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SIR626ADP-T1-RE3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 24.14 21.73
25+
CNY 14.48 13.04
50+
CNY 9.65 8.69
100+
CNY 8.69 7.83
250+
CNY 7.24 6.52
500+
CNY 6.28 5.66
1000+
CNY 5.79 5.22
厂商： Vishay
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×21.73 = 21.73
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：1.75
最大漏极电流Id(on)(A)：165
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：PowerPAK SO-8/-55~150
描述：60V，1.75mΩ，165A，N沟道功率MOSFET
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