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用于碳化硅MOSFET和IGBT的先进电气隔离式栅极驱动器STGAP3S
STGAP3S：高电流能力与先进保护功能提供了卓越的稳定性
STGAP3S系列具备快速去饱和保护和灵活的米勒钳位功能，专为工业和能源应用设计。这款栅极驱动器具有高CMTI，能够满足现今对电流能力和保护功能的最新要求。STGAP3S系列提供10A和6A电流能力的不同选项，每种选项均配有专为碳化硅MOSFET和IGBT设计的UVLO型号。
主要特性
■ BCD9S电气隔离技术
■ 高压支持：可达1200V
■ 驱动电流：6A和10A
■ 支持驱动碳化硅MOSFET和IGBT
■ 去饱和保护
■ 可调节的软关闭功能
■ 快速响应：延迟仅75ns
■ 米勒钳位功能
■ 可选负极驱动
■ ±200V/ns CMTI
应用示例
评估生态系统
评估板旨在帮助您快速评估STGAP3S隔离式单栅极驱动器的性能。
EVLSTGAP3S6S
面向带保护功能的STGAP3S6S碳化硅MOSFET隔离式栅极驱动器的半桥评估板。
EVLSTGAP3SXS-H
面向带保护功能的STGAP3SXS碳化硅MOSFET隔离式栅极驱动器的半桥评估板。