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SI2356DS-T1-GE3
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 6.78
25+
CNY 4.52
50+
CNY 3.39
100+
CNY 2.26
250+
CNY 2.15
500+
CNY 2.09
1000+
CNY 2.03
厂商: Vishay
库存件数: 18000
货期: 香港库存(7-10工作日)
数量: 
-
  ×2.03 = 6090.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):51
最大漏极电流Id(on)(A):4.3
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-23-3/-55~150
描述:40V,51mΩ,4.3A,N 沟道功率 MOSFET
温馨提示

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