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NTH4L032N065M3S
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 94.87
25+
CNY 76.92
50+
CNY 67.77
100+
CNY 60.56
250+
CNY 54.73
500+
CNY 49.93
1000+
CNY 45.91
厂商： onsemi
库存件数： 90000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×54.73 = 24628.50
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：650
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：44
最大漏极电流Id(on)(A)：50
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-247-4/-55~175
描述：碳化硅（SiC）MOSFET 650V，50A
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