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SQJ479EP-T1_GE3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 44.65 40.19
25+
CNY 29.77 26.80
50+
CNY 22.32 20.09
100+
CNY 14.88 13.40
250+
CNY 14.14 12.73
500+
CNY 13.77 12.40
1000+
CNY 13.39 12.06
厂商： Vishay
库存件数： 174000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×12.06 = 36180.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-80
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：33
最大漏极电流Id(on)(A)：-32
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：PowerPAK SO-8/-55~175
描述：33mΩ，-80V，-32A，P沟道功率MOSFET
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