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SIR626ADP-T1-RE3
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 24.14 21.73
25+
CNY 14.48 13.04
50+
CNY 9.65 8.69
100+
CNY 8.69 7.83
250+
CNY 7.24 6.52
500+
CNY 6.28 5.66
1000+
CNY 5.79 5.22
厂商: Vishay
库存件数: 1422000
货期: 香港库存(7-10工作日)
数量: 
-
  ×5.22 = 15660.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):1.75
最大漏极电流Id(on)(A):165
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):PowerPAK SO-8/-55~150
描述:60V,1.75mΩ,165A,N沟道功率MOSFET
温馨提示

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