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NVMFD5C462NT1G
单位（片）
价格（含13%增值税）
1+
CNY 22.62
25+
CNY 18.34
50+
CNY 16.16
100+
CNY 14.44
250+
CNY 13.05
500+
CNY 11.91
1000+
CNY 10.95
厂商： onsemi
库存件数： 1270
货期： 现货
数量： 
- ＋
  ×22.62 = 22.62
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！

源漏极间雪崩电压VBR(V)：40
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：5.4
最大漏极电流Id(on)(A)：70
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：SO-8/-55~175
描述：40V、5.4mΩ、70A、N 沟道功率 MOSFET
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