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FDT3612
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 4.89
25+
CNY 3.96
50+
CNY 3.49
100+
CNY 3.12
250+
CNY 2.82
500+
CNY 2.57
1000+
CNY 2.36
厂商： onsemi
库存件数： 4000
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×2.36 = 9440.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：100
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：120
最大漏极电流Id(on)(A)：3.7
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：SOT-223-4/-55~150
描述：100V，3.7A，120mΩ，N沟道功率MOSFET
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