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INFINEON,互补MOSFET

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源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)最大漏极电流Id(on)(A)通道极性封装/温度(℃)
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产品图片产品型号厂商描述资料库存数价格(含13%增值税)购买数量RoHS源漏极间雪崩电压VBR(V)源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)最大漏极电流Id(on)(A)通道极性封装/温度(℃)
BSO612CVG Infineon Technologies 60/-60V,3/-2A,N/P沟道功率MOSFET 8
(武汉库存)
1+CNY 4.60
25+CNY 4.19
50+CNY 3.97
100+CNY 3.84
250+CNY 3.54
500+CNY 3.39
1000+CNY 3.29


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60/-60 120/300 3/-2 N/P沟道 DSOIC-8/-55~150
BSO615CG Infineon Technologies 60/-60V,3.1/-2A,N/P沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 4.98
25+CNY 4.53
50+CNY 4.29
100+CNY 4.15
250+CNY 3.83
500+CNY 3.66
1000+CNY 3.56


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60/-60 110/300 3.1/-2 N/P沟道 DSOIC-8/-55~150
BSD235CL6327 Infineon Technologies 20/-20V,0.96/-0.53A,N/P沟道功率MOSFET 2004
(武汉库存)
1+CNY 0.80
25+CNY 0.73
50+CNY 0.69
100+CNY 0.67
250+CNY 0.62
500+CNY 0.59
1000+CNY 0.57


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20/-20 350/1200 0.96/-0.53 N/P沟道 SOT-363-6/-55~150
BSL215CH6327 Infineon Technologies -20/20V,150/140mΩ,-1.5/1.5A,P/N沟道互补型MOSFET 暂无
1+CNY 2.11
100+CNY 1.76
1000+CNY 1.51


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-20/20 150/140 -1.5/1.5 P沟道/N沟道 PG-TSOP-6/-55~150
BSL308CH6327 Infineon Technologies -30/30V,80/57mΩ,-2/2.3A,P/N沟道互补型MOSFET 暂无
1+CNY 1.25
100+CNY 1.13
1000+CNY 1.01


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-30/30 80/57 -2/2.3 P沟道/N沟道 PG-TSOP-6/-55~150
BSL316CH6327 Infineon Technologies -30/30V,150/160mΩ,-1.5/1.4A,P/N沟道互补型MOSFET 暂无
1+CNY 0.98
100+CNY 0.89
1000+CNY 0.80


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-30/30 150/160 -1.5/1.4 P沟道/N沟道 PG-TSOP-6/-55~150
BSD235CH6327 Infineon Technologies -20/20V,1200/350mΩ,-0.53/0.95A,P/N沟道小信号MOSFET 暂无
1+CNY 0.96
25+CNY 0.87
50+CNY 0.83
100+CNY 0.80
250+CNY 0.74
500+CNY 0.71
1000+CNY 0.69


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-20/20 1200/350 -0.53/0.95 P沟道/N沟道 PG-SOT363-6/-55~150
IRF7309TRPBF Infineon Technologies 30V/-30V,4A/3A,N/P沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 3.45
25+CNY 3.14
50+CNY 2.98
100+CNY 2.88
250+CNY 2.66
500+CNY 2.54
1000+CNY 2.47


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30/-30 50/100 4.7/-3.5 N/P SO-8/-55~150
IRF7307TRPBF Infineon Technologies 20V/-20V,5.2A/-4.3A,N/P沟道功率MOSFET 暂无
1+CNY 4.10
25+CNY 3.73
50+CNY 3.53
100+CNY 3.42
250+CNY 3.15
500+CNY 3.01
1000+CNY 2.93


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20/-20 50/90 5.2/-4.3 N&P沟道 SO-8/-55~150
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