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SI5403DC-T1-GE3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 32.05 28.85
25+
CNY 21.36 19.23
50+
CNY 16.02 14.42
100+
CNY 10.68 9.62
250+
CNY 10.15 9.14
500+
CNY 9.88 8.90
1000+
CNY 9.61 8.65
厂商： Vishay
库存件数： 186000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×8.65 = 25950.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：30
最大漏极电流Id(on)(A)：-6
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：1206-8 ChipFET-8/-55~150
描述：30mΩ,-30V,-6A,P沟道功率MOSFET
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