0
您好,欢迎来到力源芯城,全场满300元包邮(首单满100包邮)!
热门搜索:STM32F103  |  STM32F030  |  TL431  |  LM317  |  NCP1117

首页  »  所有产品  »  分立半导体器件  »  MOSFET  »  VISHAY,功率MOSFET  »  SUD19N20-90-E3
 
SUD19N20-90-E3
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 57.53
25+
CNY 38.35
50+
CNY 28.76
100+
CNY 19.18
250+
CNY 18.22
500+
CNY 17.74
1000+
CNY 17.26
厂商: Vishay
库存件数: 38000
货期: 香港库存(7-10工作日)
数量: 
-
  ×17.26 = 34520.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):200
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90
最大漏极电流Id(on)(A):19
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):DPak-2/-55~175
描述:200V,90mΩ,19A,N沟道功率MOSFET
温馨提示

请稍候...
全资子公司:
地址:湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道武大园三路5号
版权所有©2014   武汉力源信息技术股份有限公司

鄂公网安备 42018502002463号

   |   鄂ICP备13001864号-1    |   营业执照