| 产品图片 |
产品型号 |
描述 |
发布时间 |
购买 |
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M1MA142WKT1G |
共阴极双开关二极管 |
2026-07-23 |
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MC7812CD2TR4G |
1.0 A三端正固定电压稳压器 |
2026-07-23 |
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MUN5233DW1T1G |
双偏置电阻晶体管 |
2026-07-23 |
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MC100EL01DG |
5V ECL，4输入或门/或非门 |
2026-07-23 |
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MMJT350T1G |
PNP型双极性功率晶体管 |
2026-07-23 |
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MC74VHC14DR2G |
六施密特反相器 |
2026-07-23 |
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FDLL4448 |
小信号二极管 |
2026-07-23 |
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NCS20061SQ3T2G |
3 MHz，125 A低功率运算放大器 |
2026-07-23 |
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SMMBFJ309LT1G |
N沟道 JFET 晶体管 |
2026-07-23 |
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SBSP52T1G |
NPN 双极达林顿晶体管 |
2026-07-23 |
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NTTFSSCH0D7N02X |
25V，0.58mΩ，310A，N沟道功率MOSFET |
2026-07-23 |
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RGP10D |
1.0A快速恢复整流器 |
2026-07-23 |
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74ACT14SCX |
带有施密特触发器输入的六通道逆变器 |
2026-07-23 |
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74ACT14MTC |
带有施密特触发器输入的六通道逆变器 |
2026-07-23 |
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AR0135CS2M25SUEA0-DRBR |
CMOS 图像传感器 |
2026-07-23 |
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AR0235CSSC00SMKA0-CP |
2MP图象传感器 |
2026-07-23 |
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AR0235CSSC28SMKA0-CP2 |
2MP_1/3 CIS SO |
2026-07-23 |
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T30LMPSR165CFCT120T2G |
300 MA LDO, WITH ACTIVE D |
2026-07-23 |
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T30LMPSR165CFCT285T2G |
300 MA LDO, WITH ACTIVE D |
2026-07-23 |
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AR0145CS1C00SMKA0-CP-E |
图像传感器 |
2026-07-23 |
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AR0235CSSC28SMKA0-CP2 |
2MP_1/3 CIS SO |
2026-07-23 |
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BZX84C47LT1G |
225mW SOT-23表面安装齐纳稳压管 |
2026-06-25 |
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LM285D-2.5G |
微功耗电压基准 |
2026-06-25 |
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NUF2042XV6T1G |
带ESD保护的USB上游终端 |
2026-06-25 |
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MM3Z27VST1G |
齐纳稳压管 |
2026-06-25 |
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SZMM3Z6V2ST1G |
6.2V,±2%齐纳稳压管 |
2026-06-25 |
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FQPF19N20C |
200V,19A,170mΩ,N沟道 QFET MOSFET |
2026-06-25 |
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SZBZX84C30LT1G |
225mW,30V,±5%齐纳稳压管 |
2026-06-25 |
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NCP4305DMNTWG |
SMPS次级侧同步整流驱动器 |
2026-06-25 |
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AR0145CSSC00SMKA0-CP2 |
1MP图象传感器 |
2026-06-25 |
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NTMFS5C612NT1G |
单N沟道，功率MOSFET，60V，238A，1.5mΩ |
2026-06-25 |
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1N4732ATR |
齐纳二极管 |
2026-06-25 |
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NTMTSC4D2N10GTXG |
100V,4.2mΩ,178A,N沟道功率MOSFET |
2026-06-25 |
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NCP136AFCT105T2G |
LDO 稳压器，700mA |
2026-06-25 |
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NXH003P120M3F2PTHG |
碳化硅（SiC）模块 |
2026-06-25 |
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AR0145CS1C00SMKA0-CP-E |
图像传感器 |
2026-06-25 |
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NIV1241MTWTAG |
ESD保护二极管 |
2026-05-22 |
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FND43060T2 |
智能功率模块,600V,30A |
2026-05-22 |
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BAV23S |
高电压通用二极管 |
2026-04-15 |
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FDMS86255 |
150V，62A，12.4mΩ，N沟道功率MOSFET |
2026-04-15 |
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FQPF9N90CT |
900V,8A,1.4Ω,N沟道功率MOSFET |
2026-04-15 |
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GBU8M |
桥式整流器,8A |
2026-04-15 |
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NCD57090ADWR2G |
隔离式大电流栅极驱动器 |
2026-04-15 |
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BAV23S |
高电压通用二极管 |
2026-04-15 |
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NTTFS5D9N08HTWG |
80 V, 5.9 m, 84 A,N沟道功率MOSFET |
2026-04-15 |
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MC74HC4067ADTR2G |
四路模拟开关/多路复用器/信号分离器 |
2026-03-20 |
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MMBT5551M3T5G |
NPN高压晶体管 |
2026-03-11 |
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MC14528BDR2G |
双单稳态多振荡器 |
2026-03-11 |
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1N4004G |
轴向引脚标准恢复整流二极管 |
2026-03-11 |
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SZNUP2105LT3G |
双线双向,CAN总线保护器 |
2026-03-11 |
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2N4403TA |
40V,0.6A,625mW,PNP双极型晶体管 |
2026-03-11 |
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74LVX3245MTCX |
带3态输出的低电压8位双通道电源转换收发器 |
2026-03-11 |
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NTMTSC1D6N10MCTXG |
100V,267A,1.7mΩ,N沟道功率MOSFET |
2026-03-11 |
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NLA9306MU3TCG |
双向I2C总线和SMBus电压电平转换器 |
2026-03-11 |
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NCP11187A065PG |
mWSaver 集成电源开关 |
2026-03-11 |
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MM3Z30VB |
齐纳二极管 |
2026-03-11 |
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NL3V4T3144MU2TAG |
4位双电源非反相放大器 |
2026-03-11 |
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SPZT2222AT1G |
NPN 双极晶体管 |
2026-03-11 |
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CAV25256VE-GT3 |
EEPROM 串行 256-Kb SPI - 汽车级 |
2026-01-13 |
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NCP1342AMAACD1R2G |
准谐振反激控制器，带谷锁闭开关 |
2026-01-13 |
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NTMTSC1D5N08MC |
80V,1.56mΩ,287A,N 沟道功率 MOSFET |
2026-01-13 |
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V8PM15HM3/H |
肖特基整流器8A, 150V |
2026-01-13 |
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SZMMSZ3V0T1G |
500mW,3V,±5%,齐纳二极管 |
2026-01-13 |
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NC7NZ17L8X |
TinyLogic UHS三重缓冲器，带施密特触发器输入 |
2025-12-11 |
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NL3V4T244MU2TAG |
4位译码器 |
2025-12-11 |
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AR2020CSSM13SMTA0-DP |
图像传感器，20MP |
2025-12-11 |
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NCS32100XMNTXG |
传感器 |
2025-12-11 |
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NCV20061SN2T1G |
运算放大器，5.5V 轨对轨输入和输出，3 MHz，单路 |
2025-12-02 |
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74LCX244MTC |
带 5V 耐压输入和输出的低压缓冲器/线路驱动器 |
2025-12-02 |
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MC14044BDR2G |
4 R-S锁存器 |
2025-11-14 |
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MM3Z36VT1G |
齐纳稳压管 |
2025-11-14 |
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74AC244SCX |
八路缓冲器/线路驱动器（带3态输出） |
2025-11-14 |
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CNY171SR2VM |
光电晶体管输出光耦合器 |
2025-11-14 |
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NCP1340B10DR2G |
准谐振控制器，高电压，谷锁闭开关功能 |
2025-10-29 |
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AR0235CSSM00SMKA0-CP |
CMOS 图像传感器 |
2025-10-29 |
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AR0145CSSM00SMKA0-CP |
1MP图像传感器 |
2025-10-29 |
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AR0821CSSC18SMEA1-DPBR |
8MP图像传感器 |
2025-10-29 |
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AR0544CSSC11SMKA1-CP |
图象传感器5MP |
2025-10-27 |
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AR0544CSSM11SMKA1-CP |
图象传感器5MP |
2025-10-27 |
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2N4403TFR |
PNP 双极晶体管，TO-92 |
2025-10-27 |
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BC818-40LT1G |
25V,500mA,NPN双极晶体管 |
2025-09-26 |
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FCH070N60E |
600V,52A,70 mΩ,N沟道功率MOSFET |
2025-09-26 |
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MC33152DR2G |
高速双MOSFET驱动器 |
2025-09-26 |
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MC74HC244ADTR2G-Q |
八路 3 态非逆向缓冲器 |
2025-09-26 |
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AR0830CSSM11SMKA1-CP2 |
图像传感器 |
2025-09-26 |
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NCV6324BMTAAWTBG |
降压转换器-同步3 MHz,2A |
2025-09-03 |
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SZMMSZ3V0T1G |
500mW,3V,±5%,齐纳二极管 |
2025-09-03 |
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KSP44TF |
NPN外延硅晶体管 |
2025-09-03 |
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DAP222M3T5G |
共阳极双开关二极管 |
2025-09-03 |
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HMHA2801R2 |
光电晶体管光耦合器 |
2025-08-19 |
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FQD2N90TM |
900V,1.7A,7.2Ω,N沟道增强型功率MOSFET |
2025-07-23 |
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MC7805BD2TG |
1.0 A三端正固定电压稳压器 |
2025-07-15 |
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NCV2333DMR2G |
精密运算放大器,低功耗,零漂移,30μV偏移 |
2025-07-15 |
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UJ4SC075018L8S |
碳化硅（SiC）Cascode JFET |
2025-07-07 |
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J112 |
5mA、35V、N沟道JFET晶体管 |
2025-07-07 |
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HUF75639G3 |
100V，25mΩ，56A，N沟道功率MOSFET |
2025-07-07 |
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MC74VHC1GT126DBVT1G-Q |
单非逆变缓冲器，TTL 电平 |
2025-05-28 |
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BZX84C43LT1G |
225mW SOT-23表面安装齐纳稳压管 |
2025-05-28 |
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NCV57200DR2G |
半桥栅极驱动器（隔离高侧和非隔离低侧） |
2025-05-28 |
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BAS31 |
小信号开关二极管 |
2025-05-28 |
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NTMFS0D9N04XLT1G |
40V，0.9mΩ，278A，N沟道功率MOSFET |
2025-05-28 |
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NCP115AMX280TCG |
2.8V高PSRR低压差稳压器 |
2025-04-17 |
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NCV8161AMX300TBG |
LDO 稳压器，450 mA，低漏，低 Iq，超高 PSRR，超低噪音 |
2025-03-13 |
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NCP114ASN300T1G |
3.0V固定输出,300mA,CMOS LDO稳压器 |
2025-03-13 |
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NTBG023N065M3S |
碳化硅（SiC）MOSFET |
2025-03-13 |
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ESDU3121MXT5G |
12V单向ESD保护器件 |
2025-03-13 |
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NVMFWS1D1N04XMT1G |
单N沟道功率MOSFET 40V，233A，1.05mΩ |
2025-03-10 |
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NVTFS5124PLTAG |
-60V,-8A,260mΩ,单P沟道功率MOSFET |
2025-02-19 |
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NB7V33MMNTXG |
10GHz,1.8V/2.5V,÷4除法器 |
2025-02-07 |
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MC74VHCT244ADTG |
八路总线缓冲器/线路驱动器 |
2025-02-07 |
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2N7002ET7G |
60V N沟道MOSFET |
2025-01-06 |
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NTH4L023N065M3S |
碳化硅（SiC）MOSFET |
2024-12-05 |
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NCL38046PADR2G |
CC/CV/CP二次侧控制器 |
2024-11-21 |
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FIN1104MTC |
LVDS 4 端口高速中继器 |
2024-11-21 |
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2N4403TF |
PNP双极晶体管，TO-92 |
2024-11-21 |
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NDSH40120CDN |
碳化硅肖特基二极管,1200 V 20A |
2024-11-06 |
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NCS2333MUTBG |
精度运算放大器,低功耗,零漂移 |
2024-11-06 |
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NCP1632ADR2G |
临界传导模式（CrM）功率因数控制器，交错 |
2024-11-06 |
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NTBG022N120M3S |
1200V,30mΩ,72A,SiC MOSFET |
2024-11-06 |
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NTBG060N090SC1 |
60 mohm,900 V,碳化硅（SiC）MOSFET-EliteSiC |
2024-11-06 |
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FXL4T245BQX |
低压双电源4位信号转换器 |
2024-11-06 |
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MJD210G |
互补型功率晶体管 |
2024-08-13 |
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FDC2612 |
200V,1.1A,725mΩ,N沟道PowerTrenchMOSFET |
2024-08-13 |
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NVMFS5C468NLT1G |
40V 37A 10.3mΩ,N沟道功率MOSFET |
2024-08-13 |
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NCP51530BMNTWG |
700V- 3.5 / 3A高低侧MOSFET驱动器 |
2024-08-13 |
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NDT3055 |
60V,4A,100mΩ,N沟道增强模型场效应晶体管 |
2024-08-13 |
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NVMFD5C668NLWFT1G |
60V,6.5mΩ,68A,N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NVMFD5C466NLWFT1G |
双N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NVMFD6H852NLT1G |
80V,25.5mΩ,25A,双N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NVBG040N120M3S |
碳化硅（SiC）MOSFET–EliteSiC,40欧姆,1200V,M3S |
2024-07-18 |
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FDB2532 |
150V,16mΩ,79A,N沟道PowerTrench® MOSFET |
2024-07-18 |
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FDMT800100DC |
100V，2.95mΩ，162A，N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NVMFS5C420NLT1G |
40V，1mΩ，277A，N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NVTFS5C670NLWFTAG |
60V，6.8mΩ，70A，N沟道功率MOSFET |
2024-07-18 |
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NRVBBS20100CTT4G |
100V,20A肖特基整流二极管 |
2024-06-28 |
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NVMFD020N06CT1G |
60V，20.3mΩ，27A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-28 |
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NC7SP14P5X |
TinyLogic ULP-A逆变器 |
2024-06-19 |
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NCV33035DWR2G |
无刷直流电机控制器 |
2024-06-19 |
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FFSD1065A |
650V,10A,碳化硅肖特基二极管 |
2024-06-04 |
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NRVB0540T3G |
40V,0.5A,表贴式肖特基功率整流器 |
2024-06-04 |
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NRVB30H100MFST3G |
30A 100V肖特基二极管 |
2024-06-04 |
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NRVB8H100MFSWFT1G |
8A 100V肖特基二极管 |
2024-06-04 |
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NRVBB20100CTT4G |
100V,20A肖特基整流二极管 |
2024-06-04 |
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NRVBM120ET1G |
表面安装肖特基功率整流器20 V 1A |
2024-06-04 |
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NTBG022N120M3S |
1200V，30mΩ，72A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
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NTBL045N065SC1 |
650V，50mΩ，73A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
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NTHL080N120SC1A |
1200V，110mΩ，31A，N沟道碳化硅MOSFET |
2024-06-04 |
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NTMFS002N10MCLT1G |
100V，2.8mΩ，175A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
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ESD7551N2T5G |
微型封装ESD保护二极管 |
2024-06-04 |
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NCV7720DQAR2G |
十沟道半桥驱动器 |
2024-06-04 |
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NTMTSC4D2N10GTXG |
100V，4.2mΩ，178A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
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NTTFD018N08LC |
80V，18mΩ，26A，双N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
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NTTFS2D1N04HLTWG |
40V，2.1mΩ，150A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
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NVBG020N120SC1 |
1200V，28mΩ，98A，N沟道碳化硅MOSFET |
2024-06-04 |
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NVBG022N120M3S |
1200V，30mΩ，100A，N沟道SIC MOSFET |
2024-06-04 |
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NVMFS4C03NT1G |
30V,1.7mΩ,159A,N沟道功率 MOSFET |
2024-06-04 |
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NVMFS5C442NAFT1G |
40V，2.3m，140A单N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
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NVMFS6H800NLWFT1G |
80V，1.9mΩ，224A，N沟道功率MOSFET |
2024-06-04 |
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NCV7685DQR2G |
12通道60mA LED线性电流驱动器I2C可控 |
2024-05-07 |
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NVDSH50120C |
碳化硅肖特基二极管，1200V，50A |
2024-05-07 |
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NVMFD5C446NLWFT1G |
40V，2.65mΩ，145A，N沟道功率MOSFET |
2024-05-07 |
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FDMC6679AZ |
-30V,-20A,,P沟道MOSFET |
2024-04-12 |
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 |
FQD2P40TM |
6.5Ω，400V，-1.56A，P沟道功率MOSFET |
2024-04-12 |
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 |
NTTFS5116PLTWG |
-60V,-20A,52mΩ P沟道功率MOSFET |
2024-04-12 |
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 |
NVMS5P02R2G |
-20V,-5.4A,33mΩ P沟道功率MOSFET |
2024-04-12 |
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 |
FDB2552 |
150V，36mΩ，37A，N沟道功率MOSFET |
2024-04-12 |
|
 |
FDBL9401-F085T6 |
40V，0.67mΩ，240A，N沟道功率MOSFET |
2024-04-12 |
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FDMS2D5N08C |
80V，2.7mΩ，166A，N沟道功率MOSFET |
2024-04-12 |
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 |
SZ1SMB5923BT3G |
8.2V,3.0W齐纳稳压管 |
2024-04-12 |
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 |
SZMMSZ5267BT1G |
500mW齐纳二极管 |
2024-04-12 |
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 |
FAN7081MX-GF085 |
单高压侧门极驱动器 |
2024-04-12 |
|
 |
FAD7191M1X |
600V,4.5A,高侧和低侧汽车栅极驱动器IC |
2024-03-15 |
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NTH4L014N120M3P |
1200V，127A，N沟道碳化硅MOSFET |
2024-03-15 |
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 |
NCV7708FDQR2G |
双六角驱动器 |
2024-02-29 |
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 |
NCV6324CMTAATBG |
同步Buck转换器，3 MHz，2.0 A |
2024-02-29 |
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NVTFS4C06NTAG |
30V,71A,4.2mΩ,单N沟道功率MOSFET |
2023-12-27 |
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FGH60T65SHD-F155 |
IGBT，650V，60A |
2023-12-27 |
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 |
NVMFS5C410NLWFAFT1G |
40V,330A,0.82mΩ,N沟道功率MOSFET |
2023-12-27 |
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 |
NVMFS5C442NLAFT1G |
40V,130A,2.5mΩ,N沟道功率MOSFET |
2023-12-27 |
|
 |
NVMFS5C426NLT1G |
40V，1.2mΩ，237A，N沟道功率MOSFET |
2023-12-13 |
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 |
NVMJS0D9N04CLTWG |
40V，0.82mΩ，330A，单N沟道功率MOSFET |
2023-12-13 |
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 |
NCV21871SN2T1G |
零漂移运算放大器 |
2023-12-13 |
|
 |
NVMFS5C410NWFAFT3G |
40V，0.92mΩ，300A，N沟道功率MOSFET |
2023-12-13 |
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 |
NJV4031NT1G |
双极功率晶体管NPN硅 |
2023-12-13 |
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 |
MC100EP139DWG |
3.3V / 5V ECL 2/4分频, 4/5/6分频时钟发生器 |
2023-11-14 |
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 |
NBC12430FAR2G |
3.3V/5V可编程PLL合成时钟发生器 |
2023-11-14 |
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 |
MC74VHC74DTR2G |
双上升沿D触发器(有预置和清除端) |
2023-11-14 |
|
 |
FUSB2805MLX |
USB 2.0高速OTG收发器，带ULPI接口 |
2023-11-14 |
|
 |
NB4N840MMNR4G |
带CML输出和内部终端的3.3V，2.7Gb/s双差分时钟/数据2x2交点开关 |
2023-11-14 |
|
|
MC79L15ACDR2G |
100mA负电压稳压器 |
2023-11-14 |
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 |
FDG6335N |
20V,0.7A,0.3Ω,双N沟道PowerTrench MOSFET |
2023-11-14 |
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 |
FDMS86105 |
100V，26A，34mΩ，N通道屏蔽栅极功率MOSFET |
2023-11-14 |
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 |
BZG03C15G |
峰值功率600W，齐纳额定浪涌电压调节器 |
2023-11-14 |
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|
SZBZX84C33LT1G |
齐纳二极管 |
2023-11-14 |
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 |
ES3A |
3.0A,超快速恢复整流器 |
2023-11-14 |
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 |
FDM3622 |
100V,4.4A,60mΩ,N沟道功率MOSFET |
2023-11-06 |
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 |
NCV8412ADDR2G |
具有浪涌电流管理功能的自保护低侧驱动器 |
2023-11-06 |
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 |
FGH75T65SHDT-F155 |
IGBT,650V,75A |
2023-10-11 |
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 |
FFSH4065BDN-F085 |
汽车碳化硅（SiC）肖特基二极管，650 V |
2023-10-11 |
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FDMS8018 |
30V,1.8mΩ,175A,N沟道功率MOSFET |
2023-09-27 |
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 |
FGHL50T65MQDT |
IGBT - 650 V 50 A |
2023-09-27 |
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 |
NVBG015N065SC1 |
650V、12mΩ、145A、N 沟道功率 MOSFET |
2023-09-06 |
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 |
NRVBS360BNT3G |
肖特基功率整流器，60 V 4A |
2023-09-06 |
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 |
NCD57001DWR2G |
隔离高电流IGBT栅极驱动器 |
2023-09-06 |
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|
MC10EP451FAG |
5V,ECL,8位移位寄存器 |
2023-07-18 |
|
 |
NCV7535DBR2G |
SPI控制的H桥和双半桥预驱动器 |
2023-07-18 |
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 |
NCV78723MW2R2G |
高效率, 双降压LED驱动器 |
2023-06-28 |
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 |
NTH4L025N065SC1 |
碳化硅 (SiC) MOSFET |
2023-06-28 |
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 |
NTHL025N065SC1 |
650V，28.5mΩ，99A，N沟道碳化硅MOSFET |
2023-06-28 |
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 |
LP2950CZ-3.3G |
100mA，低功耗低压差稳压器 |
2023-05-24 |
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 |
NCV7383DB0R2G |
10Mb/s,单通道FlexRay收发器 |
2023-05-24 |
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 |
NCV7703CD2R2G |
三重半桥驱动器，用于汽车侧视镜控制 |
2023-05-06 |
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 |
NCP45540IMNTWG-H |
负载开关 |
2023-05-06 |
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 |
FSGM300N |
用于30W离线反激式转换器650V集成电源开关 |
2023-04-20 |
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FGD3245G2-F085 |
IGBT, 450V, 23A |
2023-04-20 |
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 |
FFSD0665B-F085 |
碳化硅（SiC）肖特基二极管，6A，650V |
2023-04-20 |
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|
LP2950CZ-3.3RAG |
100mA低压差稳压器 |
2023-04-20 |
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|
NTH4L025N065SC1 |
碳化硅 (SiC) MOSFET |
2023-04-20 |
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 |
FDP032N08 |
75V，235A，3.2mΩ，N通道功率MOSFET |
2023-03-21 |
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AR0130CSSM00SPCA0-DPBR |
CMOS图像传感器1.2MP |
2023-03-09 |
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|
NTZD3154NT5G |
20V,540mA,双N沟道小信号MOSFET |
2023-03-09 |
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 |
FPF2495CUCX |
负载开关 |
2023-02-14 |
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 |
MC74LCX244MNTWG |
八路缓冲器，同相，低压，三态 |
2023-02-14 |
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NCV81599MWTXG |
I2C 可配置、4 开关降压升压控制器 |
2023-02-14 |
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NVMFSC1D6N06CL |
60 V，1.5 mΩ，224 A，N沟道功率MOSFET |
2023-02-14 |
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 |
NVMFS5H610NLWFT1G |
60V，10 mΩ，48 A，N沟道功率MOSFET |
2023-02-14 |
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 |
NVMTS001N06CLTXG |
60V，0.81mΩ，N沟道功率MOSFET |
2023-02-14 |
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 |
NRTS3060MFST3G |
30A、60V高性能沟槽肖特基整流器 |
2023-02-14 |
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 |
74ACT04MTCX |
六路反相器 |
2023-02-03 |
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 |
NVH4L080N120SC1 |
1200V，110mΩ，29A，N沟道功率MOSFET |
2023-02-03 |
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 |
NVBG060N090SC1 |
900V，84mΩ，44A，N沟道碳化硅MOSFET |
2023-02-03 |
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 |
FPF2286UCX |
具有极低导通电阻的OVP，28 V，4 A |
2022-12-28 |
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 |
NCV8843MNR2G |
具有同步能力的1.5A, 340kHz, 降压稳压器 |
2022-12-06 |
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|
MC100EP11DR2G |
3.3V/5V，ECL，1:2差分输出缓冲器 |
2022-12-06 |
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|
MC100EP01DG |
3.3V / 5V ECL 4输入或/或非门 |
2022-12-06 |
|
 |
NCP380HSN05AAT1G |
固定/可调电流限制配电开关 |
2022-12-06 |
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 |
NCP715SQ25T2G |
50mA,2.5V固定输出,LDO线性稳压器 |
2022-12-06 |
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 |
FAN3224TUMX-F085 |
低侧栅极驱动器，双4A高速驱动器 |
2022-12-06 |
|
 |
NVH4L045N065SC1 |
650V，50mΩ，55A，N沟道碳化硅MOSFET |
2022-11-16 |
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 |
NRVFES6J |
超快整流器 |
2022-11-16 |
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 |
1N4745A-T50A |
齐纳二极管 1W 5% |
2022-11-16 |
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 |
MM5Z6V2T5G |
标准容差齐纳二极管稳压器 |
2022-11-16 |
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 |
SBAT54CWT1G |
30V双路共阴肖特基二极管 |
2022-11-16 |
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 |
NTH4L060N065SC1 |
650V,70mΩ,47A,N沟道功率MOSFET |
2022-10-18 |
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 |
AR0237CSSC12SPRA0-DR |
CMOS图像传感器，2.1MP |
2022-09-20 |
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 |
FUSB251UCX |
Type-C CC和SBU保护集成电路 |
2022-09-20 |
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 |
MMBTA06LT3G |
NPN 双极晶体管 |
2022-09-20 |
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 |
SMBT3906DW1T1G |
双 PNP 双极晶体管 |
2022-09-20 |
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 |
SMMBT3906LT3G |
PNP 双极晶体管 |
2022-09-20 |
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 |
NTMFD016N06CT1G |
60 V、16.3 mΩ、32 A、N 沟道功率 MOSFET |
2022-09-20 |
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NTMTS6D0N15MC |
150V、135A、6.4mΩ、N沟道功率MOSFET |
2022-09-20 |
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 |
SZMMSZ4707T1G |
20V低电流齐纳二极管 |
2022-07-12 |
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 |
NCP303152MNTWG |
具有集成电流监控器的集成驱动器和MOSFET |
2022-06-23 |
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 |
NCP1680ABD1R2G |
(CrM) 功率因数校正控制器 |
2022-06-23 |
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NCP164AMT120TAG |
LDO稳压器，300mA |
2022-01-07 |
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 |
AR0144CSSC20SUKA0-CPBR |
CMOS图像传感器，数字，全局快门，1MP |
2021-08-02 |
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NTBS9D0N10MC |
100V，9mΩ，60A，N沟道功率MOSFET |
2021-08-02 |
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FCPF650N80Z |
800V，650mΩ，10A，N沟道功率MOSFET |
2021-08-02 |
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 |
NV25640DWHFT3G |
EEPROM串行64Kb SPI-汽车级0 |
2021-06-07 |
|
 |
CAT24C512HU5IGT3 |
512K,I2C串行存储器 |
2020-05-21 |
|
 |
CAV24C32YE-GT3 |
32Kb,I2C CMOS串行EEPROM |
2020-05-21 |
|
 |
CAV93C76VE-GT3 |
汽车级8Kb微线串行EEPROM |
2020-05-21 |
|
 |
MC100EP52DR2G |
ECL,差分D触发器 |
2020-01-07 |
|
 |
NRVHP820MFDT1G |
200V，超快恢复双模整流器 |
2019-12-26 |
|
 |
FDMS3D5N08LC |
80V，136A，3.5mΩ，单N通道功率MOSFET |
2019-12-10 |
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 |
FDPF4D5N10C |
100V， 128A，4.5mΩ，N通道PowerMOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
FDPF8D5N10C |
100V，76A，8.5mΩ，N沟道屏蔽栅极功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NTB110N65S3HF |
650V，30A，110mΩ，N沟道SUPERFET III MOSFET |
2019-12-10 |
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 |
NTTFS5C453NLTWG |
40V，107A，3mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
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 |
SZMM3Z43VT1G |
300mW，43V，±5%齐纳稳压管 |
2019-12-10 |
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FCPF20N60 |
600V，190mΩ，20A，N通道功率MOSFET |
2019-11-01 |
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 |
SZMMSZ5233BT1G |
500mW，齐纳二极管 |
2019-09-19 |
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 |
ESD8704MUTAG |
单向高速数据线保护 |
2019-09-19 |
|
 |
SZBZX84B5V6LT1G |
225mW，5.6V，±2%齐纳稳压管 |
2019-09-03 |
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 |
SZMMBZ15VAWT1G |
40W，15V，齐纳保护二极管 |
2019-09-03 |
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 |
SZMMSZ27T1G |
500mW，27V，±5%，齐纳稳压管 |
2019-09-03 |
|
 |
SZMMSZ4704T1G |
17V低电流齐纳二极管电压稳压器 |
2019-09-03 |
|
 |
FGH75T65SQDNL4 |
650V，75A，隔离门双极晶体管(IGBT)，场截止型 |
2019-08-16 |
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 |
FFSB1065A |
-650V，10A，碳化硅(SIC)肖特基二极管 |
2019-08-16 |
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 |
FFSD0665A |
-650V，6A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
|
 |
NTMFS4C024NT1G |
30V，78A，2.8mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
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 |
FCP20N60 |
600V，190mΩ，20A，N通道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FCP260N65S3 |
650V，12A，260mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-06-14 |
|
 |
LC823450XDTBG |
低功耗,高分辨率音频处理片上系统(SoC) |
2019-03-28 |
|
 |
NCP134AMX110TCG |
具有偏置轨和极低压差的LDO稳压器 |
2019-03-28 |
|
 |
NCV8605MN18T2G |
1.8V,低压差稳压器带ESD保护 |
2019-03-28 |
|
 |
NCV431ASNT1G |
低电压精密可调分流稳压器 |
2019-03-28 |
|
 |
NCV431BSNT1G |
低电压精密可调分流稳压器 |
2018-11-01 |
|
 |
NCP1340B5D1R2G |
具有谷锁定切换功能的高电压准谐振控制器 |
2018-11-01 |
|
 |
FFSH20120ADN-F085 |
1200V,20A,碳化硅肖特基二极管 |
2018-11-01 |
|
 |
EFC2J013NUZTDG |
12V,17A,5.8mΩ,双N沟道功率MOSFET |
2018-09-21 |
|
 |
FOD8314T |
1.0A 输出电流,栅极驱动光耦合器 |
2018-08-23 |
|
 |
NVGS4111PT1G |
单P沟道功率MOSFET,-30V,-4.7A |
2018-08-23 |
|
 |
NCP135AMT040TBG |
0.5A,0.4V输出低压差稳压器 |
2018-08-23 |
|
 |
FFSP1265A |
650V,12A,碳化硅肖特基二极管 |
2018-08-23 |
|
 |
NCP114ASN120T1G |
1.2V,300mA,CMOS 低压差稳压器(LDO) |
2018-06-13 |
|
 |
SMMBT2369ALT1G |
15V,200mA,NPN双极晶体管 |
2018-06-13 |
|
 |
NCP1239BD100R2G |
用于带HV启动的反激式转换器的固定频率电流模式控制器 |
2018-06-13 |
|
 |
SZMM3Z13VT1G |
300mW,13V,±5%,齐纳稳压二极管 |
2018-05-10 |
|
 |
NB100LVEP221MNRG |
2.5V/3.3V,2:1:20差分,HSTL/ECL/PECL,时钟/数据扇出缓冲器 |
2018-05-04 |
|
 |
NSR05F30NXT5G |
30V,0.5A肖特基二极管 |
2018-04-28 |
|
 |
NCP431BCSNT1G |
基准电压源,低阴极电流,可编程并联稳压器 |
2018-04-28 |
|
 |
SZMMSZ5249BT1G |
500mW齐纳二极管 |
2018-04-28 |
|
 |
NCV2200SN1T1G |
低电压互补型比较器 |
2018-04-28 |
|
 |
NCV303LSN40T1G |
具有可编程延迟N通道输出的电压检测器 |
2018-04-28 |
|
 |
NCV8161ASN280T1G |
2.8V输出,450mA超低噪声,高PSRR LDO稳压器 |
2018-03-29 |
|
 |
NCV303LSN45T1G |
4.5V电压检测器带可编程延迟 |
2018-03-29 |
|
|
MMBT2907AM3T5G |
PNP通用型晶体管 |
2017-12-15 |
|
 |
NB3V1102CMTTBG |
3.3V/2.5V/1.8V,LVCMOS,低斜率扇出缓冲器 |
2017-12-15 |
|
 |
NCV2211DR2G |
带差分输出/关断模式的低失真音频功率放大器 |
2017-12-15 |
|
 |
MC10EP016FAG |
3.3V/5V，ECL，8位同步二进制加法计数器 |
2017-11-23 |
|
 |
NCP114ASN150T1G |
1.5V固定输出,300mA,CMOS低压差稳压器 |
2017-11-09 |
|
|
NB7L585MNR4G |
2.5V / 3.3V 差分2:1输入到1:6 LVPECL时钟/数据输出缓冲器/转换器 |
2017-10-19 |
|
 |
LM2901EDR2G |
单电源,36V,四通道,比较器 |
2017-09-28 |
|
 |
NLHV4157NDFT2G |
负电压SPDT开关 |
2017-09-28 |
|
|
MC33269DR2-5.0G |
800 mA，输出可调的低压差稳压器 |
2017-09-19 |
|
 |
LM358EDR2G |
单电源,双路运算放大器 |
2017-09-05 |
|
 |
NCS2003ASN2T1G |
单路7MHz,高压摆率,轨到轨输出,运算放大器 |
2017-08-17 |
|
 |
NCP81234MNTXG |
具有双回路功能,可配置,DrMOS兼容的多相控制器 |
2017-08-17 |
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CAT24C04HU4I-GT3 |
4Kb,I2C串行EEPROM存储器 |
2017-08-11 |
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N24C02UDTG |
2Kb I2C CMOS串行EEPROM |
2017-07-26 |
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NCS20032DTBR2G |
低电压,轨到轨输出,高压摆率,运算放大器 |
2017-07-26 |
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NCV8160AMX180TBG |
用于射频和模拟电路的1.8V固定输出,250mA,低压差稳压器 |
2017-06-02 |
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NCV8161AMX180TBG |
用于射频和模拟电路的1.8V固定输出,450mA,低压差稳压器 |
2017-06-02 |
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