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SQD50P04-09L_GE3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 55.38
25+
CNY 36.92
50+
CNY 27.69
100+
CNY 18.46
250+
CNY 17.54
500+
CNY 17.07
1000+
CNY 16.61
厂商： Vishay
库存件数： 2000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×16.61 = 33220.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：9.4
最大漏极电流Id(on)(A)：-50
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-252-3/-55~175
描述：9.4mΩ，-40V，-50A，P沟道MOSFET
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