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VISHAY,功率MOSFET

智能过滤器(符合过滤条件的产品共375个)
源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)最大漏极电流Id(on)(A)通道极性封装/温度(℃)
共查询到 375 条数据.
产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)最大漏极电流Id(on)(A)通道极性封装/温度(℃)
SIHLL110TR-GE3
(9折)
Vishay 100V,76mΩ,1.5A,N沟道功率MOSFET 17500
(武汉库存)
货期:1-3工作日
1+CNY 6.92 6.23
25+CNY 4.15 3.74
50+CNY 2.77 2.50
100+CNY 2.49 2.25
250+CNY 2.08 1.88
500+CNY 1.80 1.62
1000+CNY 1.66 1.50


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100 76 1.5 N沟道 SOT-223-3/-55~150
SIR182DP-T1-RE3
(9折)
Vishay 60V,2.8mΩ,60A,P沟道MOSFET 3000
(武汉库存)
货期:1-3工作日
1+CNY 14.81 13.33
25+CNY 8.88 8.00
50+CNY 5.92 5.33
100+CNY 5.33 4.80
250+CNY 4.44 4.00
500+CNY 3.85 3.47
1000+CNY 3.55 3.20


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60 2.8 60 P沟道 PowerPAK SO-8/-55~150
SQ2309CES-T1_GE3 Vishay P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 2700
(武汉库存)
货期:1-3工作日
暂无

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-60 370 -1.7 P沟道 SOT-23-3/-55~175
IRFD120PBF Vishay 100V,270mΩ,1.3A,N沟道功率MOSFET 671
(武汉库存)
货期:1-3工作日
暂无

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100 270 1.3 N沟道 HVMDIP-4/-55~175
IRFPG50PBF
(9折)
Vishay N-沟道 MOSFET 暂无
(武汉库存)
1+CNY 138.87 124.99
25+CNY 92.58 83.33
50+CNY 69.43 62.49
100+CNY 46.29 41.67
250+CNY 43.97 39.58
500+CNY 42.82 38.54
1000+CNY 41.66 37.50


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1000 2000 6.1 N沟道 TO-247A-3/-55~150
SQJA36EP-T1_GE3 Vishay 汽车N沟道40 V(D-S)175°C MOSFET 暂无
(武汉库存)
1+CNY 3.96
25+CNY 3.96
50+CNY 3.96
100+CNY 3.96
250+CNY 3.96
500+CNY 3.96
1000+CNY 3.96


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40 1.24 350 N沟道 PowerPAK SO-8L/-55~175
IRFR9310PBF Vishay 7O,400V,-1.8A,P沟道功率MOSFET 暂无
(武汉库存)
1+CNY 41.53
25+CNY 27.69
50+CNY 20.77
100+CNY 13.84
250+CNY 13.15
500+CNY 12.81
1000+CNY 12.46


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-400 7000 -1.8 P沟道 DPAK-3/-55~150
SI1021R-T1-GE3 Vishay 4Ω,-60V,-190mA,P沟道功率MOSFET 暂无
(武汉库存)
1+CNY 15.25
25+CNY 10.17
50+CNY 7.63
100+CNY 5.08
250+CNY 4.83
500+CNY 4.70
1000+CNY 4.58


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-60 4000 -0.19 P沟道 SC-75A-3/-55~150
SI4431CDY-T1-GE3 Vishay P沟道MOSFET,32mΩ,-30V,-9A 暂无
(武汉库存)
暂无

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-30 32 -9 P沟道 SOIC-8/-55~150
SI7489DP-T1-E3 Vishay 41mΩ,-100V,-28A,P沟道功率MOSFET 暂无
(武汉库存)
暂无

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-28 41 -28 P沟道 PowerPAK SO-8/-55~150
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