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NVMFWS0D9N04XMT1G
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 29.09
25+
CNY 23.59
50+
CNY 20.78
100+
CNY 18.57
250+
CNY 16.78
500+
CNY 15.31
1000+
CNY 14.08
厂商： onsemi
库存件数： 1500
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×14.08 = 21120.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：0.9
最大漏极电流Id(on)(A)：273
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：SO-8/-55~175
描述：40V，0.9mΩ，273A，N沟道MOSFET
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