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SQS411ENW-T1_GE3
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 5.73
25+
CNY 4.58
50+
CNY 3.44
100+
CNY 2.29
250+
CNY 2.18
500+
CNY 2.12
1000+
CNY 2.06
厂商： Vishay
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×5.73 = 5.73
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：-40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：16
最大漏极电流Id(on)(A)：27.3
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：PowerPAK 1212-8/-55~175
描述：汽车P沟道MOSFET，-40V，16A，27.3mΩ
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