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SI7469DP-T1-GE3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 109.88
25+
CNY 73.26
50+
CNY 54.94
100+
CNY 36.63
250+
CNY 34.80
500+
CNY 33.88
1000+
CNY 32.97
厂商： Vishay
库存件数： 9000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×32.97 = 98910.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-80
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：25
最大漏极电流Id(on)(A)：-28
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：PowerPAK SO-8/-55~150
描述：25mΩ，-80V，-28A，P沟道功率MOSFET
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