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优势产品 » Vishay 650V 碳化硅(SiC)肖特基二极管
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Vishay 650V 碳化硅(SiC)肖特基二极管
威世半导体(Vishay Semiconductors)的碳化硅(SiC)肖特基二极管,采用高级混合PIN/肖特基(MPS)结构。卓越的过载能力和高电流峰值时的低电压降,低正向电压温度系数,使其效率高,易于并联。低结电容,可降低有源器件的开关损耗,低和稳定的温度泄漏。
封装
特性
基于SiC宽带隙材料肖特基工艺的多数载流子二极管
正VF温度系数,便于并联
几乎没有恢复期和开关损耗
温度恒定的开关反应
175℃最大工作结温
MPS结构具有很高的耐用性,可承受正向电流的浪涌
符合JESD 201 1A级晶须测试
符合JESD 22-B106标准,锡槽温度最高为275℃/10s
应用
高压电源和LLC中的PFC和高频整流
服务器转换器
电信设备
不间断电源UPS
太阳能逆变器
主要器件
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产品订购:王先生 邮箱:wangwh@icchain.com |