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SQJ872EP-T1_GE3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 44.61
25+
CNY 29.74
50+
CNY 22.31
100+
CNY 14.87
250+
CNY 14.13
500+
CNY 13.76
1000+
CNY 13.38
厂商： Vishay
库存件数： 6000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×13.38 = 40140.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：150
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：35.5
最大漏极电流Id(on)(A)：24.5
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：PowerPAK SO-8/-55~175
描述：150V，35.5mΩ，24.5A，N沟道功率MOSFET
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