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SQ7414CENW-T1_GE3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 34.50
25+
CNY 23.00
50+
CNY 17.25
100+
CNY 11.50
250+
CNY 10.93
500+
CNY 10.64
1000+
CNY 10.35
厂商： Vishay
库存件数： 18000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×10.35 = 31050.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：23
最大漏极电流Id(on)(A)：18
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：PowerPAK 1212-8W/-55~175
描述：60V,23mΩ,18A,N沟道功率MOSFET
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