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SI2356DS-T1-GE3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 6.78
25+
CNY 4.52
50+
CNY 3.39
100+
CNY 2.26
250+
CNY 2.15
500+
CNY 2.09
1000+
CNY 2.03
厂商： Vishay
库存件数： 18000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×2.03 = 6090.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：51
最大漏极电流Id(on)(A)：4.3
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：SOT-23-3/-55~150
描述：40V,51mΩ,4.3A,N 沟道功率 MOSFET
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