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NTMT045N065SC1
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 131.89
25+
CNY 106.94
50+
CNY 94.21
100+
CNY 84.19
250+
CNY 76.09
500+
CNY 69.42
1000+
CNY 63.82
厂商： onsemi
库存件数： 2955
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×131.89 = 131.89
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：650
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：50
最大漏极电流Id(on)(A)：55
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TDFN-4/-55~175
描述：碳化硅（SiC）MOSFET-EliteSiC，33 mohm，650 V，M2，Power88
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