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SQJQ184E-T1_GE3
单位（片）
价格（含13%增值税）
暂无
厂商： Vishay
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
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  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：80
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：1.4
最大漏极电流Id(on)(A)：430
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：PowerPAK 8 x 8L/-55~175
描述：N沟道80-V（D-S）175C MOSFET
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