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BSO615CG
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 4.98
25+
CNY 4.53
50+
CNY 4.29
100+
CNY 4.15
250+
CNY 3.83
500+
CNY 3.66
1000+
CNY 3.56
厂商： Infineon Technologies
库存件数： 暂无
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×4.98 = 4.98
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：60/-60
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：110/300
最大漏极电流Id(on)(A)：3.1/-2
通道极性：N/P沟道
封装/温度(℃)：DSOIC-8/-55~150
描述：60/-60V,3.1/-2A,N/P沟道功率MOSFET
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