力源芯城 - 尚阳通SGT MOSFET系列器件

尚阳通SGT MOSFET系列器件

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尚阳通是中国半导体集成电路行业专注于工业级和车规级先进功率器件芯片的设计公司。公司采用SGT(Shield Gate Trench) MOSFET最新一代工艺，基于多项专利技术推出中低压MOSFET系列产品。该系列既有传统深沟槽MOSFET的低导通损耗的优点，又具有更加低的开关损耗。SGT MOSFET作为开关器件应用于新能源电动车、新型光伏发电、节能家电等领域的电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统，是核心功率控制部件。

产品规格

技术优势

开关损耗低。

内阻比普通MOSFET低2倍左右。

具有更深的沟槽深度，可以在雪崩中做同样或更好。

同等规格下，芯片面积可以做到更小，性价比更高。

应用场景

主要器件

产品型号	厂商	源漏极间雪崩电压VBR(V)	封装	数据手册
SRT03N011LD56TR-G	尚阳通	30	PDFN5*6-8
SRT03N016LD56TR-G	尚阳通	30	PDFN5*6-8
SRT03N020LD33TR-G	尚阳通	30	PDFN3.3*3.3-8
SRT03N020LD56TR-G	尚阳通	30	PDFN5*6-8
SRT03N023LD56TR-G	尚阳通	30	PDFN5*6-8
SRT045N012HD56TR-GS	尚阳通	45	PDFN5*6-8
SRT045N025HD56TR-G	尚阳通	45	PDFN5*6-8
SRT045N060HD56TR-G	尚阳通	45	PDFN5*6-8
SRT04N010LD56TR-G	尚阳通	40	PDFN5*6-8
SRT04N012LD56TR-G	尚阳通	40	PDFN5*6-8
SRT04N024LD56TR-GS	尚阳通	40	PDFN5*6-8
SRT06N022HD56TR-G	尚阳通	60	PDFN5*6-8
SRT10N040LD56TR-G	尚阳通	100	PDFN5*6-8
SRT10N043HD56TR-G	尚阳通	100	PDFN5*6-8
SRT10N043HS2TR-E	尚阳通	100	TO-263-3
SRT10N043HTC-E	尚阳通	100	TO-220C-3
SRT10N070LD56TR-G	尚阳通	100	PDFN5*6-8
SRT10N090LD56TR-G	尚阳通	100	PDFN5*6-8
SRT10N090LTC-E	尚阳通	100	TO-220C-3
SRT10N160LD56TR-G	尚阳通	100	PDFN5*6-8
SRT15N050HS2TR-E	尚阳通	150	TO-263-2
SRT15N075HD56TR-G	尚阳通	150	PDFN5*6-8
SRT15N090HD56TR-G	尚阳通	150	PDFN5*6-8
SRT15N110HD56TR-G	尚阳通	150	PDFN5*6-8

☆	产品订购：秦女士邮箱：qinj@icbase.com
	技术支持：田先生邮箱：Torrance.tian@dxytech.com

关于尚阳通

深圳尚阳通科技有限公司作为新一代功率半导体技术领航企业，始终专注于高端功率器件开发，为科技发展贡献坚实力量。尚阳通用每一份力量，构筑更大价值，聚焦节能减排，研发设计工业级、车规级先进功率器件，推出IGBT、SnowMOS、TTMOS、SiC系列产品，已广泛应用于汽车充电桩、服务器数据中心、通信、智慧家居、新能源汽车等领域。

更多资料

尚阳通IGBT系列器件：https://www.icbase.com/AdvProPage.aspx?Id=341

尚阳通SJ MOSFET系列器件：https://www.icbase.com/AdvProPage.aspx?Id=343

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