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FDP2D3N10C
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 68.86
25+
CNY 55.83
50+
CNY 49.19
100+
CNY 43.95
250+
CNY 39.73
500+
CNY 36.24
1000+
CNY 33.32
厂商： onsemi
库存件数： 400
货期： 香港库存(7-10工作日)
数量： 
- ＋
  ×36.24 = 28992.00
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：100
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：2.3
最大漏极电流Id(on)(A)：222
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：TO-220-3/-55~175
描述：100V,2.3mΩ,222A,N沟道功率MOSFET
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