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SIRA60DDP-T1-UE3
单位（片）
价格（含13%增值税）
暂无
厂商： Vishay
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
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  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：0.9
最大漏极电流Id(on)(A)：241
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：PowerPAK SO-8/-55~150
描述：30V，0.9mΩ，241A，N沟道MOSFET
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