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优势产品 » Vishay漏极至源极耐压MOSFET SiRA60DDP-T1-UE3 / SiR626ADP-T1-RE3
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Vishay漏极至源极耐压MOSFET SiRA60DDP-T1-UE3 / SiR626ADP-T1-RE3
Vishay TrenchFET®第四代MOSFET是新一代TrenchFET®系列功率MOSFET，具有业内超低导通电阻RDS(on)的特性，进一步降低了导通损耗以及功耗。并拥有低栅极总电荷的特性。采用PowerPAK® SO-8封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。应用于大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。
应用框图
特性
源漏极导通电阻RDS(on): 0.00090Ω/ 0.00175Ω
栅极电荷典型值Qg (Typ.): 39.1nC/ 42.5nC
持续源漏极导通电流(TC=25°C): 241A/ 165A
100%通过Rg和UIS测试
材料兼容Pb-free RoHS标准
应用领域
同步整流
初级侧开关
DC/DC转换器
太阳能微型逆变器
电机驱动开关
电池和负载开关
主要器件
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技术支持：徐先生 邮箱：xujf@icchain.com |