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NTHL040N120M3S
单位(片)
价格(含13%增值税)
1+
CNY 89.41 80.47
25+
CNY 79.69 71.73
50+
CNY 71.88 64.70
100+
CNY 65.46 58.92
250+
CNY 60.10 54.09
500+
CNY 55.54 49.99
1000+
CNY 51.63 46.47
厂商: onsemi
库存件数: 180285
货期: 现货
数量: 
-
  ×80.47 = 80.47
  • 规格参数
  • 技术文档

产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

源漏极间雪崩电压VBR(V):1200
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):54
最大漏极电流Id(on)(A):54
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-247-3L/-55~175
描述:碳化硅(SiC)MOSFET,54mΩ,1200 V,
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