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SQJA86EP-T1_GE3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 32.30
25+
CNY 21.53
50+
CNY 16.15
100+
CNY 10.77
250+
CNY 10.23
500+
CNY 9.96
1000+
CNY 9.69
厂商： Vishay
库存件数： 84000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×9.69 = 29070.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：800
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：19
最大漏极电流Id(on)(A)：30
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：PowerPAK SO-8/-55~175
描述：80V，19mΩ，30A，N沟道功率MOSFET
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