0
您好,欢迎来到力源芯城,全场满300元包邮(首单满100包邮)!
热门搜索:STM32F103  |  STM32F030  |  TL431  |  LM317  |  NCP1117

首页  »  供应商  »  onsemi
厂商名称:onsemi
主要产品:高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件
onsemi 产品搜索
安森美是一家领先的半导体制造商,提供80,000多款不同的器件和全球供应链,为数以百计的市场的数以十万名客户提供服务。

安森美通过收购和强健的内部发展,已在数个市场和技术上取得领先地位,这些市场和技术推动了公司的增长,包括汽车、工业和云电源。2021年,为了更好地反映其广泛的技术组合、差异化的产品线和市场领导地位,安森美半导体将自己重新命名为安森美(onsemi)

技术仍会塑造着我们的未来。它有助于解决世界上一些最具挑战性的问题,如产生可再生能源、提供更安全的交通、改善医疗保健和联接全球。安森美处于智能技术进步的最前沿,提供电源和感知方案,这是变革的重要基石。我们正以技术建立一个可持续的智能世界。onsemi处于智能技术进步的前沿,提供电力和传感解决方案,是变革的重要基石。我们正在通过技术建设一个可持续的智能世界。

我们将推动创新,创造智能电源和感知技术,解决最具挑战性的客户问题。我们的员工每天都受鼓舞,以高质量和高价值的产品和服务来提高利益相关者的价值。

安森美在世界各地设有设计、解决方案工程(SEC)、制造、销售及支援据点。

更多信息请访问 https://www.onsemi.cn
数据转换器
差分逻辑与时钟管理器件

 


产品图片 产品型号 描述 发布时间 购买
FFSH5065B-F085 汽车碳化硅(SiC)肖特基二极管,650 V 2024-05-07
NTMJS2D5N06CLTWG 60V,2.4mΩ,164A,N沟道功率MOSFET 2024-05-07
NTMTS1D5N08H 80V,1.5mΩ,255A,N沟道功率MOSFET 2024-05-07
NVHL050N65S3F 650V,50mΩ,58A,N沟道功率MOSFET 2024-05-07
NVMFS5C420NLWFT1G 40V,1mΩ,277A,N沟道功率MOSFET 2024-05-07
MBRA320T3G 3A,20V肖特基整流器 2024-05-07
NCV7685DQR2G 12通道60mA LED线性电流驱动器I2C可控 2024-05-07
NVDSH50120C 碳化硅肖特基二极管,1200V,50A 2024-05-07
NVMFD5C446NLWFT1G 40V,2.65mΩ,145A,N沟道功率MOSFET 2024-05-07
MMBFJ112 JFET 2024-05-07
NCP81075MTTXG 180V,4A高低侧栅极驱动器 2024-05-07
NCD57001DWR2G 隔离高电流IGBT栅极驱动器 2024-05-07
NCV7725DQBR2G 10通道半桥驱动器 2024-05-07
FJV992FMTF PNP外延硅晶体管 2024-05-07
NCP12510CSN65T1G 用于离线电源的电流模式PWM控制器,65KHz 2024-05-07
NCP4306DAHZZAASNT1G 次级侧同步整流驱动 2024-05-07
FOD8342TR2 3A输出电流,高速栅极驱动光电耦合器拉伸体 2024-04-12
NLV74HC244ADWR2G 八路三态同相缓冲器/线路驱动器/线路接收器 2024-04-12
NVH4L070N120M3S 1200V,87mΩ,34A,N沟道功率MOSFET 2024-04-12
FPF2290BUCX-F130 过电压保护负载开关 2024-04-12
NCS214RSQT2G 26V,双向电流检测放大器,低/高侧电压输出 2024-04-12
FDMC6679AZ -30V,-20A,,P沟道MOSFET 2024-04-12
FQD2P40TM 6.5Ω,400V,-1.56A,P沟道功率MOSFET 2024-04-12
NTTFS5116PLTWG -60V,-20A,52mΩ P沟道功率MOSFET 2024-04-12
NVMFS2D3P04M8LT1G 2.2mΩ,-40V,-222A,P沟道功率MOSFET 2024-04-12
NVMS5P02R2G -20V,-5.4A,33mΩ P沟道功率MOSFET 2024-04-12
FDB2552 150V,36mΩ,37A,N沟道功率MOSFET 2024-04-12
FDBL9401-F085T6 40V,0.67mΩ,240A,N沟道功率MOSFET 2024-04-12
FDMS2D5N08C 80V,2.7mΩ,166A,N沟道功率MOSFET 2024-04-12
SZ1SMA5943BT3G 56V,1.5W齐纳稳压管 2024-04-12
SZ1SMB5923BT3G 8.2V,3.0W齐纳稳压管 2024-04-12
SZMM5Z6V8T5G 齐纳二极管 2024-04-12
SZMMSZ5267BT1G 500mW齐纳二极管 2024-04-12
NCP302LSN47T1G 带可编程延迟的电压检测器系列 2024-04-12
NVTFS4C05NTAG 30V,102A,3.6mΩ,单N沟道功率MOSFET 2024-04-12
NVMFD5C462NT1G 40V、5.4mΩ、70A、N 沟道功率 MOSFET 2024-04-12
NRVBM2H100T3G 2A,100V肖特基功率整流器 2024-04-12
NVTFS004N04CTAG 40V,77A,4.9mΩ,单N沟道功率MOSFET 2024-04-12
NCV7344AD10R2G CAN FD收发器,高速低功耗 2024-04-12
SZMMSZ4702T1G 15V齐纳稳压管 2024-04-12
NVMFS5C420NWFT1G 40V,1.1mΩ,268A,N沟道功率MOSFET 2024-04-12
FODM1007R2V 光电晶体管光耦合器 2024-04-12
NCP382HD05AAR2G 固定限流配电开关 2024-04-12
NIS5420MT4TXG 电子保险丝 (eFuse), 12V, 44 mΩ, 4A, ISENSE 2024-04-12
FAN7081MX-GF085 单高压侧门极驱动器 2024-04-12
H11G1M 高压达林顿晶体管输出光电耦合器 2024-04-12
NC7ST04M5X HST逆变器 2024-04-12
NTTFS4937NTWG N沟道功率MOSFET,30V,75A,4.5mΩ 2024-04-12
SZMMBZ12VALT1G 12V双路共阳齐纳二极管TVS 2024-04-12
SZBZX84C39ET1G 225W,39V齐纳二极管 2024-04-12
SZBZX84C5V1ET1G 225W,5.1V齐纳稳压管 2024-04-12
SZMM3Z10VT1G 200mW,10V,±5%齐纳稳压管 2024-04-12
SZMM5Z20VT1G 200mW,20V,±5%齐纳稳压管 2024-04-12
SZMMSZ10T1G 500mW,10V,±5%齐纳稳压管 2024-04-12
SZMMSZ4702T1G 15V齐纳稳压管 2024-04-12
NCV7708FDQR2G 双六角驱动器 2024-04-12
MC14044BDR2G 4 R-S锁存器 2024-03-15
NCS37010MNTWG 带自检与锁定的接地故障断路器 2024-03-15
NVMFS5C430NWFAFT1G 40V,1.7mΩ,185A,单N沟道功率MOSFET 2024-03-15
NVMFS4C01NT1G 30V,370A,0.67mΩ,单N通道逻辑电平功率MOSFET 2024-03-15
FDD86569-F085 60V,90A,5.7mΩ,N沟道功率Trench MOSFET 2024-03-15
FAD7191M1X 600V,4.5A,高侧和低侧汽车栅极驱动器IC 2024-03-15
NRVTS2H60ESFT3G 沟槽肖特基整流器,极低漏电流 2A,60V 2024-03-15
FDN340P 70mΩ,-20V,-2A,P沟道功率MOSFET 2024-03-15
NTH4L014N120M3P 1200V,127A,N沟道碳化硅MOSFET 2024-03-15
FDMS8320L 40V,248A,1.1mΩ,N沟道功率MOSFET 2024-03-15
FDS4935A 双P沟道,PowerTrench® MOSFET,- 30V,-7A,23mΩ 2024-03-15
NVMFS5C420NWFT1G 40V,1.1mΩ,268A,N沟道功率MOSFET 2024-03-15
74AC04MTCX 反相器 2024-03-15
NC7ST08P5X TinyLogic HST 2 输入 AND 门极 2024-03-15
NC7S14M5X TinyLogic HS 逆变器 2024-03-15
NDS9407 150mΩ,-60V -3.0A,单P沟道功率MOSFET 2024-03-15
FDY102PZ 500mΩ,-20V,-0.83A,P沟道功率MOSFET 2024-02-29
FDC610PZ 42mΩ,-30V,-4.9A,P 沟道功率 MOSFET 2024-02-29
NTH4L014N120M3P 1200V,127A,N沟道碳化硅MOSFET 2024-02-29
NVBG070N120M3S 碳化硅(SiC)MOSFET,70 mohm,1200 V,M3S,D2PAK-7L 2024-02-29
NVMFS5C410NWFAFT1G 40V,300A,0.92mΩ,N沟道功率MOSFET 2024-02-29
NRVTSA4100T3G 沟槽肖特基整流器,低正向电压,100V,4A 2024-02-29
NCV7708FDQR2G 双六角驱动器 2024-02-29
NCV6324CMTAATBG 同步Buck转换器,3 MHz,2.0 A 2024-02-29
NVH4L160N120SC1 1200 V,17.3A,,N沟道功率 MOSFET 2024-02-29
FFSH20120A-F085 1200V,20A,碳化硅肖特基二极管 2024-02-29
6N135M 高速晶体管光耦合器 2024-02-29
NCV4296-2CSN33T1G 30mA低压差稳压器3.3V 2024-02-29
MC100E131FNG 5V, ECL,4位D触发器 2023-12-27
NVTFS4C06NTAG 30V,71A,4.2mΩ,单N沟道功率MOSFET 2023-12-27
FDC86244 150V,N沟道Power Trench® MOSFET 2023-12-27
FQD12N20LTM 200V,9A,280mΩ,N沟道 QFET MOSFET 2023-12-27
FDG6332C 20V,N&P沟道Power Trench MOSFET 2023-12-27
FGH60T65SHD-F155 IGBT,650V,60A 2023-12-27
NVMFS5C410NLWFAFT1G 40V,330A,0.82mΩ,N沟道功率MOSFET 2023-12-27
NVMFS5C442NLAFT1G 40V,130A,2.5mΩ,N沟道功率MOSFET 2023-12-27
NCV8703MX33TCG LDO稳压器,低压降,超低Iq噪声,300mA,3.3V 2023-12-27
NVMFS5C426NLT1G 40V,1.2mΩ,237A,N沟道功率MOSFET 2023-12-13
NVMJS0D9N04CLTWG 40V,0.82mΩ,330A,单N沟道功率MOSFET 2023-12-13
NCV21871SN2T1G 零漂移运算放大器 2023-12-13
NCP81295MNTXG 50A,热插拔控制器 2023-12-13
NVMFS5C410NWFAFT3G 40V,0.92mΩ,300A,N沟道功率MOSFET 2023-12-13
LM2901VDTBR2G 四电压比较器 2023-12-13
FDC5612 60V,4.3A,55mΩ,N沟道功率Trench MOSFET 2023-12-13
74ACT138SCX 8选1译码器/多路分配器 2023-12-13
FDMS8333L 40V,76A,3.1mΩ,N沟道功率Trench MOSFET 2023-12-13
NVH4L045N065SC1 650V,50mΩ,55A,N沟道碳化硅MOSFET 2023-12-13
NJV4031NT1G 双极功率晶体管NPN硅 2023-12-13
74ACT04SC 六路逆变器 2023-11-14
BZX84C39LT1G 225mW SOT-23表面安装齐纳稳压管 2023-11-14
ESD5581N2T5G 5V,10pF,ESD双向保护二极管 2023-11-14
MC100EP139DWG 3.3V / 5V ECL 2/4分频, 4/5/6分频时钟发生器 2023-11-14
NBC12430FAR2G 3.3V/5V可编程PLL合成时钟发生器 2023-11-14
FAN4800AUM 功率因数控制器(PFC)CCM+PWM控制器 2023-11-14
MC74VHC74DTR2G 双上升沿D触发器(有预置和清除端) 2023-11-14
74FST3257DTR2G 四2选1数据选择器 2023-11-14
NSVMMBTA05LT1G 60V,500mA,NPN双极型晶体管 2023-11-14
2N7002KW 60V,310mA,1.6Ω,N沟道增强型场效应晶体管 2023-11-14
FXL6408UMX 完全可配置的8位I2C控制的GPIO扩展器 2023-11-14
FUSB2805MLX USB 2.0高速OTG收发器,带ULPI接口 2023-11-14
NB4N840MMNR4G 带CML输出和内部终端的3.3V,2.7Gb/s双差分时钟/数据2x2交点开关 2023-11-14
MC79L15ACDR2G 100mA负电压稳压器 2023-11-14
2SC3647T-TD-E 100V,2A,低饱和NPN晶体管 2023-11-14
FDG6335N 20V,0.7A,0.3Ω,双N沟道PowerTrench MOSFET 2023-11-14
FDMS86105 100V,26A,34mΩ,N通道屏蔽栅极功率MOSFET 2023-11-14
SZBZX84C27LT1G 齐纳二极管 2023-11-14
BZG03C15G 峰值功率600W,齐纳额定浪涌电压调节器 2023-11-14
NLSX5014MUTAG 4位100Mb/s 可配置双供电电平转换器 2023-11-14
MC33077DR2G 低噪声四运放 2023-11-14
SZBZX84C33LT1G 齐纳二极管 2023-11-14
ES3A 3.0A,超快速恢复整流器 2023-11-14
FDM3622 100V,4.4A,60mΩ,N沟道功率MOSFET 2023-11-06
NCV8412ADDR2G 具有浪涌电流管理功能的自保护低侧驱动器 2023-11-06
FSL206MRN 650V集成电源开关,用于7W离线反激转换器 2023-11-06
NSVBC858CLT1G PNP 双极晶体管 2023-11-06
FDD120AN15A0-F085 150 V、14 A、90 mΩ,N沟道功率MOSFET 2023-11-06
LMV358DMR2G 单/双/四路,低电压轨对轨运算放大器 2023-10-20
CM1224-04MR 2-和4-通道低电容ESD保护阵列 2023-10-20
74VHC08MX 四路2输入AND门极 2023-10-20
NCV2202SN2T1G 比较器,低电压,开漏 2023-10-20
FAN251015MNTXG 同步降压稳压器 2023-10-20
FGH75T65SHDT-F155 IGBT,650V,75A 2023-10-11
NTH4L075N065SC1 碳化硅 (SiC) MOSFET 2023-10-11
FFSH4065BDN-F085 汽车碳化硅(SiC)肖特基二极管,650 V 2023-10-11
NVH4L080N120SC1 1200V,110mΩ,29A,N沟道功率MOSFET 2023-10-11
S3BB 表面贴装整流器3A,100V 2023-10-11
NSVDTC114YM3T5G NPN 双极数字晶体管 (BRT) 2023-09-27
NLV14515BDWR2G 4 位透明锁存/4-16 线路解码器 2023-09-27
NCV57090BDWR2G 隔离式大电流栅极驱动器 2023-09-27
FDMS8018 30V,1.8mΩ,175A,N沟道功率MOSFET 2023-09-27
FGHL50T65MQDT IGBT - 650 V 50 A 2023-09-27
MM74HC373MTCX 3 态八路 D 型锁存 2023-09-27
NVBG015N065SC1 650V、12mΩ、145A、N 沟道功率 MOSFET 2023-09-06
NTBG014N120M3P 1200V,N沟道碳化硅MOSFET 2023-09-06
NRVBS360BNT3G 肖特基功率整流器,60 V 4A 2023-09-06
NCD57001DWR2G 隔离高电流IGBT栅极驱动器 2023-09-06
NTMFS6H836NT1G 80V,80A,6.7mΩ,单N沟道功率MOSFET 2023-09-06
NSVDTC114YM3T5G NPN 双极数字晶体管 (BRT) 2023-09-06
NCV2931ADT5.0RKG 100mA,可调输出,带有60V负载保护的低压差稳压器 2023-07-18
MC10EP451FAG 5V,ECL,8位移位寄存器 2023-07-18
2N4401TA 40V,0.6A,625mW,NPN双极型晶体管 2023-07-18
NCV7535DBR2G SPI控制的H桥和双半桥预驱动器 2023-07-18
1N4733A 齐纳二极管 1W 5% 2023-07-18
NLV14515BDWR2G 4 位透明锁存/4-16 线路解码器 2023-07-18
CAT4109V-GT2 带有独立PWM调光的3通道恒流RGB LED驱动器 2023-06-28
NCV78723MW2R2G 高效率, 双降压LED驱动器 2023-06-28
NTH4L025N065SC1 碳化硅 (SiC) MOSFET 2023-06-28
NTH4L028N170M1 碳化硅 (SiC) MOSFET 2023-06-28
NTHL025N065SC1 650V,28.5mΩ,99A,N沟道碳化硅MOSFET 2023-06-28
NCV21871SN2T1G 零漂移运算放大器 2023-06-28
LP2950CZ-3.3G 100mA,低功耗低压差稳压器 2023-05-24
NCV7383DB0R2G 10Mb/s,单通道FlexRay收发器 2023-05-24
FDP032N08 75V,235A,3.2mΩ,N通道功率MOSFET 2023-05-24
NCV7703CD2R2G 三重半桥驱动器,用于汽车侧视镜控制 2023-05-06
NLV37WZ04USG 三重逆变器 2023-05-06
NCP45540IMNTWG-H 负载开关 2023-05-06
NCV8705MW33TCG LDO 稳压器,500 mA 2023-05-06
SZMM5Z4V3T1G 齐纳二极管,4.3V,500mW 2023-05-06
SZMM5Z13VT1G 齐纳二极管 2023-05-06
NCV8163ASN280T1G LDO稳压器,250 mA 2023-05-06
FSGM300N 用于30W离线反激式转换器650V集成电源开关 2023-04-20
MOC3052SR2VM Triac驱动器光电耦合器,6引脚DIP随机相位 2023-04-20
FGD3245G2-F085 IGBT, 450V, 23A 2023-04-20
FFSD0665B-F085 碳化硅(SiC)肖特基二极管,6A,650V 2023-04-20
NRVBS4201T3G 200V,4A,表贴式柔性快恢复肖特基功率整流器 2023-04-20
LP2950CZ-3.3RAG 100mA低压差稳压器 2023-04-20
NTH4L160N120SC1 1200V, 224mΩ,17.3A,N沟道碳化硅MOSFET 2023-04-20
NCV8715SQ50T2G 50mA低压差稳压器,低Iq 2023-04-20
NTH4L025N065SC1 碳化硅 (SiC) MOSFET 2023-04-20
FDP032N08B-F102 80V,3.3mΩ,211A,N沟道功率MOSFET 2023-03-21
NL7WB66USG 超小单刀单掷模拟开关 2023-03-21
FDP032N08 75V,235A,3.2mΩ,N通道功率MOSFET 2023-03-21
FDG6317NZ 20V,0.7A,400mΩ,双N沟道功率Trench MOSFET 2023-03-21
NTHL025N065SC1 650V,28.5mΩ,99A,N沟道碳化硅MOSFET 2023-03-09
FDC6401N 20V,3A,70mΩ双N沟道Power MOSFET 2023-03-09
AR0130CSSM00SPCA0-DPBR CMOS图像传感器1.2MP 2023-03-09
NTZD3154NT5G 20V,540mA,双N沟道小信号MOSFET 2023-03-09
NVMTS1D1N04CTXG 40V,1.1mΩ,277A,N沟道功率MOSFET 2023-02-14
NCV8730BMTW330TBG LDO稳压器,150mA,38V 2023-02-14
FPF2495CUCX 负载开关 2023-02-14
MC74LCX244MNTWG 八路缓冲器,同相,低压,三态 2023-02-14
74LCX162373MTDX 锁存器 2023-02-14
74ACT00MTCX 四路 2 输入 NAND 门极 2023-02-14
NCV8163AMX120TBG 线性稳压器 - 正 固定 1 输出 2023-02-14
NCV81599MWTXG I2C 可配置、4 开关降压升压控制器 2023-02-14
NVMFSC1D6N06CL 60 V,1.5 mΩ,224 A,N沟道功率MOSFET 2023-02-14
NVMFS5H610NLWFT1G 60V,10 mΩ,48 A,N沟道功率MOSFET 2023-02-14
NTMFS5C410NLT3G 40V,330A,0.82mΩ,N沟道功率MOSFET 2023-02-14
NVMTS001N06CLTXG 60V,0.81mΩ,N沟道功率MOSFET 2023-02-14
NLV17SZ32DFT2G 单 2 输入 OR 门极 2023-02-14
NRTS3060MFST3G 30A、60V高性能沟槽肖特基整流器 2023-02-14
FDMS7670 30V,3.8mΩ,21A,N沟道功率 MOSFET 2023-02-14
FPF2595UCX 负载开关 2023-02-14
NCV59748MWADJTBG 1.5A,具有偏置导轨的超低压差稳压器 2023-02-14
NCV81599MWTXG I2C 可配置、4 开关降压升压控制器 2023-02-14
74ACT04MTCX 六路反相器 2023-02-03
NVH4L080N120SC1 1200V,110mΩ,29A,N沟道功率MOSFET 2023-02-03
NVBG060N090SC1 900V,84mΩ,44A,N沟道碳化硅MOSFET 2023-02-03
FDMS4D0N12C 120V,114A,4.4mΩ,N通道屏蔽栅极功率MOSFET 2023-02-03
FPF2286UCX 具有极低导通电阻的OVP,28 V,4 A 2022-12-28
FDMS015N04B 40V,100A,1.5mΩ,N沟道功率MOSFET 2022-12-28
NCV8843MNR2G 具有同步能力的1.5A, 340kHz, 降压稳压器 2022-12-06
MC100EP11DR2G 3.3V/5V,ECL,1:2差分输出缓冲器 2022-12-06
MC100EP01DG 3.3V / 5V ECL 4输入或/或非门 2022-12-06
NCP380HSN05AAT1G 固定/可调电流限制配电开关 2022-12-06
EMI9408MUTAG 带ESD保护的用于液晶LCD和摄像机的EMI阵列 2022-12-06
NCP715SQ25T2G 50mA,2.5V固定输出,LDO线性稳压器 2022-12-06
FAN3224TUMX-F085 低侧栅极驱动器,双4A高速驱动器 2022-12-06
FL7760AM6X 模拟/PWM可调光60V输入降压控制器,用于LED照明 2022-12-06
ES1G 快速恢复整流器,400V,1A 2022-12-06
NTMFS5C410NT1G 40V,300A,0.92mΩ,单N沟道功率MOSFET 2022-12-06
NCP81599MNTXG 4开关降压升压控制器 2022-12-06
NLV37WZ04USG 三重逆变器 2022-12-06
NVH4L045N065SC1 650V,50mΩ,55A,N沟道碳化硅MOSFET 2022-11-16
NRVFES6J 超快整流器 2022-11-16
1N4745A-T50A 齐纳二极管 1W 5% 2022-11-16
MM5Z6V2T5G 标准容差齐纳二极管稳压器 2022-11-16
SZESD9901MX2WT5G ESD保护二极管 2022-11-16
SBAT54CWT1G 30V双路共阴肖特基二极管 2022-11-16
SZBZX84C15LT3G 225mW,15V,±5%齐纳稳压管 2022-11-16
NCP1680ABD1R2G (CrM) 功率因数校正控制器 2022-11-16
NCP81611MNTXG 4/3/2/1多相降压控制器 2022-11-16
SMBT3906DW1T1G 双 PNP 双极晶体管 2022-11-16
SBAT54CWT1G 30V双路共阴肖特基二极管 2022-11-16
M74VHC1GT126DF2G 非反相缓冲器 2022-10-18
NTH4L060N065SC1 650V,70mΩ,47A,N沟道功率MOSFET 2022-10-18
AR0237CSSC12SPRA0-DR CMOS图像传感器,2.1MP 2022-09-20
FUSB251UCX Type-C CC和SBU保护集成电路 2022-09-20
FXMAR2102UMX 适合I2C应用的双电源2位电压转换器/隔离器 2022-09-20
MMBTA06LT3G NPN 双极晶体管 2022-09-20
SMBT3906DW1T1G 双 PNP 双极晶体管 2022-09-20
SMMBT3904LT3G NPN 双极晶体管 2022-09-20
SMMBT3906LT3G PNP 双极晶体管 2022-09-20
FDT86102LZ 100V,6.6A,28mΩ,N沟道功率MOSFET 2022-09-20
NTMFD016N06CT1G 60 V、16.3 mΩ、32 A、N 沟道功率 MOSFET 2022-09-20
NTMTS6D0N15MC 150V、135A、6.4mΩ、N沟道功率MOSFET 2022-09-20
MMBD1504A 高导通低漏二极管 2022-08-29
NCS199A3RSQT2G 电压输出电流分流监控器,26V 2022-08-22
SZMMSZ4707T1G 20V低电流齐纳二极管 2022-07-12
FOD817BS 4引脚DIP光电晶体管光电耦合器 2022-07-12
NCP303152MNTWG 具有集成电流监控器的集成驱动器和MOSFET 2022-06-23
NCP1680ABD1R2G (CrM) 功率因数校正控制器 2022-06-23
NLSX4302EBMUTCG 两位,双电源电平转换器 2022-05-09
NCP164AMT120TAG LDO稳压器,300mA 2022-01-07
NLAS4717MR2G 4.5Ω高带宽,双SPDT模拟开关 2022-01-07
M74VHC1GT32DTT1G 2输入或门/CMOS逻辑电平移位器 2022-01-07
BZX79C3V9-T50A 齐纳二极管,0.5W 5% 2021-08-23
AR0144CSSC20SUKA0-CPBR CMOS图像传感器,数字,全局快门,1MP 2021-08-02
NTBS9D0N10MC 100V,9mΩ,60A,N沟道功率MOSFET 2021-08-02
NCP1342ANDAAD1R2G 准谐反激式振控制器 2021-08-02
FCPF650N80Z 800V,650mΩ,10A,N沟道功率MOSFET 2021-08-02
NV25640DWHFT3G EEPROM串行64Kb SPI-汽车级0 2021-06-07
NCV8164AML300TCG LDO稳压器,300mA,超低噪声,高PSRR 2021-06-07
NCV8164AML150TCG LDO稳压器,300mA 2021-06-07
NCV8164AML120TCG LDO稳压器,300mA,1.2V,超低噪声 2021-04-22
NCV8164AML180TCG LDO稳压器,300mA,1.8V,超低噪声 2021-04-22
NCP164AMT180TAG LDO稳压器,300mA 2021-03-12
NCV8164AML280TCG LDO稳压器,300mA,2.8V,超低噪声 2021-03-12
NCP164AMTADJTAG LDO稳压器,300mA 2021-03-05
NCP164AMT120TAG LDO稳压器,300mA 2021-03-05
NCV8711ASN300T1G LDO稳压器,100mA,18V 2021-02-19
NCP164AMT280TAG LDO稳压器,300mA 2021-02-19
NCV8711ASN330T1G LDO稳压器,100mA,18V,PG 2021-01-29
NCP711ASNADJT1G LDO稳压器,100 mA,18V 2021-01-29
NCP711ASN300T1G LDO稳压器,100mA,18V,PG 2021-01-29
NCP711BMT500TBG LDO稳压器,100mA,18V 2021-01-29
NCP711BMT330TBG LDO稳压器,100mA,18V 2021-01-29
NCP711BMT300TBG LDO稳压器,100mA,18V,1uA IQ,带PG 2021-01-21
NCP711BMTADJTBG LDO稳压器,100mA,18V,带PG 2021-01-21
NCP711ASN330T1G LDO稳压器,100 mA,18 V 2021-01-13
NCP711ASN500T1G LDO稳压器,100mA,18V 2021-01-13
FSBB15CH60C 600V,15A,Motion SPM®3系列智能功率模块 2020-12-28
NCV8711ASN500T1G LDO稳压器,100mA,18V,1uA IQ,带PG 2020-12-17
NTBG160N120SC1 1200V,160mΩ,19.5A,N沟道碳化硅MOSFET 2020-12-17
FCB125N65S3 650V,125mΩ,24A,N沟道功率MOSFET 2020-12-02
NTDS015N15MCT4G 150V,15mΩ,50A,N沟道功率MOSFET 2020-11-25
NVBG080N120SC1 1200V,80mΩ,300A,N沟道碳化硅MOSFET 2020-11-25
NTPF360N80S3Z 800V,360mΩ,13A,N沟道功率MOSFET 2020-11-11
NVMFS3D6N10MCLT1G 100V,3.6mΩ,132A,N沟道功率MOSFET 2020-11-11
NTMFS011N15MC 150V,11.5mΩ,35A单N沟道功率MOSFET 2020-11-11
NTMFS3D6N10MCLT1G 100V,3.6mΩ,131A,N沟道功率MOSFET 2020-10-22
NTD360N80S3Z 800V,360mΩ,13A,N沟道功率MOSFET 2020-10-22
NTMFS015N10MCLT1G 100V,12.2mΩ,54A,单N沟道功率MOSFET 2020-10-22
NVMFS015N10MCLT1G 100V,12.2mΩ,47.1A单N沟道功率MOSFET 2020-10-14
NVHL050N65S3HF 650V,50mΩ,58A,N沟道功率MOSFET 2020-10-14
NVBLS4D0N15MC 150V,4.4mΩ,187A,单N沟道功率MOSFET 2020-10-14
NVTFS6H860NLTAG 80V,20mΩ,30A,单N沟道功率MOSFET 2020-10-14
NTMFS015N15MC 150V,14mΩ,61A,单N沟道功率MOSFET 2020-10-14
NTP5D0N15MC 150V,5mΩ,139A,N沟道功率MOSFET 2020-09-14
NCV8711ASNADJT1G LDO调节器,100mA,18V,带有PG ADJ 2020-08-31
NCL30486A2DR2G 智能调光CC/CV PSR控制器线路OVP,1%调光 2020-08-31
NTBG080N120SC1 1200V,110mΩ,30A,N沟道碳化硅MOSFET 2020-08-31
NTBLS4D0N15MC 150V,4.4mΩ,187A,N沟道功率MOSFET 2020-08-31
NTBS9D0N10MC 100V,9mΩ,60A,N沟道功率MOSFET 2020-08-31
NVMFS6H818NLT1G 80V,3.2mΩ,135A,单N沟道功率MOSFET 2020-08-17
NVMFS6H864NLT1G 80V,29mΩ,22A,单N沟道功率MOSFET 2020-08-17
NVMFD6H846NLT1G 80V,15mΩ,31A,双N沟道功率MOSFET 2020-08-17
NTP360N80S3Z 800V,360mΩ,13A,N沟道功率MOSFET 2020-08-17
NTTFS1D8N02P1E 25V,1.3mΩ,150A,单N沟道功率MOSFET 2020-08-17
NCN5130ASGEVB NCN5130 KNX Arduino屏蔽兼容评估板 2020-08-10
NVBG160N120SC1 1200V,160mΩ,19.5A,N沟道碳化硅MOSFET 2020-08-10
BC858CMTF 310mW,PNP外延硅晶体管 2020-05-28
ESD7351XV2T1G 3.3V,150mW,ESD保护二极管 2020-05-28
1N4740ATR 齐纳二极管,10V 1W 5% 2020-05-28
NLV74HC164ADTR2G 8位串入并出移位寄存器 2020-05-21
NLV9306USG 双向I2C总线和SMBus电压电平转换器 2020-05-21
CAT24C512HU5IGT3 512K,I2C串行存储器 2020-05-21
CAV24C32YE-GT3 32Kb,I2C CMOS串行EEPROM 2020-05-21
CAV93C76VE-GT3 汽车级8Kb微线串行EEPROM 2020-05-21
NLV74HC14ADTR2G 施密特触发入六角反相器 2020-01-07
NLVHCT244ADTR2G 八路3态非反相缓冲器 2020-01-07
MC100EP52DR2G ECL,差分D触发器 2020-01-07
MMBT100 NPN通用放大器 2020-01-07
NTSAF545T3G 沟槽肖特基整流器,低正向电压,45V,5A 2020-01-07
NRVHP820MFDT1G 200V,超快恢复双模整流器 2019-12-26
FFSD0465A 650V,4A,碳化硅肖特基二极管 2019-12-26
FFSM0865A 650V,8A,碳化硅二极管 2019-12-26
FFSPF0865A 650V,8A,碳化硅(SiC)肖特基二极管 2019-12-26
FFSPF1065A 650V,10A,碳化硅肖特基二极管 2019-12-26
FDMS3D5N08LC 80V,136A,3.5mΩ,单N通道功率MOSFET 2019-12-10
FDPF4D5N10C 100V, 128A,4.5mΩ,N通道PowerMOSFET 2019-12-10
FDPF8D5N10C 100V,76A,8.5mΩ,N沟道屏蔽栅极功率MOSFET 2019-12-10
NTB110N65S3HF 650V,30A,110mΩ,N沟道SUPERFET III MOSFET 2019-12-10
NTTFS5C453NLTWG 40V,107A,3mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-12-10
SZ1SMA5936BT3G 30V,1.5W齐纳稳压管 2019-12-10
SZMM3Z43VT1G 300mW,43V,±5%齐纳稳压管 2019-12-10
FCPF20N60 600V,190mΩ,20A,N通道功率MOSFET 2019-11-01
MB10S 0.5A,整流桥 2019-11-01
74LVC06ADR2G 具有漏极开路输出和5V容差低压六路反向器 2019-11-01
NSVF5488SKT3G 用于低噪声放大器的RF晶体管 2019-10-10
SZMMSZ5233BT1G 500mW,齐纳二极管 2019-09-19
NRVS3KB 3A,800V表面贴装整流器 2019-09-19
NSVBAS20LT3G 200V开关二极管 2019-09-19
SZSM05T1G 5V,双路共阳二极管TVS带ESD保护 2019-09-19
ESDU3121MXT5G 12V单向ESD保护器件 2019-09-19
ESD8704MUTAG 单向高速数据线保护 2019-09-19
NSVMMUN2233LT3G NPN双极数字晶体管(BRT) 2019-09-19
SZBZX84B5V6LT1G 225mW,5.6V,±2%齐纳稳压管 2019-09-03
SZMMBZ15VAWT1G 40W,15V,齐纳保护二极管 2019-09-03
SZMMSZ27T1G 500mW,27V,±5%,齐纳稳压管 2019-09-03
SZMMSZ4704T1G 17V低电流齐纳二极管电压稳压器 2019-09-03
FGH75T65SQDNL4 650V,75A,隔离门双极晶体管(IGBT),场截止型 2019-08-16
FFSB1065A -650V,10A,碳化硅(SIC)肖特基二极管 2019-08-16
FFSB1265A -650V,12A,碳化硅肖特基二极管, 2019-08-16
FFSD0665A -650V,6A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH15120A 1200V,15A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FFSH1665A -650V,16A,碳化硅肖特基二极管 2019-08-16
FQA13N80-F109 800V,12.6A,750mΩ,N沟道 QFET MOSFET 2019-07-22
NTMFS4C024NT1G 30V,78A,2.8mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-07-22
FCP20N60 600V,190mΩ,20A,N通道功率MOSFET 2019-07-22
FDP4D5N10C 100V,128A,4.5mΩ,N沟道功率Trench MOSFET 2019-06-28
FFSP15120A 1200V,15A,碳化硅肖特基二极管 2019-06-14
FCH125N65S3R0-F155 650V,24A,125mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-06-14
FCP260N65S3 650V,12A,260mΩ,N沟道功率MOSFET 2019-06-14
FFSH10120ADN-F155 共阴极碳化硅(SiC)肖特基二极管,1200V,10A 2019-05-16
LC823450XDTBG 低功耗,高分辨率音频处理片上系统(SoC) 2019-03-28
NCS2252SQ2T2G 50ns,高速低压,轨到轨,漏极开路比较器 2019-03-28
NCP134AMX110TCG 具有偏置轨和极低压差的LDO稳压器 2019-03-28
NCV8605MN18T2G 1.8V,低压差稳压器带ESD保护 2019-03-28
NCV431ASNT1G 低电压精密可调分流稳压器 2019-03-28
FAN7711MX 镇流器控制集成电路 2018-12-27
NB3N2304NZMNR4G 1:4时钟/数据扇出缓冲器 2018-12-14
NCV431BSNT1G 低电压精密可调分流稳压器 2018-11-01
NCP1340B5D1R2G 具有谷锁定切换功能的高电压准谐振控制器 2018-11-01
FFSH20120ADN-F085 1200V,20A,碳化硅肖特基二极管 2018-11-01
EFC2J013NUZTDG 12V,17A,5.8mΩ,双N沟道功率MOSFET 2018-09-21
NRVTSAF345T3G 45V,3A,沟槽型肖特基功率整流器 2018-09-21
FOD8314T 1.0A 输出电流,栅极驱动光耦合器 2018-08-23
NSVMUN5314DW1T3G 互补双极数字晶体管 2018-08-23
NVGS4111PT1G 单P沟道功率MOSFET,-30V,-4.7A 2018-08-23
NCP135AMT040TBG 0.5A,0.4V输出低压差稳压器 2018-08-23
FFSP1265A 650V,12A,碳化硅肖特基二极管 2018-08-23
NCP114ASN120T1G 1.2V,300mA,CMOS 低压差稳压器(LDO) 2018-06-13
SMMBT2369ALT1G 15V,200mA,NPN双极晶体管 2018-06-13
CPH6904-TL-E 25V,20~40mA,40mS N沟道JFET 2018-06-13
CAV25320YE-GT3 32-Kb SPI串行CMOS EEPROM(汽车级) 2018-06-13
NCP1239BD100R2G 用于带HV启动的反激式转换器的固定频率电流模式控制器 2018-06-13
2SC6097-TL-E 60V,3A,NPN低VCE(Sat)晶体管,60V,3A 2018-06-13
SZMM3Z13VT1G 300mW,13V,±5%,齐纳稳压二极管 2018-05-10
NB100LVEP221MNRG 2.5V/3.3V,2:1:20差分,HSTL/ECL/PECL,时钟/数据扇出缓冲器 2018-05-04
NSR05F30NXT5G 30V,0.5A肖特基二极管 2018-04-28
NSPM1041BMUTBG 4.8V,125A,ESD保护二极管 2018-04-28
NSV1C200MZ4T1G 100V,2A,PNP型低VCE(sat)晶体管 2018-04-28
NCP431BCSNT1G 基准电压源,低阴极电流,可编程并联稳压器 2018-04-28
SZMMSZ5249BT1G 500mW齐纳二极管 2018-04-28
NCV2200SN1T1G 低电压互补型比较器 2018-04-28
NCV303LSN40T1G 具有可编程延迟N通道输出的电压检测器 2018-04-28
NCV8161ASN280T1G 2.8V输出,450mA超低噪声,高PSRR LDO稳压器 2018-03-29
NLV17SZ14DFT2G 带施密特触发器输入的单路反相器 2018-03-29
NCV303LSN45T1G 4.5V电压检测器带可编程延迟 2018-03-29
NCV3066MNTXG 带ON/OFF功能的高达1.5A,恒流LED开关稳压器 2018-03-21
SZMMSZ6V8T1G 500mW,6.8V,±5%齐纳稳压管 2018-02-08
MUN5213DW1T1G 双偏置电阻晶体管 2017-12-15
MMBT2907AM3T5G PNP通用型晶体管 2017-12-15
NB3V1102CMTTBG 3.3V/2.5V/1.8V,LVCMOS,低斜率扇出缓冲器 2017-12-15
NVLUS4C12NTAG 30V,9mΩ,10.7A,单N沟道功率MOSFET 2017-12-15
NTTFS4C02NTAG 30V,2.25mΩ,170A,单N沟道功率MOSFET 2017-12-15
NCV2211DR2G 带差分输出/关断模式的低失真音频功率放大器 2017-12-15
MC10EP016FAG 3.3V/5V,ECL,8位同步二进制加法计数器 2017-11-23
NCP114ASN150T1G 1.5V固定输出,300mA,CMOS低压差稳压器 2017-11-09
NB7L585MNR4G 2.5V / 3.3V 差分2:1输入到1:6 LVPECL时钟/数据输出缓冲器/转换器 2017-10-19
MC100EP195BFAG 3.3V ECL,可编程延迟芯片 2017-10-10
LM2901EDR2G 单电源,36V,四通道,比较器 2017-09-28
NLHV4157NDFT2G 负电压SPDT开关 2017-09-28
NCV8720BMT180TBG 1.8V固定输出,350mA,极低压差LDO稳压器 2017-09-28
MC33269DR2-5.0G 800 mA,输出可调的低压差稳压器 2017-09-19
LM358EDR2G 单电源,双路运算放大器 2017-09-05
SBC856BWT1G -66V,-100mA,PNP型通用双极晶体管 2017-09-05
NLHV4051DTR2G 8:1,500Ω(Ron),模拟多路复用器/解复用器 2017-09-05
NCS2003ASN2T1G 单路7MHz,高压摆率,轨到轨输出,运算放大器 2017-08-17
NCP81234MNTXG 具有双回路功能,可配置,DrMOS兼容的多相控制器 2017-08-17
CAT24C04HU4I-GT3 4Kb,I2C串行EEPROM存储器 2017-08-11
N24C02UDTG 2Kb I2C CMOS串行EEPROM 2017-07-26
NCS20032DTBR2G 低电压,轨到轨输出,高压摆率,运算放大器 2017-07-26
NCV8160AMX180TBG 用于射频和模拟电路的1.8V固定输出,250mA,低压差稳压器 2017-06-02
NCV8161AMX180TBG 用于射频和模拟电路的1.8V固定输出,450mA,低压差稳压器 2017-06-02
NCV8161AMX280TBG 用于射频和模拟电路的2.8V固定输出,450mA,低压差稳压器 2017-06-02
工业4.0趋势强劲,工厂自动化议题备受关注,而始终在工厂自动化扮演重要设备的马达(Motor),有研究机构显示其消耗的电力约为全球电力供应的50%。随着半导体及马达驱动技术的进步,如何提升马达运转效率降低能源损耗......[详情]
本文作者:安森美(onsemi)现场应用工程师Tom Huang压缩机是汽车空调的一部分,它通过将制冷剂压缩成高温高压的气体,再流经冷凝器,节流阀和蒸发器换热,实现车内外的冷热交换。传统燃油车以发动机为动力,通过皮......[详情]
随着近几年云计算、大数据技术的爆发式演进,服务器作为支撑数字经济时代的基石设施,其部署规模正以前所未有的速度激增,正如《2022-2023全球计算力指数评估报告》显示,中国整体服务器市场规模在2017至2022年的复......[详情]
汽车市场正在转向区域控制器架构的趋势方向,而汽车区域控制器架构正朝着分布式、集成化、智能化的方向发展,以实现更高效的数据处理、功能整合与自动驾驶支持。基于区域控制器架构带来很多设计的机会与挑战,例如Sm......[详情]
在当今全球汽车工业驶向电动化的滚滚浪潮中,一项关键技术正以其颠覆性的性能改变着电动汽车整体市场竞争力的新格局,它便是基于碳化硅(SiC)材料打造的主驱逆变器。就像电子领域的"黑科技"催化剂,SiC正......[详情]
不断提升能效的需求影响着汽车和可再生能源等多个领域的电子应用设计。对于电动汽车 (EV) 而言,更高效率意味着更远的续航里程;而在可再生能源领域,发电效率更高代表着能够更充分地将太阳能或风能转换为电能。 在......[详情]
汽车电气化推动了电子保险丝"eFuse"取代机械继电器和熔断器,以实现更紧凑、更高效的解决方案。NIV3071 eFuse可保护下游电路免受过流、过温和接地短路事件的影响,并可通过开漏FAULT引脚提供故障指示器。......[详情]
随着能源需求的扩大,电流和电压值也会上升。在许多应用中,更高的电压变得更为常见,即使在独立应用中也是如此。具有更高电压的应用都被认为存在危险,包括电动汽车 (EV),能源基础设施应用,例如直流快速充电 (DCF......[详情]
充电时间是消费者和企业评估购买电动汽车 (EV)的一个主要考虑因素。为了缩短充电时间,业界正转向采用直流充电桩 (DCFC)。DCFC绕过电动汽车的车载充电器,直接向电池提供更高的功率,从而大大缩短充电时间。 为了实......[详情]
我们所处的世界正在日益变得自动化,这不仅带来了极大的便利,同时也节省了时间和成本。在许多应用中,特别是在工业和汽车领域,电机是实现自动化的关键组件之一。因此,我们需要对电机进行精确控制,而重点便是了解......[详情]
在现代汽车和工业应用中,可靠性至关重要。从汽车域控制器,到工业应用中的计算机数控等产品,无论最终产品是简单还是复杂,如果不能保证可靠性,就很可能损害制造商的声誉。此外,还需要考虑保修维修的成本,甚至是......[详情]
从机器人到网络摄像头,依赖图像数据来实现安全操作或执行核心功能的应用数量和种类不断增加。而对于拍摄这些图像的传感器来说,现代应用带来了许多挑战,要保证图像精度就必须克服这些挑战。 比如,在车辆或安防摄......[详情]
汽车应用的电气化和自动化趋势推动了域控制器的兴起,用以减轻线缆重量并将车辆架构简化为多个局部化的电源中心。 设计人员可以利用这种新兴架构,将传统保险丝和机械继电器替换为更紧凑的电子保险丝 (eFuse),以提......[详情]
一些新出现的应用使地球的未来充满了激动人心的可能性,但同时也是人类所面临的最大技术挑战之一。例如,虽然太阳能可以提供无限的能源,但要想成功商业化,设计人员必须提供更高的功率和效率,同时不增加成本或尺寸......[详情]
预计在未来五年,住宅太阳能系统的数量将大幅增长。太阳能系统能为家庭提供清洁和绿色的能源,用于为家用电器供电,为电动汽车充电,甚至将多余的电力输送至电网。有了太阳能系统,即使发生电网故障,也不用担心。本......[详情]
如今,碳化硅 (SiC)和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体风头正盛。但在此之前,绝缘栅双极晶体管 (IGBT)才是电力电子行业的主角。本文将介绍IGBT在哪些应用中仍能发挥所长,然后快速探讨一下这些多用途器件的未来前景。 ......[详情]
效率和尺寸是电源设计的两个主要考虑因素,而功率因数校正 (PFC)也在变得越来越重要。为了减少无功功率引起的电力线谐波含量和损耗,尽可能降低电源运行时对交流电源基础设施的影响,需要使用 PFC。但要设计出小尺寸......[详情]
随着人口的老龄化,加上人们越来越关注自己的健康和福祉,医疗专业人员面临着越来越大的压力,需要远程提供诊断、监测和治疗服务。 直到最近,人们依然需要前往诊所或医院等医疗机构问诊或持续监测病情。但由于生活......[详情]
自主移动机器人 (AMR) 为不同领域和行业带来了诸多优势,包括提高了安全性和效率。然而,为了能够安全、独立地工作,这些复杂的系统需要精心集成多项技术。在开发 AMR 时,设计阶段在很大程度上决定了 AMR 成功与......[详情]
照明、传感器和通信技术是实现自主移动机器人(AMR) 的关键支持技术,用于确保机器人能够看见、感知现实世界并与现实世界交互。本文介绍了设计子组件的基本注意事项,并介绍了安森美 (onsemi) 提供的适用于各应用的方......[详情]
向自动驾驶过渡的趋势,加上公众对无人驾驶汽车安全性的担忧,使网络安全成为汽车原始设备制造商(OEM)的首要关注点。必须保障汽车系统的完整性和对车辆的控制,从而确保驾驶员、乘客和行人的安全。网络安全对于通过......[详情]
凡是有价值的资产,企业都会密切监控它们的位置。事实上,定位系统 (LFS)可用来提高零售、物流、医疗保健、智能建筑等领域的安全性、生产力和效率。LFS通常基于无线"标签",这些标签几乎可以应用于任何物......[详情]
碳化硅 (SiC)是一种新兴的新型宽禁带 (WBG) 材料,特别适用于具有挑战性的应用。然而,由于 SiC 相对较新(尽管网上有大量信息),大家对它的诸多不了解限制了设计人员对它的充分利用。 图 1:SiC 晶圆图片 有些人......[详情]
智能驾驶如今渐渐成为汽车的一个常见功能,它增强了汽车和驾驶员的感知能力,降低了驾驶员的工作强度,同时可以有效提高行车的安全性。这其中,基于CMOS 图像传感器的摄像头是智能驾驶系统感知外界环境的主要工具之......[详情]
图像传感器一直是机器和机器人在工厂和仓库中识别物体的关键。能够利用"所看到的"来了解所处的环境,这提高了图像传感器的性能标准。需要知道的是,没有任何一个传感器解决方案能适用于所有应用;因此,可......[详情]
几年前,设计人员主要依靠基础资料手册和自己掌握的知识来选择元件,并将元件整合到设计中。如今,许多半导体公司已经认识到,为了在越来越短的时间期限内将复杂设计推向市场,设计人员承受着巨大的压力,因此现在需......[详情]
便捷高效的充电能力是所有纯电动汽车 (BEV) 成功的关键。充电的地方越多,充电的速度越快,大众就越有可能购买 BEV,而非燃油车。 但是,要让设计的电动汽车快速充电桩紧凑、高效且可靠,并非易事。除了实际的转换电......[详情]
安森美 (onsemi) 最近发布了Elite Power 仿真工具和PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG)。Elite Power 仿真工具配以 PLECS,为客户提供一个便利的在线环境。与当前的行业水平相比,Elite Power 仿真工具带来了一些新的......[详情]
最近,碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体的应用日益增多,受到广泛关注。然而,在这些新技术出现之前,许多高功率应用都是使用高效、可靠的绝缘栅双极型晶体管 (IGBT),事实上,许多此类应用仍然适......[详情]
自电动汽车 (EV) 在汽车市场站稳脚跟以来,电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统、更大的电池容量和更短的充电时间。为满足客户需求和延长行驶里程,电动汽车制造商不断增加车辆的电池容量。然而,电池越大,......[详情]
为了提高效率和性能,工业自动化越来越受欢迎。在自主移动机器人 (AMR)、仓库机器人、无人机、农业、工厂检查和安防/监控等应用场景,会实施基于机器视觉的人工智能 (AI) 与先进技术来执行关键功能。要想提高现有......[详情]
对图像传感器的认识误区:传感器类型 如今,摄像头已随处可见,工厂、车辆、公共建筑、街道……其数量还在不断增多。大部分摄像头依靠图像传感器将场景中的光线转换为电子图像,因而推升了对图......[详情]
精密的自动控制系统需要精确的位置测量,尤其是在机器人等工业应用中,要实现精确的电机控制,需要高度精确的测量。感应式编码具有高精度、高稳定性和其他具吸引力的优势。 安森美(onsemi)开发了一款全新旋转式工业......[详情]
随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加,汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品,竞争日益激烈。由于 EV 的电机需要高千瓦时电源来驱动,传统的 12 V 电池已让位于 400-450 V DC......[详情]
图像传感器的应用日益普及,特别是在安防、工业和汽车应用领域。很多汽车现在都配备了至少五个以上基于图像传感器的摄像头。但是,图像传感器技术不同于标准半导体技术,存在着一些错误认知。 摩尔定律和图像传感器 ......[详情]
支持蓝牙低功耗 (LE) 的设计可让设备长时间处于非工作状态,因此,您可能需要选用具有超低功耗睡眠模式的高能效无线微控制器 (MCU),这对于优化整体系统性能至关重要。 设计人员应当仔细选择采用蓝牙低功耗技术的 MC......[详情]
自动驾驶是所有汽车 OEM 在这个时代面临的新一波重要趋势。近年来车辆中的电子控制单元 (ECU) 数量显著增加,覆盖驾驶辅助摄像头和数据融合等各类应用。这些 ECU 各自的功耗也有所增加。根据应用和工作范围,预稳......[详情]
随着消费者对电动汽车 (EV) 的需求和诉求持续增强,直流快速充电市场在蓬勃发展,市场对快速充电基础设施的需求也在增加。预测未来五年的年复合增长率 (CAGR) 为20%至30%。如果您是在电力电子领域工作的一名应用、产......[详情]
碳化硅 (以下简称"SiC") 是制造大功率器件最有前景的半导体材料之一,具有出色的物理特性。基于SiC的器件具有高饱和电子漂移速度、高热导率和高击穿电场,相较Si MOSFET, 基于SiC器件 的系统能以更小的尺......[详情]
当前我们对图像传感器的依赖程度超出了大多数人的想象。图像传感器应用在汽车上,帮助我们避免碰撞;应用于建筑监控,防止非法入侵;应用于生产线,检查产品的质量。有趣的是,人们经常按照像素大小和分辨率等非常简......[详情]
三相永磁无刷直流(以下简称"BLDC")电机控制需要一个电子换向电路,而传统的有刷直流电机是采用机械自换向的方式。与有刷直流电机不同,BLDC电机没有电刷,无需定期维护或更换,因而不易受到磨损。我们将......[详情]
有两种瞬态响应。首先,负载瞬态响应是当低压降稳压器(LDO)提供的负载电流发生变化时,在LDO输出端出现过冲或下冲。第二,线路瞬态响应是当连接的电压在LDO输入端发生变化时,在LDO输出端发生过冲或下冲,具有不同的......[详情]
安森美(onsemi)的蓝牙低功耗(Bluetooth LE)器件在业界掀起浪潮有好几年了。2017年,安森美发布了RSL10,这是其在Bluetooth LE领域的第一款产品。随后在2021年发布了RSL15,此后安森美继续以Bluetooth LE的规格开发......[详情]
直流快速充电(以下简称"DCFC")在消除电动车采用障碍方面的作用是显而易见的。对更短充电时间的需求推动近400千瓦的高功率电动车快充进入市场。本文将讲述典型的电源转换器拓扑结构和用于DCFC的AC-DC和DC......[详情]
CMOS 图像传感器的电源布局会显著影响分辨率、帧率等性能。本文讨论针对此应用设计电源方案时的重要考量。 CMOS 图像传感器的内部结构 典型的 CMOS 成像系统包含有源像素颜色阵列、模拟信号处理电路、模数转换器和......[详情]
工业或工厂自动化是 BLDC 电机在工业细分领域增长最快的终端应用之一。随着工厂从更传统的有刷或步进电机转向 BLDC发展,以获得更高的效率和性能,对三相栅极驱动器的需求也在增长。在工厂机器人和协作机器人等终端......[详情]
梯形控制是无刷直流(以下简称"BLDC")电机最简单的控制方法之一,它施加方波电流,使电机相位与BLDC电机的梯形反电动势波形对齐,以获得最佳转矩。BLDC 的梯形控制适用于白家电、制冷压缩机、暖通空调(H......[详情]
电池供电的不间断电源 (UPS)在保护数据中心、医疗设施、工厂、电信枢纽甚至家庭中的敏感设备免受短期电网尖峰和停电影响方面非常重要。在停电时间较长的情况下,它们能够提供必要的短期电力,以实现有准备的断电,防......[详情]
第四次工业革命,或简称工业4.0,正在改变现代工厂内的通信模式。网络必须支持更精密的联接方案,以满足日益增长的边缘节点感知和计算需求。企业需要一个可靠的从上到下的以太网方案,以支持更高的数据速率、越来越......[详情]
严格的排放法规、更全面的电动汽车(以下简称"EV")选择、易于使用直流快速充电 (以下简称"DCFC") 基础设施以及总体拥有成本的降低,推动了电动汽车市场的增长。消费者改变观念以支持绿色倡议进一......[详情]
所有建筑物--无论是家庭、商业还是工业--都需要内部照明。LED 照明已基本上取代了白炽灯和卤素灯泡,但照明的供电和使用方式并没有太大变化。让我们快速回顾一下照明的当前发展,然后考虑新的更明智的方法来使用照明......[详情]
毋庸置疑,KNX 被视为用于建筑物和家庭自动化的一个领先协议,KNX 协会认证的产品超过 8,000 种,有500 家成员公司,与覆盖 190 个国家的近 100,000 个安装合作伙伴结盟。事实上,KNX 是唯一真正开放且独立于供应......[详情]
继Wi-Fi 6E之后,第7代Wi-Fi,也被称为IEEE 802.11be或Wi-Fi 7即将开启!这将是有史以来最快的Wi-Fi技术并带来变革,为我们日常生活中的网络和在线活动提供好得多的用户体验。它将赋能并加速许多高要求的应用,如8K......[详情]
随着现代世界的自动化,感知在所有领域的重要性都在上升。传感器有许多类型,从最简单的监测单个参数(如光或温度)的器件到更精密的器件,如能以惊人的帧速率记录整个场景以供分析的图像传感器。 图像传感器越来越......[详情]
上桥 SmartFET 因其易于使用和高水平的保护而越来越受欢迎。与标准 MOSFET 一样,SmartFET 非常适合各种汽车应用。它们的区别在于内置在上桥 SmartFET 器件中的控制电路。控制电路持续监控输出电流和器件温度,同时......[详情]
电动马达在今天的工业和日常生活中发挥着至关重要的作用。各种应用--从家电到汽车和重工业机器人--都采用无刷直流(BLDC)和交流电机,因为它们能效高,可定制性更广。交流和BLDC电机在许多应用中都是首选,因为它们的......[详情]
雨量和光传感器是小型光电模块,通常位于车辆后视镜内。这些传感器根据入射的阳光和反射的红外光闪烁捕获当前的驾驶条件,并通过本地互联网络(LIN)接口向车身控制模块提供这信息。控制模块可利用这些信息实现各种系......[详情]
汽车行业正在进入一个奇妙的时代,技术进步和电子产品改变了生态系统和价值链。汽车正在从根本上改变,从仅仅用来把我们从A点送到B点的工具变成智能的、全联接的枢纽,为消费者带来各种新的体验,为OEM和服务提供商......[详情]
随着业界在大电流电机控制应用中用固态开关取代机械继电器,FLEXMOS™产品组合中的智能门极驱动器可与外部MOSFET配对使用。安森美(onsemi)的预驱动器方案赋能可扩展的设计灵活性,以满足不同的负载要求,可......[详情]
在汽车上安装我们大多数人都知道(或喜欢或鄙视)的高天线杆的日子早已过去。这些旧的天线样式很适合标准的AM和FM模拟无线电接收。但今天的车辆接收更多的无线内容,如Sirius XM卫星广播、GPS定位服务、数字音频频......[详情]
工业制造商可能对无线联接设备有几个担忧,首先是网络安全威胁。为几乎任何设备添加某种形式的ISM或免授权的无线接口相对容易,但要以一种您能确保安全的方式来实现就比较难了。另一个问题是电源。深度嵌入式设备通......[详情]
长期以来,我们一直以极限值定义事物:最小或最大,价格范围,或距离范围。通常情况下,我们倾向于忽视标称值。不总是用极端值来定义事物,有时用其标称值来定义是有意义的。在WebDesigner+ Power Supply工具中,我......[详情]
自工业革命开始以来,日益精密的自动化水平推动了全球生活水平的大规模提高。下一个浪潮,通常被称为 "工业4.0",将进一步提高各种自动化应用的效率和生产力。 安森美(onsemi)设计了RSL10传感器开发套件,......[详情]
汽车前端照明通常放置37颗LED光源,其功能包括远光灯20瓦、近光灯20瓦、位置灯10瓦、日间行车灯10瓦、转向灯10瓦、角灯6瓦、矩阵式远光灯60瓦等。针对不同功率的LED光源,onsemi公司均有相应完整的驱动解决方案。 分......[详情]
实时定位系统 (RTLS) 像用于智能建筑的许多技术一样,使用射频联接进行数据通信。它主要用于确定物体、资产甚至是人在一个定义区域内的位置。如果该区域也被绘制成地图,那就可以绘制和跟踪相对于其他物体的绝对位置......[详情]
大多数人认为电动车(EV)是一种新事物,但19世纪建造的首批汽车中有一些是电动汽。此后内燃机(ICE)汽车迅速占领了市场,而电动车在大多数情况下很快就被遗忘了。在20世纪70年代的石油危机期间,以及在20世纪90年......[详情]
无论是超市还是百货公司,货架和库存管理都是任何线下零售业务的核心。完美的零售货架可以增强商店的布局设计,并可以创造一个对顾客有诱惑力的环境。一个战略性规划的零售货架可以最大化顾客与展示的产品的联接,并......[详情]
人为错误是导致道路交通事故的主要原因。现代汽车配备了图像传感摄像头,可看到周围的环境,并帮助驾驶员做出及时的决定,以避免在极具挑战的道路/天气条件下发生车祸。车道保持、交通灯识别和预碰撞制动等安全功能......[详情]
前言 无刷直流电机(BLDC)设计很复杂。在大量的MOSFET、IGBT和门极驱动器产品组合中开始选择电子器件(旧的起点) 是茫然无助的。 安森美(onsemi)提供帮助,带来一个 "新的一阶近似值起点",提供与开关(N-F......[详情]
处处都要安全 随着时间的推移,汽车行业中安全攸关项目的数量呈指数级增长。根据2020 年威尔逊研究小组(Wilson Research Group)功能性验证研究,在目前开发的所有汽车安全攸关的设计项目中,超过 60% 的项目需要符合......[详情]
世界上消耗的大部分电力都供应给某种形式的AC-DC 电源单元(PSU),这意味着它们的能效在运行成本和影响环境的排放方面很重要。在最简单的层面上,能效是从电网汲取的功率与提供给负载的有用功率之比。但是,如果线路......[详情]
NCP1095接口控制器已获以太网联盟(Ethernet Alliance) 认证为以太网供电(PoE)认证计划的一部分,成为首批完全符合IEEE 802.3bt 90瓦标准的器件之一。 最近由以太网联盟宣布的第2代PoE认证计划旨在使可互操作的产品能......[详情]
对于许多小的、便携式物联网(IoT)应用,“圣杯”是无线联接使用的纽扣电池使用寿命达10年。这并非易事,因为大多数便宜的纽扣电池提供的最大容量仅约240 mAh。通过选择睡眠电流消耗低的无线电系统......[详情]
一个多世纪以来,车辆一直由内燃机(ICE)驱动。但您一定注意到了,随着电动车(EV)的推出,情况正在迅速发生变化。整个汽车行业和主流新闻媒体都在讨论这个话题。 当我们想到 EV 时,很多人会想到纯电池电动车 (BE......[详情]
电机在现代生活中无处不在,从气候控制、电器和商业制冷到汽车、工厂和基础设施。根据国际能源署(International Energy Agency)的数据,电机占全球总电力消耗的45%,因此电机驱动电子产品的可靠性和能效会对世界各......[详情]
近年来,照明已从由白炽灯或荧光灯组成的只能照亮空间的相对低技术领域迅速向不断增长的高科技市场发展。 照明领域的这场革命在很大程度上得益于有了低功耗的LED和高效、越趋智能的照明驱动器。 虽然许多人可能认为......[详情]
提供所需的功率水平以安全高效地实现更快的电动汽车(EV)充电和支持加速采用并非易事。基于硅的开关器件的进一步显著改进变得越来越具有挑战性,领先的半导体器件制造商如安森美半导体正采用新材料提供具有电动汽车快......[详情]
电动汽车(EV)变革在持续着。在交通史上它曾起步失误,但这次不会停下。这场变革将如何影响汽车交通是一个发展中的故事。随着技术和发电的进步,在不久的将来,许多车辆将有电动动力总成的选项或标准产品。 每天您都......[详情]
如今的智能手机广告几乎都包含了手机背面摄像头的绚丽慢镜头。最新的智能手机机型上的摄像头已经成为创新的领先指标,也是厂商用来区别于竞争对手的一项功能。除了多镜头和图像传感器外,新的相机技术还提供了更高的......[详情]
采用超低功耗、事件触发的传感器和机器视觉方案,电池使用寿命以年来衡量,您可实现什么? 当今的物联网(IoT)应用比以往任何时候都更多样化。传感器众多,人工智能 (AI) 革命正在进行中,且新技术不断涌现。机器视......[详情]
我们可通过传感技术来获取有关周围环境的信息,从而使我们的日常生活受益:提高任务效率,增强安全性,或纯粹出于娱乐目的。LiDAR是这样一种传感技术,使用激光来测量到物体的距离,并可用于创建周围环境的3D模型。L......[详情]
辅助电源单元在电池电动汽车(BEV)和混合动力电动汽车(HEV)的电源应用中无处不在,对于为控制、通信、安全、驱动等通常低于20 V的各种低压子系统供电至关重要,而且,电源本身的电源可能来自+400 V直流高压总线,如......[详情]
在电力系统设计中,提供电气隔离通常是必要的。保持高低压域电隔离,防止电流在它们之间流动,否则可能导致严重的安全问题。当然,隔离的域仍需要进行交互,让数据在它们之间传输。 尽管隔离很普遍,但是有效地实现......[详情]
对于许多过渡到在家工作的人来说,我们的家庭无线联接已成为我们工作和个人生活的关键。许多人都在期待即将发布的Wi-Fi 6E,它使用的是全球6 GHz频段的新的非授权频谱。美国、英国、韩国、巴西和欧盟等国家已经提......[详情]
在这科技时代,家庭中的联接设备数在近几年激增。消费者比以往任何时候都更关注物联网(IoT)设备,如家庭自动化、4K /高清视频流和在线游戏,这进而使通过互联网传输的数据量增加了三倍。因此,在选择您的下一个路由......[详情]
电力电子在当今世界无处不在:半导体的隐藏功能,可实现广泛应用,从家电和消费品到数据处理和无线网络,再到日趋电子化的汽车。电力电子系统以极高能效在交流和直流形式之间以及直流电压之间转换电力,从而使更多的......[详情]
LiDAR代表“光探测和测距”,是一种用于测量物体距传感设备的距离的技术。使用的原理与雷达(RADAR)非常相似,但使用LiDAR时,无线电波被光(通常是激光)代替。LiDAR系统发出的光束射到目标上,然......[详情]
用于开发电机控制方案的新生态系统,结合硬件、软件和功率模块,以实现快速开发 2020年11月10日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出先进而灵活的电机开......[详情]
该平台展示使用安森美半导体硅光电倍增管(SiPM)传感器专知的直接飞行时间激光雷达 2020年11月10日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出了由该公司硅光电倍......[详情]
成像技术用于众多门禁和安防应用,包括智能可视门铃和锁。为了防止安全威胁,现在使用3D技术来增强应用程序的面部识别能力。为简化智能门禁和智能视频方案的开发,安森美半导体与Ambarella和Lumentum合作开发了3D感......[详情]
电机是全球电力的主要使用者,约占工业用电量的三分之二。据国际能源署报告,电机约占全球总用电量的45%。因此,提高电机驱动系统的能效对工业和其他电力消费者的成本具有重大影响。一种提高能效的方法是从交流线路......[详情]
电动机的大功率驱动系统是工业自动化和机器人系统的关键组件,因为它们消耗的电能超过一半。这些驱动系统在实现节能方面具有核心作用。自动化的步伐不断加快,使电机驱动系统成为未来行业的核心。 在更大功率下提高......[详情]
就像最近十年智能手机的发展一样,其他不断增长的市场也要求缩小的外形尺寸以及更多的功能和便携性。细分无人机市场在迷你型和微型无人机呈现出增长。我们看到助听器或耳机市场的显著增长,提供语音识别、接近传感器......[详情]
随着网络规模的扩大,对电力的需求也大幅增加。以太网已经是技术生态系统的关键部分,新的以太网供电(PoE)通用标准(IEEE 802.bt)将通过提供高达90瓦(W)的功率,帮助实现一些新的应用。安森美半导体的PoE受电设备(P......[详情]
汽车照明仍是汽车最重要的部分之一,并且这一领域的创新仍在继续。汽车厂商现在正添加新的颜色和功能到传统照明系统,以提供增强的美学吸引力和定制性,并提高安全性。随着汽车行业向全自动驾驶汽车 (AV) 发展,照......[详情]
该平台提供最先进的效率 ( >95.5% ),包括 AEC-Q101 SiC 电源器件和用于两级交流充电的驱动器。该套件采用模块化设计,带有多块电路板,并配有可执行的数字控制软件和图形用户界面,有助于在 OBC 应用中,测试和......[详情]
BLE 蓝牙模块采用安森美半导体 RSL10 蓝牙 5.0 BLE 芯片,模块引出主要应用 IO,板载晶振及陶瓷天线,用户拿到模块即可进行开发。针对场景应用、开发透传、HID、电表、IBeacon、电动牙刷等固件,可根据客户需求进一......[详情]
PoE(Power Over Ethernet),是指通过 100BASE-TX、1000BASE-T 以太网网络供电。通过这种方式,可以有效的解决 IP 电话、无线 AP、便携设备充电器、刷卡机、摄像头、数据采集等终端的集中式电源供电,对于这些终端......[详情]
利用可穿戴技术可以把多媒体、传感器和无线通信等技术嵌入人们的衣着中,可支持手势和眼动操作等多种交互方式。 应用框图 推荐器件展开全部系统监控(3) NCP360MUTBG具有内部 PMOS FET 和状态标志位的 USB 正电压过......[详情]
辅助小册子
文件 修订日期
onsemi_Device_Nomenclature_TND310-D.PDF New Apr,2024
System_Solution_Guide_48V_Starter_Generator.PDF New Mar,2024
System_Solution_Guide_Machine_Vision.PDF New Mar,2024
System_Solution_Guide_Offline_SMPS.PDF New Mar,2024
System_Solution_Guide_Solar_Inverter.PDF New Mar,2024
System_Solution_Guide_Uninterruptible_Power_Supply_(UPS).PDF New Mar,2024
System_Solution_Guide_On_Board_Charger_(OBC)_2024.PDF Mar,2024
System_Solution_Guide_Battery_Energy_Storage_System.PDF Jan,2024
System Solution_Guide_48V-12_DC-DC_Converter.PDF Dec,2023
System_Solution_Guide_Connected_Lighting.PDF Dec,2023
System_Solution_Guide_On_Board_Charger_(OBC).PDF Oct,2023
Future-Proofing_Your_Silicon_Carbide_Design_A_Guide_for_Automotive_Manufacturers.PDF Sep,2023
Energy_Storage_System_Solutions.PDF Aug,2023
Power_Supply_Solutions.PDF Jun,2023
RSL15-Product-Presentation.pptx Apr,2023
RSL15-One-Pager.pptx Apr,2023
HV-Application-ICPSD-EV-Collateral-Q1-2023-ver2.pdf Mar,2023
Traction-Inverter-ICPSD-EV-Collateral-Q1-2023-ver2.pdf Mar,2023
Solution-Customer-Presentation-Solar-Inverter-23Q1.pptx Mar,2023
Tire-Monitoring-System.pptx Mar,2023
NCN26010-10BASE-T1S-MACPHY-Controller-Overview-Public-2.17.23.pptx Feb,2023
Fighting-Guide-SiC-Jan2023-Public.pptx Jan,2023
EcoSpin-Customer-Prez-1Q23-V1-3.pptx Jan,2023
1200V-Gen-7-Diode-Bare-Die-Jan31-2023.pptx Jan,2023
Energy-Infrastructure-ICPSD-Industrial-Collateral-Q1-2023.pdf Jan,2023
Industrial-Automation-ICPSD-Industrial-Collateral-Q1-2023.pdf Jan,2023
ASG-Automotive-Solution-Overview-Q4-2022.pptx Nov,2022
NCV12711-Technical-Presentation-V1.pptx Nov,2022
NCV51513-Technical-Presentation.pptx Sep,2022
xEV-Aux-PSU-Overview-Q3-22.pptx Sep,2022
Standard_Gate-Driver_Optocouplers_Aug_2022.pdf Aug,2022
RSL15-Product-Presentation-July-2022.pptx Jul,2022
HART-Overview-July-2022.pptx Jul,2022
What_is_Visible_Light_Communication_June_2022.PDF Jun,2022
SiPM-Sensors-Product-Overview-Tables-June-2022.pdf Jun,2022
C-J-Series-SiPM-Products-for-Med-Bio-Rad-Jun-2022.pptx Jun,2022
NCN26010-10BASE-T1S-MACPHY-Ethernet-Controller-Brochure-6-23-22.pdf Jun,2022
first-step-guide-of-onsemi-Battery-Sensing-Fuel-Gauge-Rev.O-14Jun2022.pptx Jun,2022
Power_Packages_Heat_Sink_Mounting_Guide_May_2022.pdf May,2022
Industrial-Ethernet-10Base-T1S-Overview-Public-May-2022.pdf May,2022
PoE-Product-Selector-May-2022.pptx May,2022
KNX-Arduino-Shield-EVBs-May-2022.pptx May,2022
onsemi-IGBT-Presentation-May-2022.pptx May,2022
Mounting_Instructions_for_PIM_Modules_(Q0,_Q1,_Q2,_F1,_F2)_Apr_2022.pdf Apr,2022
NCV51705-Customer-Presentation-Apr-2022.pptx Apr,2022
Isolated-DC-DC-Q2-22-Public.pptx Apr,2022
onsemi-s-300-W-TP-PFC-LLC-UHD-Design.pptx Mar,2022
AC-DC-Controller-PD-Solutions-Mar.2022.Public.pptx Mar,2022
ASG-Isolated-Drivers-Update-Q1-22.pptx Mar,2022
FAN73912, FAN73912A-Technical-Presentation-2022_rev1.2.pptx Feb,2022
Reading_onsemi_IGBT_Datasheets_Jan_2022.pdf Jan,2022
NCP1681-launch-product-presentation-Q1-2022.pptx Jan,2022
NCP1680-Product-Presentation-Q1-2022.pptx Jan,2022
M-Bus-Product-Presentation-Jan-2022.pptx Jan,2022
RSL10-Customer-Presentation-Jan-2022.pptx Jan,2022
NCL3048xB.pptx Jan,2022
NCL3x076.pptx Jan,2022
NCP1118x.pptx Jan,2022
NCV1362 - AEC Qualified PSR Flyback Controller.pptx Dec,2021
NCV51561 - High Performance Isolated Drivers.pptx Dec,2021
RSL15 - Bluetooth® 5.2 Secure Wireless MCU.pptx Dec,2021
NCV4390 Technical Presentation.pptx Dec,2021
Fast DC EV Charging Customer Presentation.pptx Dec,2021
Fast EV DC Charging Solution Playbook.pptx Dec,2021
650V TMPIM.pptx Oct,2021
AR0821CS 8MP 4K CMOS Digital Image Sensor.pptx Oct,2021
NCP59763 Low Voltage Linear Voltage Regulator (LDO).pptx Oct,2021
NCID9210 High Speed Dual-Channel, Bi-Directional Ceramic Digital Isolator.pptx Oct,2021
NCP3237 - 8A Integrated Synchronous Buck Regulator.pptx Sep,2021
FAN251015,30,40 - Fixed Frequency 15A–40A Buck with PMBUS.pptx Sep,2021
NCP45610 NCP45650 - ecoSWITCH Gen 3.pptx Sep,2021
NCD57090x Isolated Gate Driver.pptx Aug,2021
NCP1343 Quasi-Resonant Flyback Controller.pptx Aug,2021
NCP1680 Totem Pole CrM PFC Controller.pptx Jul,2021
NCL31000 NCL31001 - Intelligent LED Driver.pptx Jul,2021
NCS21802 - Precision Op-Amp.pptx Jun,2021
X-Celerator开发者套件用户指南.pdf Jun,2021
全面解析快速直流充电.pdf May,2021
NCV772x Half Bridge Driver.pptx May,2021
NCV75xx Multi-Channel MOSFET Pre-Driver.pptx May,2021
NCP4306 Secondary Side Synchronous Rectification Driver.pptx May,2021
FAN73912A 1200V High & Low Side Driver.pptx May,2021
MIPI-Switch-Overview-Q2FY21.pptx May,2021
Power-and-Analog-Switch-Overview-Q2FY21.pptx May,2021
USB-Power-Automotive-Solutions-Q2FY21.pptx May,2021
ICSD Update.pdf Apr,2021
CSD NPI Field.pptx Apr,2021
Lens Training DISTI.pptx Apr,2021
NCS(V)21764 Value Add and Product Info.pptx Apr,2021
BLDC Overview.pptx Mar,2021
NCS20084 QUAD RRIO AMPLIFIER.pptx Feb,2021
NTPFxxxN65S3H SUPERFET3 FAST.pptx Feb,2021
5G_Small_Cell_Telecom_Edge_Comp_Cross_Reference_Public.xlsx Feb,2021
AR0234CS Product Presentation.pptx Feb,2021
Body_Control_Module_Cross_Reference_Public.xlsx Feb,2021
BLDC Channel Segment Product List.xlsx Feb,2021
ASG Strategy Industry4_Factory Automation.pptx Feb,2021
PoE, Smart Building and Connected Lighting_Cross_Reference_Public.xlsx Feb,2021
High Power Power Conversion Channel Segment Product List.xlsx Feb,2021
Fast_Charging_USB_PPS_Cross_Reference_Public.xlsx Feb,2021
Wreless_Connectivity_Cross_Reference_Public.xlsx Feb,2021
XGS-Demo-and-Eval-Support-v1.pptx Feb,2021
XGS-Family-Customer-Presentation-v6.pdf Feb,2021
ON Semiconductor Solutions for High Voltage Drives.pptx Jan, 2021
Automotive Solutions Brochure.pdf Nov, 2020
Industrial Motor Drive Solutions.pdf Nov, 2020
Automotive Products Selector Guide.pdf Aug, 2020
Medical Solutions Brochure.pdf Aug, 2020
Industrial Solutions Brochure.pdf Apr, 2020
Corporate Profile.pdf Mar, 2020
Portable & Wearable Solutions Brochure.pdf Mar, 2020
Internet-of-Things Solutions Brochure.pdf Feb, 2020
Power Supply & Power Adapter Solutions Brochure.pdf Feb, 2020
LED照明方案.pdf Jan, 2020
Consumer Electronics Solutions Brochure.pdf Dec, 2019
企业社会责任报告.pdf Nov, 2019
High Density Computing Solutions Brochure.pdf Nov, 2019
Aerospace & Defense Solutions Brochure.pdf Oct, 2019
Custom Design & Manufacturing Services Brochure.pdf Oct, 2019
GRI Content Index.pdf Jun, 2019
 
更多视频
全资子公司:
地址:湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道武大园三路5号
版权所有©2014   武汉力源信息技术股份有限公司

鄂公网安备 42018502002463号

   |   鄂ICP备13001864号-1    |   营业执照