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SQJ951EP-T1_GE3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 49.23
25+
CNY 32.82
50+
CNY 24.61
100+
CNY 16.41
250+
CNY 15.59
500+
CNY 15.18
1000+
CNY 14.77
厂商： Vishay
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×49.23 = 49.23
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：17
最大漏极电流Id(on)(A)：-30
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：PowerPAK? SO-8/-55~175
描述：汽车双P沟道MOSFET，-30V,-30A,17mΩ
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