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SIHG018N60E-GE3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 767.56 690.81
25+
CNY 511.70 460.53
50+
CNY 383.78 345.41
100+
CNY 255.85 230.27
250+
CNY 243.06 218.76
500+
CNY 236.66 213.00
1000+
CNY 230.27 207.25
厂商： Vishay
库存件数： 5000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×213.00 = 106500.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：600
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：23
最大漏极电流Id(on)(A)：99
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-247AC-3/-55~150
描述：600V，23mΩ，99A，N沟道功率MOSFET
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