750mΩ，9.2A，N沟道功率MOSFET |
2023-12-27 |
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IRFPE50PBF |
800V，1.2Ω，7.8A，N沟道功率MOSFET |
2023-12-27 |
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IRFBE30SPBF |
800V，3Ω，4.1A，N沟道功率MOSFET |
2023-12-27 |
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IRFU120PBF |
250V，2Ω，2.2A，N沟道功率MOSFET |
2023-12-13 |
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SQJ459EP-T1_GE3 |
18mΩ,-60V,-52A,P 沟道功率 MOSFET |
2023-11-28 |
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SUD19N20-90-E3 |
200V,90mΩ,19A,N沟道功率MOSFET |
2023-11-28 |
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IRFD110PBF |
100V，1A，N沟道功率MOSFET |
2023-11-14 |
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SI2377EDS-T1-GE3 |
61mΩ，-20V，-4.4A，P沟道功率MOSFET |
2023-11-14 |
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BZD27C24P-HE3-08 |
齐纳二极管 |
2023-11-14 |
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RS1KHE3_A/H |
表面安装快速开关整流器 |
2023-11-06 |
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IRFL210TRPBF |
200V，1.5Ω，0.96A，N沟道功率MOSFET |
2023-11-06 |
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T51D107M010C0040 |
表面安装芯片电容器 |
2023-11-06 |
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T51D107M016C0050 |
vPolyTanTM聚合物表面安装芯片电容器 |
2023-11-06 |
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T51D227M010C0040 |
vPolyTanTM聚合物表面安装芯片电容器 |
2023-11-06 |
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T51D227M6R3C0040 |
表面安装芯片电容器 |
2023-11-06 |
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T51D337M004C0040 |
表面安装芯片电容器 |
2023-11-06 |
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T51D476M025C0060 |
vPolyTanTM聚合物表面安装芯片电容器 |
2023-11-06 |
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1.5SMC220A-E3/9AT |
TVS二极管 表面贴装型 |
2023-10-20 |
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MURS120-E3/52T |
超快整流器,表面贴装,200V,1A |
2023-10-11 |
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VS-RA220FA120 |
标准整流器，220 A |
2023-09-27 |
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VEML6040A3OG |
带 I2C 接口的 RGBW 颜色传感器 |
2023-09-27 |
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V20PWM60C-M3/I |
肖特基二极管，60 V 10A |
2023-09-06 |
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SUM55P06-19L-E3 |
19mΩ,-60V,-55A,P沟道功率MOSFET |
2023-09-06 |
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SI5403DC-T1-GE3 |
30mΩ,-30V,-6A,P沟道功率MOSFET |
2023-09-06 |
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NTCALUG01A103F161A |
NTC热敏电阻器 10k |
2023-09-06 |
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SML4738A-E3/61 |
表面安装齐纳二极管 |
2023-09-06 |
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SI7415DN-T1-GE3 |
65mΩ，-60V，-15A，P沟道功率MOSFET |
2023-09-06 |
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SIS862ADN-T1-GE3 |
60V,7.2mΩ,52A,N 沟道功率 MOSFET |
2023-07-18 |
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NTCS0805E3473JHT |
NTC 热敏电阻器 47kΩ |
2023-07-18 |
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AY2101K29Y5SS63L7 |
陶瓷电容器 Y5S，圆片式100 pF ±10% 440VAC |
2023-07-18 |
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SUM110P06-07L-E3 |
6.9mΩ,-60V,-110A,P沟道功率MOSFET |
2023-06-28 |
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1.5SMC30CAHE3_A/H |
表面贴装 TRANSZORB 瞬态电压抑制器 |
2023-06-28 |
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SISS63DN-T1-GE3 |
2.7mΩ,-20V,-31.5A,P沟道功率MOSFET |
2023-06-28 |
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SQJ147ELP-T1_GE3 |
12.5mΩ,-40V,-90A,P沟道功率MOSFET |
2023-06-28 |
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293D226X0035E2TE3 |
固体钽电容器 |
2023-06-28 |
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SQ7414CENW-T1_GE3 |
60V,23mΩ,18A,N沟道功率MOSFET |
2023-06-28 |
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SQ2318AES-T1_GE3 |
40V,31mΩ,8A,N沟道功率MOSFET |
2023-06-28 |
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WSL0805R0100DEA18 |
片式电阻器，10 mΩ±0.5%0.25W |
2023-06-28 |
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SiC467ED-T1-GE3 |
降压开关稳压器 |
2023-05-24 |
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IHLP2525CZER1R0M01 |
1uH,±20%,高电流IHLP电感器 |
2023-05-06 |
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VB30200C-E3/8W |
肖特基整流器，200V，30A |
2023-05-06 |
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P4SMA12A-E3/61 |
表面贴装TRANSZORB瞬态电压抑制器 |
2023-05-06 |
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SI7489DP-T1-GE3 |
41mΩ,-100V,-28A,P沟道功率MOSFET |
2023-05-06 |
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MURS120HE3_A/H |
超快整流器,表面贴装,200V,1A |
2023-04-20 |
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WSR3R0150FEA |
电流传感电阻器 - SMD 3w,15mΩ,1% |
2023-04-20 |
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SFH615A-3X009 |
晶体管输出光电耦合器 |
2023-04-20 |
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BZG05C3V3-HM3-08 |
齐纳二极管,3.3 V 1.25 W |
2023-04-20 |
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CRCW040210R5FKED |
标准厚膜片式电阻器，10.5Ω±1%0.063W |
2023-04-20 |
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VO615A-9 |
光电晶体管输出光耦合器，耐高温 |
2023-04-20 |
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TCLT1009 |
单通道晶体管输出光电耦合器 |
2023-04-20 |
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VO615A-3X007T |
光电晶体管输出光耦 |
2023-04-20 |
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DG468DV-T1-E3 |
低功耗、高电压 SPST 模拟开关 |
2023-04-20 |
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CRCW04021M60JNED |
标准厚膜片式电阻器 |
2023-03-21 |
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CRCW06034R70FKEA |
标准厚膜片式电阻器，4.7Ω±1%0.1W |
2023-03-21 |
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ZM4752A-GS08 |
33V,±5%,1W,齐纳二极管 |
2023-03-21 |
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IHLP2525CZER1R0M01 |
1uH,±20%,高电流IHLP电感器 |
2023-03-21 |
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SQ2315ES-T1_GE3 |
50mΩ,-12V,-5A,P 沟道功率 MOSFET |
2023-03-09 |
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PR02000201503JA100 |
功率金属膜引线电阻器 |
2023-03-09 |
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WSL10203L000FEA |
片式电阻器，3 mΩ±1%2W |
2023-03-09 |
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CRCW020147K0FKED |
厚膜片式电阻器,47kΩ,±1%,0.05W |
2023-03-09 |
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CRCW04029K09FKED |
标准厚膜片式电阻器，9.09 kΩ±1%0.063W |
2023-03-09 |
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MSX1PBHM3/89A |
表面贴装ESD整流器 |
2023-02-14 |
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BZX384B16-E3-08 |
齐纳二极管 |
2023-02-14 |
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MBR30H60CT-E3/45 |
肖特基二极管60 V 15A |
2023-02-14 |
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P6SMB160A-E3/52 |
表面贴装 TRANSZORB 瞬态电压抑制器 |
2022-12-28 |
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CRCW02014K70FKED |
厚膜电阻器,SMD,50mW, 4.7Kohms,1%,100ppm |
2022-12-06 |
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CRCW02010000Z0ED |
厚膜电阻器,SMD |
2022-12-06 |
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VY1222M43Y5UC6UV0 |
陶瓷电容器 Y5U,2200 pF ±20% 760VAC |
2022-11-16 |
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MKP1848510924K2L20 |
金属化聚丙烯薄膜电容器 DC-Link 电容器 |
2022-11-16 |
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293D476X0020E2TE3 |
固体钽电容器 |
2022-11-16 |
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1N4006-E3/54 |
通用塑料整流器,800 V 1A |
2022-11-16 |
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VS-30ETH06-M3 |
超快整流器,600 V 30A |
2022-11-16 |
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T55D227M010C0007 |
220uF,10V,±20%,钽质电容器-固体 |
2019-05-16 |
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T55V157M6R3C0018 |
150uF,3.6V,±20%,钽质电容器-固体 |
2019-05-16 |
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P6SMB30AHE3/52 |
峰值功率600W,30V,单向通道，齐纳TVS |
2018-12-14 |
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