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SI4816BDY-T1-GE3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 20.80
100+
CNY 8.32
1000+
CNY 7.49
厂商： Vishay
库存件数： 2500
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×7.49 = 18725.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：18.5/11.5
最大漏极电流Id(on)(A)：5.8/8.2
通道极性：双N沟道
封装/温度(℃)：SOIC-8/-55~150
描述：30V,5.8A,8.2A,带肖特基二极管双N沟道MOSFET
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